Conference Paper

 
Фойдаланилган адабиётлар: 
1.
Бабанский Ю.К. Методика предподавания физики в средней школе.
–М.: Просвещение. 1968. –199 с. 
2.
Кабардин 
О.Ф. 
Методические 
основы 
физического 
эксперимента.
Физика в школе. 1985. № 2. С. 3– 9. 
3.
Пёришкин 
А.В. 
Физика 
ўқитиш 
методикаси 
асослар.
– Т.: Ўқитувчи. 1990. – 320 б. 
4.
Юсупов 
А., 
Юсупов 
Р. 
Физикадан 
савол 
ва 
масалалар 
тўплами.
–Т.: Ўқитувчи. 2000. – 64б. 
СРАВНЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР 
ПОЛУЧЕННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ
Ташатов А.К., Мустафоева Н.М.
Каршинский Государственный университет, г. Карши, Узбекистан
[e-mail] 
В данной работе всесторонные изучена структура и свойства гетеро 
эпитаксиальных и многослойных тонкопленочных систем, полученных методами 
термодиффузии, МЛЭ и ионной имплантации. Исследования проводились в 
сверхвысоковакуумном приборе, позволяющем проводить ионную имплантацию, 
термодиффузию, молекулярно-лучевую эпитаксию тонких пленок различных 
материалов, а также исследовать их электронную и кристаллическую структуру и 
свойства методами электронной спектроскопии [1].
Сравнительный анализ характеристик приборных структур, полученных 
различными методами в приборах микроэлектроники показал следующее: 
1.
 
Метод термодиффузии,
главным образом, используется для создания 
примесных уровней, за счет введения определенного количества примесей (обычно 
несколько процентов) в объем кристалла. При этом приповерхностная область 
кристалла оказывается очень обогащенной примесными атомами. Метод 
термодиффузии, заключающийся в реагенной диффузии примесных элементов в 
подложку в высоком вакууме, имеет следующие преимущества: 
а) простота оборудования и технологического процесса; 
б) возможность получения силицидных пленок и двухслойных систем в широком 
диапозоне толщин; 
в) сравнительно небольшая температура 900÷1300 К процесса. 
К недостатками следует отнести: 
а) невозможность контролируемого изменения фазового состава образующейся 
пленки; 
б) невозможность создания резкой границы между пленкой и подложкой, и между
слоями многослойных структур; 
в) сильная диффузия и перемещивание атомов, которые могут привести к 
нежелательным эффектам, например к изменению свойств подложки.