Conference Paper

 
Список использованных источников: 
1.
Петрова Л.В. Особенности геологического строения месторождения Кастилья 
/Мурильо Р.К.Т.,Петрова Л.В // В книге: Нефтегазовый комплекс: проблемы и 
инновации тезисы III научно-практической конференции c международным участием. 
Ответственный редактор В.К. Тян. 2018. С. 34. 
2.
Петрова Л.В. Геолого-физическая характеристика и нефтегазоносность 
Фаинского месторождения/ Петрова Л.В., Альмухаметова Э.М., Каюмов Д.А.// В 
сборнике: Фундаментальные и прикладные науки сегодня материалы XVI 
международной научно-практической конференции. 2018. С. 11-14. 
3.
Almukhametova 
E.M, 
Modeling 
Development 
of 
Fyodorovsky 
Deposit/ 
Almukhametova E.M., Shamsutdinova G.F., Sadvakasov A.A., Tyncherov K.T., Petrova 
L.V., Stepanova R.R. В сборнике: IOP Conference series: Materials science and engineering 
processing equipment, mechanical engineering processes and metals treatment. 2018. С. 
042100. 
4.
Петрова 
Л.В. 
Геолого-техническое 
изучение 
Приобского 
нефтяного 
месторождения/ Петрова Л.В., Галиев Р.Р., Биктимиров Р.Р., Камалеева А.Ф. //В 
сборнике: Сборник научных трудов 43-й Международной научно-технической 
конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, посвященной 60-летию 
филиала УГНТУ в г. Октябрьском Материалы в 2-х томах. 2016. С. 230-233. 
5.
Надзор за разработкой Усть-Балыкского месторождения /СибНИИНП. – 
Тюмень, 2014. – 534 с. 
6.
Петрова Л.В. Геологическое строение и проблемы разработки фаинского 
месторождения/ Петрова Л.В., Яруллин Д.Р., Альмухаметова Э.М., Ибрагимова Э.И.// 
Нефтегазовое дело. 2018. Т. 16. № 2. С. 56-60. 
СПЕЦИФИКА ПОВЫШЕНИЯ МОЩНОСТИ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ 
ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ КАДМИЯ
Полвонов Б.З., Полвонов О.З., Насиров М.Х., Зайлобиддинов Б.Б., Ахмаджонов М.Ф.
ФерПИ 
 
Работа 
посвящена 
проблеме
 
повышения 
мощности 
аномально 
фотовольтаических пленочных структур на основе поликристаллических пленочных 
структур 
CdTe
, 
In
CdTe
:
, 
CdS
CdTe
/
в качестве солнечных фотопреобразователей и 
фотогенераторов напряжения
. 
Исследования относятся к области физике 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
150 
полупроводников и получения материалов оптоэлектроники и гелиотехники, в 
частности, к технологии получения тонких пленок и пленочных структур, 
генерирующих аномально большое фотонапряжение (
АФН
) на основе халькогенидов 
кадмия.
Разработана технология изготовления тонких 
)
0
,
1
(
мкм
d

аномально 
фотовольтаических (АФВ) пленок 
In
CdTe
:
методом вакуумного испарения, 
позволяющая 
3
10
раз увеличить мощности фотогенератора напряжения [1]. Это 
достигнуто за счет повышения эффективности генерации фотонапряжения пленкой 
CdTe
с помощью легирования её примесью индия во время выращивания методом 
термического испарения в вакууме 
.
.
.
10
10
-3
ст
рт
мм


путем испарения
CdTe
и 
In
из отдельных тиглей. При этом исходная масса напыляемой примеси составляла 



вес.
 
7
3
от массы основного полупроводникового соединения. Температура 
стеклянной подложки варьировалась в пределах 
C
0
300
250

. Свежеприготовленные 
поликристаллические образцы 
CdTe:In 
с толщиной 
мкм 
 
d 
0
,
1
8
,
0


и площадью 
2
20
5
мм
x
, со 
скоростью конденсации 
с
нм
/
0
,
2
5
,
1
v
к


, углом напыления 
0
50
40

, 
оказались более низкоомными и относительно слабо выражались аномальными 
фотовольтаическими свойствами (
В
V
АФН
100
50


). В результате термической 
обработки (
TO
) на воздухе в присутствии паров соактиватора 
2
CdCl
при температуре
C
0
300
250

в течение 
мин
4
2

 
образцы 
CdTe:In 
при комнатной температуре 
генерировали максимальное фотонапряжение до значений 


B
) ·
(
3
10
4
2
, т.е. на 
порядок 
больше, 
чем 
специально 
нелегированные 
образцы 
CdTe
(где 
В
V
АФН
600
200


). При этом фототок короткого замыкания увеличивался более чем
на два порядка и достигал до значения 
 A
I
-
к.з.
8
10

[2]. Световые сопротивления при
интенсивности света 
лк
3
10
L

пленок 
CdTe ,
In
CdTe
:
–свежеприготовленной и 
In
CdTe
:
– термообработанной имели значения 
12
св.
10
2
R


, 
10
10
3

и 
Ом
10
2
11

, 
соответственно. Они генерировали 
В
200
V
АФН

,
В
60
и 
В
2000
, следовательно, 
мощности этих фотогенераторов, пропорциональной 
св
АФН
R
V
2
, относились как, 
2:12:2000. Таким образом, мощность легированной 
In
АФВ
пленок 
In
CdTe
:
 
после 
TO
увеличивается более чем на два порядка, а по сравнению с нелегироанной пленкой 
- в 
3
10
раза. Это объясняется тем, что атомы замещения 
In
во время 
TO
пленки в 
результате 
термополевой 
миграции 
(диффузии) 
увеличивают 
асимметрию 
потенциальных барьеров на границе кристаллических зерен, что повышает 
эффективность генерации 
АФH
пленкой
In
CdTe
:
. Показано, что электрофизические и
АФВ
свойства термообработанных пленок 
CdTe:In 
существенно стабилизируется.
Экспериментально 
исследована 
форма 
спектров 
низкотемпературной 
фотолюминесценции 
косонапыленных 
поликристаллических 
пленок
CdTe