Часть II issn 2072-0297

151
“Young Scientist”
. 
# 7 (111)
. 
April 2016
Technical Sciences
Шоттки по сравнению с 
Si
и 
GaAs
. В результате чрез-
вычайно малый ток утечки (менее 700мкА при 200 °С) 
при повышенной температуре кристалла снижает термо-
электронную эмиссию за пределами барьера.
3. Высокая теплопроводность 
SiC
снижает тепловое 
сопротивление кристалла (по сравнению с 
Si
-диодами — 
почти в два раза).
4. Электронные свойства приборов на основе кар-
бида кремния очень стабильны во времени и слабо за-
висят от температуры, что обеспечивает высокую надеж-
ность изделий.
5. Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткой 
радиацией, воздействие которой не приводит к деградации 
электронных свойств кристалла.
6. Высокая рабочая температура кристалла (более 
600 °С) позволяет создавать высоконадежные приборы 
для жестких условий эксплуатации и специальных приме-
нений.
7. Карбид кремния выделяет высокая температура 
Дебая, которая характеризует его устойчивость к внешним 
воздействиям.
Литература:
1. Карбид кремния: технология, свойства, применение / Агеев О А., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Киселев B. C., 
Конакова Р. В., Лебедев А. А., Миленин В. В., Охрименко О. Б., Поляков В. В., Светличный A. M., Чередни-
ченко Д. И. / Под общей редакцией член-корр. НАНУ, д. ф.-м. н., проф. Беляева А. Е. и д. т. н., проф. Кона-
ковой Р. В. — Харьков: «ИСМА». 2010. — 532 с.
2. Лучинин, В., Таиров Ю. Карбид кремния — алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зави-
симыми свойствами // Наноиндустрия. — 2010, № 1. с. 36–40.
3. Полищук, А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния — настоящее и будущее силовой элек-
троники // Компоненты и технологии. — 2004. № 8.
Рис.