bob Yarim o’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligi

yarimo'tkazgichli diod- bitta "rn" birikmasi bo'lgan yarim o'tkazgich.P
Yarimo'tkazgichli diodlar AC rektifikatorlarining asosiy elementlari hisoblanadi.
Elektr maydoni qo'llanilganda: bir yo'nalishda yarimo'tkazgichning qarshiligi yuqori, teskari yo'nalishda qarshilik past bo'ladi.
Transistorlar.(dan Inglizcha so'zlar uzatish - uzatish, rezistor - qarshilik) Donor va qabul qiluvchi aralashmalar kiritilgan germaniy yoki kremniydan tayyorlangan tranzistorlar turlaridan birini ko'rib chiqing. Nopoklarning taqsimlanishi shundan iboratki, ikkita p tipidagi yarimo'tkazgich qatlami o'rtasida juda nozik (bir necha mikrometrga teng) n-tipli yarimo'tkazgich qatlami hosil bo'ladi (rasmga qarang).  Bu yupqa qatlam deyiladi asos yoki asos. Kristalning ikkitasi bor R-n-bog'lanishlar, ularning to'g'ridan-to'g'ri yo'nalishlari qarama-qarshi. bo'lgan joylardan uchta pin har xil turlari o'tkazuvchanlik rasmda ko'rsatilgan sxemaga tranzistorni kiritish imkonini beradi. Da bu inklyuziya chap R-n-sakrash bevosita deb ataladigan p-tipli mintaqadan bazani ajratib turadi emitent. Agar huquq bo'lmasa R-n-o'tish, emitent-bazaning zanjirida manbalarning (batareyalar) kuchlanishiga qarab oqim bo'ladi. B1 va AC kuchlanish manbai) va kontaktlarning zanglashiga olib keladigan qarshiligi, shu jumladan to'g'ridan-to'g'ri emitent-tayanch birikmasining past qarshiligi. Batareya B2 o'ng tomonga o'girildi R-n-o'tish davri (rasmga qarang) bo'ladi teskari. U bazani chaqirilgan o'ng p-tipli mintaqadan ajratadi kollektor. Agar qolmagan bo'lsa R-n-o'tish, kollektor pallasida oqim nolga yaqin bo'ladi, chunki teskari ulanish qarshiligi juda yuqori. Chapdagi oqim mavjudligida R-n-o'tish oqimi kollektor pallasida ham paydo bo'ladi va kollektordagi oqim emitentdagi oqimdan bir oz kamroq (agar emitentga salbiy kuchlanish qo'llanilsa, u holda chap R-n-o'tish joyi teskari bo'ladi va emitent pallasida va kollektor pallasida amalda oqim bo'lmaydi). Emitent va tayanch o'rtasida kuchlanish hosil bo'lganda, p-tipli yarimo'tkazgichning asosiy tashuvchilari - teshiklar taglikka kirib boradi, ular allaqachon kichik tashuvchilardir. Baza qalinligi juda kichik va undagi koʻpchilik tashuvchilar (elektronlar) soni kichik boʻlgani uchun unga tushgan teshiklar baza elektronlari bilan deyarli birikmaydi (qayta birlashmaydi) va diffuziya tufayli kollektorga kirib boradi. To'g'ri R-n-birikmasi bazaning asosiy zaryad tashuvchilari - elektronlar uchun yopiq, lekin teshiklar uchun emas. Kollektorda teshiklar elektr maydon tomonidan olib tashlanadi va kontaktlarning zanglashiga olib keladi. Poydevordan emitent zanjiriga shoxlangan oqimning kuchi juda kichik, chunki gorizontal (yuqoridagi rasmga qarang) tekislikdagi tayanch tasavvurlar maydoni vertikal tekislikdagi tasavvurlar maydonidan ancha kichikdir.
Kollektor oqimi, amalda kuchiga teng emitentdagi oqim, emitentdagi oqim bilan birga o'zgaradi. Rezistor qarshiligi R kollektordagi oqimga ozgina ta'sir qiladi va bu qarshilik etarlicha katta bo'lishi mumkin. Emitent oqimini uning zanjiriga kiritilgan AC kuchlanish manbai bilan boshqarish orqali biz R rezistoridagi kuchlanishning sinxron o'zgarishini olamiz. .
Rezistorning katta qarshiligi bilan uning ustidagi kuchlanish o'zgarishi emitent pallasida signal kuchlanishining o'zgarishidan o'n minglab marta ko'p bo'lishi mumkin. Bu kuchlanish kuchayganligini anglatadi. Shuning uchun, yuk ustida R kuchi emitent pallasiga kiradigan quvvatdan ko'p marta ko'p bo'lgan elektr signallarini olish mumkin.