Bipolyar fototranzistorlar

Fototranzistorning xususiyatlari

• Surat tranzistorida tranzistor harakati natijasida yuqori darajadagi daromad mavjud.

-Hom-konstruktsiyalar uchun, ya'ni butun qurilma davomida bir xil materialdan foydalanadiganlar uchun bu taxminan 50 dan bir necha yuzgacha bo'lishi mumkin.


-Getero-tuzilmalar uchun daromad darajasi o'n mingga ko'tarilishi mumkin.




-Getero-tuzilmaning yuqori darajadagi daromadiga qaramay, ular keng qo'llanilmaydi, chunki ularni ishlab chiqarish ancha qimmatga tushadi.



• Turli xil yorug'lik intensivligi ostida foto-tranzistorning xususiyatlari. Ular odatiy bipolyar tranzistorning xususiyatlariga juda o'xshash, ammo bazaviy oqimning turli darajalari yorug'lik intensivligining turli darajalari bilan almashtirilgan.

Kamchiliklari

• Fototranzistorning asosiy kamchiliklaridan biri shundaki, u ayniqsa yuqori chastotali javobga ega emas.

- Bu asosiy kollektor o'tish joyi bilan bog'liq bo'lgan katta quvvatdan kelib chiqadi. Ushbu birikma yetarli miqdordagi yorug'likni olish uchun imkon qadar kattaroq qilib yaratilgan.


- Oddiy homo-tuzilma qurilmasi uchun tarmoqli kengligi taxminan 250 kHz bilan cheklanishi mumkin.




-Getero-o'tish moslamalari juda yuqori chegaraga ega va ba'zilari 1 GHz gacha bo'lgan chastotalarda ishlaydi.

Fototranzistor belgisi

• Elektron sxemalarda foydalanish uchun fototranzistor belgisi juda sodda. U yorug'likka sezgir ekanligini ko'rsatish uchun o'qlari ko'rsatilgan asosiy tranzistor belgisidan hosil bo'ladi. Fototranzistor belgisi ko'pincha ikkita o'qni unga yo'naltiradi, ammo boshqa fototranzistor belgilarida jag 'o'qi ko'rsatiladi. Fototranzistorli belgining ikkala versiyasi ham qabul qilinadi va tushuniladi.

Fototranzistor davri konfiguratsiyasi

• Fototranzistor turli xil turli xil elektron konfiguratsiyalarda ishlatilishi mumkin. Oddiy tranzistorlar singari, fototranzistor ham umumiy emitent va umumiy kollektor davrlarida ishlatilishi mumkin. Odatda umumiy sxemalar odatda ishlatilmaydi, chunki taglik aloqasi tez-tez suzib yuradi.
• Umumiy emitent yoki umumiy kollektorli fototranzistorli kontaktlarning zanglashiga moslamasini tanlash sxemaga qo'yiladigan talablarga bog'liq. Ikkita fototranzistorli elektron konfiguratsiyasi biroz boshqacha ish xususiyatlariga ega va ular ishlatilgan kontaktlarning zanglashiga olib kelishi mumkin.