|
3.4. Mikrosxemalar haqida ma’lumot
Radioelektron qurilmalar juda ko’p sondagi electron asboblardan tashkil topadi. Fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni ham ortib bormoqda. Shuning uchun radioelektron qurilmaning kuchliligi , uzoq muddat ishonchli xizmat qila olish qobiliyati va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularning hajmini kichraytirish , og’irligi va sarf qilinadigan quvvatini kamaytirish kabi masalalar o’rtaga qo’yilmoqda.
Yarimo’tlazgichlar texnikasining rivojlanishi yarimo’tkazgichli asboblarning ma’lum kombinatsiyadagi sistemani bir qobiqqa joylashtirish imkoniyatini yaratadi. Bunday asboblar modul-sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. Ularda qulay qobiqsiz yarimo’tkazgichli asboblar, plyonkali (pardasimon) qarshilik va kondensatorlar ma’lum sxema asosida bir qobiq ichida yig’iladi va biror electron qurilmaning to’liq sxemasini tashkil qiladi. Shuning uchun mikrosxemalar deb ataladi
Mikrosxemalarning 1 sm3 bo’lagida kamida 5 elektron (transistor, diod,resistor sig’imi va induktivlik) qatnashib, ular biror electron qurilmaning tamomlangan sxemasini tashkil etishi lozim. Hozir integral mikrosxema (IMS) deb ataladigan yarimo’tkazgichli asboblar keng qo’llaniladi. Ular qurilmalarning umumiy bo’lagini 20 000 martadan ortiq kichraytirish imkoniyatini berdai. IMS shunday qurilmaki, uning hamma elementlari ajralmas bog’langan bo’ladi. Ular bir-biri bilan shunday tutashganki, natijada bir butun qurilma bo’lib xizmat qiladi.
Mikrosxemalarni turlarga ajratish juda ko’p belgilarga asoslanadi: materialning turi , elementlarining soni, funksional bog’liqligi, qanday maqsadda xizmat qilish, ishlab chiqarish texnologiyasi, konstruksiyasi va boshqalar. Masalan, bajariladigan ishning turiga qarab -kuchaytirgichlar, generatorlar, mantiqiy elementlar, funksional maqsadiga qarab, -sonli chiziqli, qiyali-sonli, ishlab chiqarish texnologiyasi va konstruksiyasiga qarabМикросхемаларды түрлерге а-yarimo’tkazgichli, plyonkali,duragay(gibrid) va birlashtirilgan sxemalar mavjud.
IMS ning murakkabligi arimo’tkazgich kristalida necha element joylashtirilganligi bilan belgilanadi. Shunga ko’ra mikrosxemalar integrallanish darajasi orqali xarakterlanadi. Masalan, elementlarning soni 10 gacha bo’lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema (IS1) yoki oddiy mikrosxema, elementlarining soni 100 gacha bo’lganlari – ikkinchi darajali integral sxema (IS2) yoki o’rta (O’MS) mikrosxema deb ataladi.Elementlarning soni 100 10 000 bo’lgan ishlar III darajali, ya’ni katta integral sxema (KIS), 10 000 dan ortiq elementga ega mikrosxemalar esa, juda katta (JKIS) ya’ni yuqori darajali integrallanishli mikrosxemalar hisobanadi. Oddiy IMSga mantiqiy elementlar, o’rta IMS ga esa, EHMning xotira qurilmalari, hisoblagichlar yig’ish qurilmalari-summatorlar misol bo’ladi.
Shuni aytish kerakki, mikrisxemalarning integrallanish darajasini orttirish va unga bog’liq elementlar o’lchamini kichraytirishning chegarasi bor. Bir necha o’n ming elementning bir sxemaga joylashtirish (integrallash) texnologik tomondan juda murakkab bo’lib, iqtisodiy tomondan maqsadga muvofiq emas.Shuning uchun funksional mikroelektronikaga o’tilmoqda. Unda qurilmaning biror funksiyasi bajarish standart elementlar yordamida emas, yoki fizik asosda bajariladi.
Integral mikrosxemalar funksional bog’lanishiga qarab ikki xil impuls- solishtirish va logic bo’ladi. Impuls-solishtirish IMS gormonik yoki impuls tebranishlarni hosil qilish yoki kuchaytirishda logic IMS esa, qurilmani electron kalit rejimida ishlashini ta’minlashda qo’llaniladi.
IMS larning kichik o’lcham va massaga ega bo’lishi , kam quvvat yo’qotishi ishonch bilan ishlashi, yuqori tezligi, arzonligi va boshqalar ularning ortiqchaligi. IMSning yuqori ishonch bilan ishlashi payvandlanadigan birikmalar sonining kamayishi hisobiga esa, yuqori tezligi-elementlari orasidagi tutashtirish oralig’ining kichikligi bilan xarakterlanadi.
Har bir mikrosxemani ishlatishda tashqi manba kuchlanishi, nagruzkaning kattaligi, ta’sir etuvchi signal xususiyatlari va boshqalar oldindan aniqlangan bo’lishi lozim. Yarimo’tkazgichli, pardasimon gibrid va birlashtirilgan qo’shma IMSlar eng ko’p qo’llaniladigan mikrosxemalar. Yarimo’tkazgichli IMS yarimo’tkazgich materialdidan iborat bo’lib, uning tashqi qatlamida yoki hajmida elektr sxema elementlarni tutashtirish simlariga, qo’rg’on qatlamlariga ekvivalent bo’lgan sohalar hosil qilingan bo’ladi
Ko’pincha yarimo’tkazgich sifatida kremniy kristali olinadi. U mikrosxemaning asosini tashkil qiladi. Kristallda p-n o’tishlar hosil qilish yo’li bilan sxemaning passiv va aktiv elementlari joriy qilinadi.
Yarimo’tkazgichli IMSlar ko’p to’plamli qilib yasaladi. Har bir to’plamga bir vaqtda juda ko’p mikrosxema joylashadi. Masalan, diametri 76 mm bo’lgan bir plastinkaga 5000 gacha mikrosxema joylashishi mumkin. Uning har biridan 10 tadan 20000gacha electron element qatnashadi
Pardasimon IMS maxsus taglik sirtida joylashtirilgan ko’p qatlamli pardalar to’plamidan iborat. Taglik sifatida shisha, keramikakabi materiallar olinadi.
Pardasimon IMSlar ikki turga ajratiladi : yupqa (1 - 2 mkm) pardali va qalin (10-20 mkm) pardali. Ular faqat qalinliklari bilangina emas taglikka tushirish texnologiyasi bilan ham bir-biridan farq qiladi.
Pardasimon IMSlar faqat passiv element-rezistorlar, kondensatorlar, induktivlik g’altagi yasaladi. Ulardan RC-filtri yasaladi.
Gibrid IMS shunday mikrosxemaki, u pardasimon, yarimo’tkazgichli va diskret osma aktiv elementlarining bir kombinatsiyasini tashkil qiladi. Ular pardasimon IMSning dielektrik tagligiga joylashtiriladi.
Osma element deganda, asosan, qulaylashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlar tushuniladi. Ular mustaqil element bo’lib, taglikka yopishtirib qo’yiladi va parda elementlari bilan ingichka similar yordamida tutashtiriladi. Gibrid IMS yarimo’tkazgichli IMS va osma element hisoblanadi.
Ayrim hollarda yetarlicha katta sig’im va induktivlik zarur bo’lganda qulaylashtirilgan kondensator va induktivlik g’altagi osma element sifatida joriy qilinadi, shuning uchun pardasimon IMS da katta sig’im va induktivlikka erishish mumkin bo’lmaydi.
Birlashtirilgan IMS da aktiv elementlar yarimo’tkazgichli mikrisxemadagi, passiv elementlar esa, pardasimon mikorosxemalar kani yasaladi.
Barcha IMSlar germetik qobiqqa o’ralgan bo’lib, undan sxemaga tutashtirish uchlari-elektrodlar chiqariladi.
Do'stlaringiz bilan baham: | 
