B. A. Nazarbayeva

Fotolitografiya. 

Fotolitografiya  –  mexanik  mikrotizimlarning  uch  o‘lchamli 

strukturalarini yaratishning mikroelektronikadan olingan uslubidir. 4.42A- rasmda 

qandaydir  materialning  (aytaylik,  kremniy  dioksidining)  boshqa  bir  materialdan 

(masalan,  kremniydan)  ishlangan  taglikka  qoplangan  plenkasi  ko‘rsatilgan. 

Uslubning  maqsadi  –  taglikning  talab  qilinadigan  uchastkasini  bo‘shatish  uchun 

---

244 

 

oksid  qatlamining  bir  qismini  selektiv  tarzda  chiqarib  yuborishdan  iborat  (4.42F- 

rasm). 

Oksid  qatlamining  yuzasiga  UB  nurlanishga  sezgir  bo‘lgan  fotorezist  deb 

ataluvchi  polimerdan  plenka  qoplanadi  (4.42E-  rasm).  Polimerning  ustidan  niqob 

shakllantiriladi,  u  o‘zida  ko‘pincha  shisha  plastinkaga  qoplangan  xrom  shablonni 

taqdim  qiladi.  UB  nurlanish  fotorezistga  niqob  orqali  tushadi  (4.42D-  rasm). 

Shundan  keyin  fotorezistning  nurlatilgan  qismi  chiqarib  tashlanadi.  Natijada 

fotorezistdan niqob shakllanadi (4.42F- rasm). 

 

4.42- rasm. Musbat va manfiy fotolitografiya 

 

Fotorezistlarning ikkita tipi mavjud: musbat (4.42- rasmning chap tomoni) va 

manfiy (4.42-rasmning o‘ng tomoni). UB nurlar musbat fotorezistni nurlatganda bu 

nurlar  polimerni  zaiflashtiradi,  natijada  nurlatishdan  keyin  rezistning  aynan  ana 

shu qismi  chiqarmb  tashlanadi, u  rezistiv qatlamda  musbat  niqobni  qoldiradi.  UB 

nurlar  bilan  manfiy  rezist  nurlatilganda  polimerning  kuchayishi  sodir  bo‘ladi,  va 

polimerning  nurlanishga  tortilmagan  qismi  chiqarib  tashlanadi.  Bunda  rezistiv 

---

245 

 

qatlamda  boshlang‘ich  niqobning  invertirlangan  rasmi  qoladi.  Rezist  bilan 

himoyalanmagan  zonalardan  kremniy  oksidini  chiqarib  tashlash  uchun  kimyoviy 

yoki  boshqa  biror  to‘g‘ri  keladigan  uslub  qo‘llaniladi  (4.42E-  rasm).  Jarayonning 

oxirida rezist chiqarib tashalanadi va tayyor struktura qoladi. (4.42F- rasm).