Axborotni saqlash va uzatishning zamonaviy texnologiyalari

Arxitekturasi I-NE (NAND) elementiga asoslangan flesh xotira qurilmalari
Bunday flesh-xotira turlarining asosida I-NE (NAND) tranzistor elementlari yotadi.
Ishlash tamoyili NOR turiga o‘xshash bo‘lib, faqat yacheykalarning joylashishi va kontaktlari bilan farqlanadi. Shu sababli har bir yacheykaga alohida individual kontakt o‘rnatish talab qilinmaydi, shu tufayli NAND chipining hajmi va narxi ancha arzonlashadi. Shuningdek, bunday chiplarda yozib olish va axborotni o‘chirish jarayoni ancha tezlik bilan amalga oshiriladi.
Flesh-xotiraning paydo bo‘lish tarixi
Flesh xotira qurilmasini 1984 yilda Toshiba firmasining xodimi Fudzi Masuoka ixtiro etgan. «Flesh» nomini ham shu firmaning boshqa bir xodimi Syodzi Arizumi o‘ylab topgan. Bunday nomni u xotiradagi ma’lumotlarni o‘chirish jarayoni fotochaqmoqqa (ingl. flash) o‘xshaganligi sababli tavsiya qilgan. Masuoka o‘z ixtirosini Kaliforniya shtatining San-Fransisko shahrida o‘tkazilgan xalqaro anjumanda (IEEE 1984 International Electron Devices Meeting) namoyish etgan. Intel kompaniyasi 1988 yilda ilk bor flesh xotira chiplarining NOR turini sotuvga chiqgan.
Flesh-xotiralarning NAND-turi Toshiba firmasi tomonidan 1989 yilda International Solid-State Circuits Conference’da e’lon qilindi. Bunday turdagi-flesh xotira qurilmalari katta yozish tezligiga va chiplarning ixchamroq maydoniga egaligi bilan ajralib turar edi. NAND turiga oid flesh-xotiralarni standartlashtirish bilan Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI) kompaniyasi shug‘ullanadi. Qabul qilingan standart sifatida 2006 yil 28 dekabrda chiqarilgan. ONFI 1.0 turdagi flesh-xotiraning ixtisoslashtirilgan versiyasi hisoblanadi. ONFI guruhi NAND chiplarning Intel, Micron Technology va Sony kabi yirik ishlab chiqaruvchilari tomonidan qo‘llanib turadi.
Flesh-xotiralarning ko‘rsatkichlari
Ba’zi bir yaratilgan flesh-xotira qurilmalarida axborotni qayta ishlash tezligi 100 Mb/s gacha yetkazilgan. Odatda flesh-kartalar ko‘p turdagi tezliklarga ega bo‘ladi va standart CD (150 Kb/s) bilan belgilanadi. Shunday qilib, 100 x deb ko‘rsatilgan tezlik 100 x 150 Kb/s = 15 000 Kb/s = 14.65 Mb/s ni bildiradi.
2005 yili Toshiba va SanDisk kompaniyalari 1 Gb axborot sig‘dirish hajmiga ega bo‘lgan NAND chiplarining taqdimotini o‘tkazishgan. Ularda ko‘p pog‘onali yacheyka texnologiyasi asosida ishlangan bo‘lib, bir tranzistor bir necha bit axborotni “suzuvchan” qulfdagi elektr zaryadlarining turli darajalarini qo‘llagan holda saqlashi mumkin edi.
Samsung kompaniyasi 2006 yil sentabr oyida 40 nm texnologik jarayon asosida bajarilgan 8 Gb chip taqdimotini o‘tkazgan. 2007 yilning so‘nggi pallalarida Samsung kompaniyasi dunyoda ilk marotaba flesh xotira modullarining NAND turiga mansub bo‘lgan MLC (multi-level cell) chipini yaratilganligi to‘g‘risida axborot bergan. Bunday chip 30-nm texnologik jarayonda bajarilgan edi.
Xotira qurilmalarda xotira hajmini oshirish uchun ko‘pincha bir necha chiplardan iborat massivlar qo‘llaniladi. 2007 yil o‘rtalariga kelib USB flesh xotira qurilmalar va flesh xotira kartalarining axborot sig‘dirish hajmi 512 Mb dan 16 Gb gacha o‘sib keldi.