Avtomatlashtirish va boshqarish

Yorug‘lik oqimining turli qiymatlarida 
fotodiod VAXining o'zgarishi. 
Yoritilganlikning keng chegarasida fototok bilan yorug‘lik oqimi orasidagi 
bog‘lanish amalda chiziqli bo'ladi. 
Proporsionallik koeffitsienti: 

𝐊
𝐅
=

𝝏𝑰
𝑭
𝝏𝑭
(3) 

---

26 
O
’
zga
r. 
Vara
q 
Hujjat 
№
 
Imzo 
Sana 
Varaq
qq 
 
 
NDKI EMF 5311000 
–
TJA 
 
bir necha mA/lm ni tashkil etadi va 
fotodiodning sezgirligi
deb ataladi. Fotodiodlar 
turli o'lchash qurilmalarida hamda optik tol-ili aloqa liniyalarida yorug’lik oqimini 
qabul qiluvchilar sifatida ishlatiladi. 
Fotodiodning fotodiod rejimidan tashqari fotovoltaik rejimi keng ishlatiladi. 
Ushbu rejimda fotodiod tashqi elektr manba ulanmagan holda ishlatiladi va yorug'lik 
(quyosh) energiyasini bevosita elektr energiyaga o'zgartirish uchun qo'llaniladi. 
Kirish optik signallarni elektr signallariga aylantirish uchun fotoqabulqilgichlar 
qoʼllaniladi. Soʼng bu signallar fotoqabulqilgichni elektr qurilmalarida kuchaytiriladi va 
qayta ishlanadi. Bu maqsadlar uchun qoʼllaniladigan fotoqabulqilgichlar talab etiladigan 
polosa kengligiga, dinamik diapazonga, sezgirlikka, tola bilan puxta bogʼlanish uchun 
yetarli oʼlchamga ega boʼlishi, tashqi muhit oʼzgarishlariga sezgir boʼlmasligi, xizmat 
muddati esa yuqori boʼlishi kerak. Bu talablarga yarim oʼtkazgich fotodiodlar (FD) 
toʼliqroq javob beradi. 
Yarim oʼtkazgich FD ishi ichki fotoeffektga asoslangan boʼlib, bunda yorugʼlik 
fotonini yutilishidan yangi zaryad tashuvchi juftliklari-elektron va kovaklar hosil 
boʼladi. Yaʼni foton atom boʼlib yutilib, elektronlarni qoʼzgʼatadi va elektronlarni 
valentlik zonasidan oʼtkazuvchanlik zonasiga (shaxsiy yutilish) yoki aralashmali 
sathdan oʼtkazuvchanlik zonasiga (aralashmali yutilish) oʼtkazadi. Bu oʼtishlar elektr 
signallarni shakllanishiga sharoit yaratib, yarim oʼtkazgichning elektrik 
xarakteristikalarini oʼzgartiradi. Yuqori tezkorlik va tushaѐtgan nurni samarali yutilishi 
aralashmali yutilish samarasi bilan bogʼliq. Shu sababli hozirda OА tizimlari uchun 
fotodiodlar aralashmali materiallar asosida tayyorlanadi. 
Fotodiod noyob ultrabinafsha nurlarga sezgir InGaAs fotodetektorlarining yana bir 
turi 350 dan 1700 nm gacha bo'lgan diapazondagi lazer impulslarini aniqlash uchun 
ishlatilishi mumkin, bu esa eng keng spektrli diapazonga va eng yuqori tezlikka 
erishishga imkon beradi. 

---

O
’
zga
r. 
Vara
q 
Hujjat 
№
 
Imzo 
Sana 
Varaq 
 
NDKI EMF 5311000 
–
TJA 
 
S9295 fotodiod SI fotodiodlar oilasiga kiradi.