Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

Параметр	Для СЭ моделир	Для СЭ эксп.	Др. источ.	Для блока СЭ	Др. источ.	Для плоской панели
Др. источ.
Для монокристаллического кремния
1	dJкз/dТ (mA/^oC)	-0,00067	+6,5	+4,0	-0,003	×	-0,0011	×
2	dUхх/dТ (mV/^oC)	-2,56	-2,45	-2,3	-1,56	×	-2,56	×
3	dFF/dТ (1/^oC)	-0,0012	-0,12	-0,12	-0,02	×	-0,02	×
4	dŋ/dТ (1/^oC)	-0,0128	-0,024	-0,05	-0,029	×	-0,034	×
Для поликристаллического кремния
5	dJкз/dТ (mA/^oC)	×	-0,004	+6,38	×	×	-0,0021	×
6	dUхх/dТ (mV/^oC)	×	-2,85	-2,91	×	×	-5,60	×
7	dFF/dТ (%/^oC)	×	-0,022	-0,12	×	×	-0,03	×
8	dŋ/dТ (%/^oC)	×	-0,021	-0,05 %	×	×	-0,047	×

По результатам анализа ВАХ определены температурные коэффициенты основных фотоэлектрических параметров СП, изготовленных на основе моно- и поликристаллического кремния. Учитывая данные по моделированию кремниевых СЭ (3 глава), измерения ВАХ отдельных СЭ, блоков СЭ и солнечных панелей составлена общая таблица 4.
Сопоставлением данных табл. 3 с данными, определенными по результатам моделирования кремниевого СЭ (глава 3) можно заметить, что температурные коэффициенты несколько отличаются от данных, приведенных в известных работах. Это связано со следующими физическими соображениями. Во-первых, температурные коэффициенти моделированных СЭ на много меньше, чем экспериментальные данные. Это связано тем, что толщина моделированного СЭ слишком маленкая, из-за чего большая – видимая и инфракрасная часть солнечного излучения по спектру не поглощается в кремнии. По-видимому, обычно наблюдаемое в СЭ увеличение значений фототока с ростом температуры связано именно с этим. Во-вторых, сопоставлены изменения основных фотоэлектрических параметров моно- и поликристаллических кремниевых СЭ, научно обоснованы их различия с учетом их оптических и тепловых свойств. В-третьих, в данной работе определены особенности их поведения в условиях длительного солнечного освещения. Разработаны практические рекомендации по эксплуатации промышленных солнечных панелей. В четвертых, выявлены особенности изменения основных фотоэлектрических параметров моно- и поликристаллических кремниевых СЭ в условиях вариации плотности солнечного освещения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
По результатам комплексного исследования путем использования современного цифрового приборно-технологического моделирования и экспериментального анализа влияния изменения температуры на электрофизические свойства кремния и основные фотоэлектрические характеристики р-п-структур, созданных на его основе, выявлены некоторые новые физические особенности и сформулированы следующие основные выводы:
1. Составлены комплексные номограммы изменения электропроводности, кинетических параметров носителей заряда, ширины запрещенной зоны кремния и фотоэлектрических параметров кремниевых р-п-структур с различными исходными уровнями легирования (10¹⁴÷10¹⁸ см^-3) в зависимости от температуры окружающей среды в диапазоне 250 ÷ 350 К.
2. Впервые определены зависимости эффективной массы электронов и дырок в эмиттерном и базовом слоях кремниевых структур, которые интерпретируются в рамках теории физики полупроводников.
3. Определены особенности изменения ВАХ современных кремниевых фотоэлектрических р-п-структур, ее основных фотоэлектрических параметров при изменении температуры и установлена удовлетворительная взаимная корреляция данных, полученных методами моделированного численного расчета и выполненного эксперимента.
4. Определен физический характер воздействия наночастиц металлов с оптимальными параметрами по форме, размера, плотности распределения и вида металла, внедренных в эмиттерную область кремниевой р-п-структуры на ее температурные характеристики.
5. Предложено, разработано и внедрено новое устройство на базе стандартизованной измерительной системы “Sinton Instrument Suns-Voc”, позволяющее экспериментально исследовать в автоматическом режиме влияния изменений температуры на основные фотоэлектрические характеристики полупроводниковых структур с р-п-переходом.
6. Предложена и разработана программная система “STTemperature”, основанная на использовние современной программной “С#9,0” технологии, позволяющая обрабатывать результаты расчета международной системы “PVlighthouse” , получить в универсальном и комплексном “Exсell” виде для научного анализа.
7. Предложен и научно обоснован новый способ стимуляции умеренной температуры кремниевых фотоэлектрических преобразователей энергии за счет эффективной утилизации теплоты конвекцией воды и ее диффузионного испарения при помощи новых технических решений. Предложена конструкция полупроводникового фотоэлектрического преобразователя энергии с новой более эффективной системой охлаждения, обеспечивающая рабочую температуру не более 313 К.

SCIENTIFIC COUNCIL DSc.03/30.21.2019.FM/T.01.12 ON THE AWARDING ACADEMIC DEGREES AT THE SCIENTIFIC RESEARCH INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS AND MICROELEC-TRONICS OF THE NATIONAL UNIVERSITY OF UZBEKISTAN