Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

dJsc /dt (mA / sm^2^оC)	dFF/dt (1 / ^оC)	dPm/dt (mW/sm^2^оC)
dŋ/dt (1 / ^оC)
Si	-2,56	-0,00067	-0,0012	-0,0128	-0,0128
Si (Pt)	-2,56	-0,0079	-0,0012	-0,0290	-0,0290

Сопоставление определенных в данной работе температурных коэффициентов основных фотоэлектрических параметров кремниевых структур с данными экспериментальных работ свидетельствует об их удовлетворительном соответствии. При этом необходимо отметить, что температурные коэффициенты основных фотоэлектрических параметров кремниевых структур, содержащих наночастиц металлов dV_oc/dt, dJ_sc/dt, dFF/dt, dP/dt и dŋ/dt определены впервые.
Как известно, для кремниевых СЭ воздействие температуры на плотность тока к. з. незначительно. Однако, полученные в настоящей работе результаты свидетельствуют о том, что присутствие в объеме кристалла кремния наночастиц металлов вызывает существенное увеличение величины (более одного порядка) dJ_sc/dt = -0,0079 mA/sm² , причем, данная зависимость представляет собой прямолинейную функцию. Такое различие, по-видимому, связано с характером изменения фотопроводимости кремния за счет возрастающей с температурой темпа термоэлектронной эмиссии электронов из наночастиц металла.