Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

Целью исследования является определение и обоснование оптимального диапазона изменений температуры, обеспечивающих более эффективное фотоэлектрическое преобразование р-п-структур на основе моно- и поликристаллического кремния.
Задачи исследования:
определение особенностей изменения кинетических параметров и концентрации собственных и примесных носителей заряда, электрофизических параметров кремния, механизмов переноса заряда через р-п-переход и уровня накопления их омическими контактами в определении характера поведения основных фотоэлектрических параметров кремниевых фотоэлектрических преобразователей в условиях вариации температуры;
определение динамики изменения ВАХ современных кремниевых фотоэлектрических р-п-структур, их основных фотоэлектрических параметров при изменении температуры методами моделированного численного расчета и эксперимента;
определение физического характера воздействия наночастиц металлов, внедренных в эмиттерную область кремниевой р-п-структуры на ее температурные характеристики;
-разработка и внедрение нового устройство на базе стандартизованной измерительной системы “Sinton Instrument Suns-Voc”, позволяющее экспериментально исследовать в автоматическом режиме влияния изменений температуры на основные фотоэлектрические характеристики полупроводниковых структур с р-п-переходом;
разработка программной системы, позволяющей обрабатывать результаты расчета международной системы “PVlighthouse” и получит их в универсальном и комплексном “Exсel” виде для научного анализа.
научное обоснование нового способа стимуляции умеренной температуры кремниевых фотоэлектрических преобразователей энергии за счет эффективной утилизации теплоты конвекцией воды и ее диффузионного испарения при помощи новых технических решений.
Объектом исследования являются основные фотоэлектрические характеристики фоточувствительных р-п-структур на основе моно- и поликристаллического кремния при вариации их температуры.