Amorf yarimo`tkazgichlar

Amorf yarimo`tkazgichlar

Yunoncha ”amorfos” so’zi shaklsiz degan ma’noni beradi. Kristallardan farqli ravishda amorf moddalarda atomlar joylashishida qat’iy tartib bo’lmaydi (buni boshqacha qilib uzoq tartib yo’q deyiladi). Ammo, amorf holatdagi moddalarda qo’shni atomlar (ionlar, molekulalar) moslashib joylashgan bo’ladi. Buni yaqin tartib deyiladi. Masofa ortishi bilan mazkur moslashuv kamayib boradi va bir necha panjara doimiysi chamasidagi masofada yaqin tartib yo’qoladi.
Amorf yarim o’tkazgichlar sinfiga kovalent bog’lanishli moddalar (amorf holatdagi kremniy, germaniy va boshqalar), xalkogenid shishalar (masalan, As31Ge30Be2Te18) va oksid shishalar (masalan, V2O5-P2O5) kiradi.
Amorf yarimo’tkazgich shisha (S, Se, Te larning R, As, Sb, Bi, Ge, Si, Sn lar bilan turli birikmalari — xalkogenidlar) uchun quyidagi sxema taklif qilingan (3.3a, b, v rasm): taqiqlangan sohadagi mahalliy holatlar o’tkazuvchanlik va valent sohalar «dumlari» dan iborat, chegaraviy holatlar zichligi Nc mahalliy holatlar sohasini nomahalliy holatlar sohalaridan ajratib turadi (bu chegaralar Eυ va Ec va tariqasida belgilangan). NYetarlicha yuqori temperaturalarda nomahalliy sathlarga ega bo’lgan (ruxsat etilgan) sohalardagi (N>Nc) zaryad tashuvchilar ko’chishi elektr o’tkazuvchanlikni aniqlaydi:
Ammo, temperatura pasayib, qandaydir T=Tm bo’lib qolganda elektronlar mahalliy sathlarga o’tib oladi va elektr o’tkazuvchanlikni, asosan, sakrama o’tishlar aniqlaydi, uning haroratga bog’lanishi
ko’rinishda bo’ladi, bundagi TM ni Mott harorati deyiladi. TM faollashtirish o’tkazuvchanligidan sakrama o’tkazuvchanlik holiga o’tish haroratidir.
Amorf yarimo’tkazgichlar kristallarda bo’lmagan ba’zi xossalarga ega. Bunga qayta ulanish hodisasi misol bo’ladi: amorf yarim o’tkazgichda elektr maydoni hosil qilinganda uning elektr o’tkazuvchanligi bir necha tartib qadar kuchli o’zgarishi mumkin. Bu o’zgarish kaytuvchan va juda tez yuz beradi. Qayta ulanish - kam o’tkazuvchanlikdan katta o’tkazuvchanlikka va aksincha o’tish vaqti 10-9-10-10 s chamasida bo’ladi. Bu aytilganlar amorf yarimo’tkazgichlarning amalda muhim qo’llanishlari imkoniyatlari borligidan dalolat beradi
Yuqorida amorf moddalarning yarimo’tkazgich xossalariga ega bo’lishligi aytilmagan edi. Bunday moddalarning bir necha xil guruhlari bor: kovalent amorf yarimo’tkazgichlar (amorf holatdagi Ge va Si, GaAs va boshqalar), oksid shishalar (V2O5-P2O5), xalkogenid shishalar (AS31Ge30Se21Te30), dielektrik pardalar (SiO2, Al2O3, Si3N4 va boshqalar). Amorf yarimo’tkazgichni kuchli darajada kompensirlangan yarimo’tkazgich deb qarash mumkin, bunda o’tkazuvchanlik sohasi “tubi” va valent sohaning “shifti” fluktuatsiyalanadi, ular taqiqlangan soha Eg kengligi tartibida bo’ladi. O’tkazuvchanlik sohasida elektronlar va valent sohasidagi kovaklar yuqori to’siqlar bilan ajralgan potensial chuqurlarda joylashgan “tomchi”larga bo’linib ketadi. Past temperaturalarda amorf yarimo’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligi mahalliy holatlar orasida sakrama tarzda bo’ladi (sakrama o’tkazuvchanlik). Yuqoriroq temperaturalarda amorf yarimo’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligini elektronlarning umumlashgan holatlariga issiqlik harakati energiyasi evaziga o’tkazilishi aniqlaydi. Amorf yarimo’tkazgichlarning bir qator ajoyib xossalaridan turli amaliy maqsadlarda foydalanish mumkin. Xalkogenid shishalar spektrining infraqizil (IQ) sohasida shaffof bo’lganligi, yuqori elektr qarshilikka va fotosezgirlikka egaligi tufayli televizion trubkalarning elektrofotografik plastinkalarini tayyorlashda va gologrammalarni yozishda qo’llaniladi.
E`tiboringiz uchun raxmat!