AMALIY MASHG’ULOT № 8
MAVZU: Tranzistorli kuchaytirgichlarni hisoblash
YArim o‘tkazgichli diodlarning tuzilishi, klassifikatsisi va belgilanish sistemalari
YArim o‘tkazgichli diod yarim o‘tkazgichning kristali hisoblanib, unda texnologik usullardan biri qullanilib, elektrik p-r - o‘tish hosil qilingan. Kristalda bu p-r- o‘tishni hosil qilgan ikki soha chegaralariga tok o‘tkazuvchi simlardan tayyorlangan chiqqichlar eritib yoki kavsharlab ulanadi. Diodning hamma sistemasi shisha, metall, sopol
1-rasm. YArim o‘tkazgichli doidlarning ko‘rsatilgan grafik belgilanishi.
yoki maxsus presslangan smoladan tayyorlangan korpusga joylashtiriladi. n-p- o‘tishning konstruksiyasiga qarab yarim o‘tkazgichli diodlar nuqtaviy kontaktli va yassi diodlarga bo‘linadi. 1- rasmda diodlarning shartli grafik belgilanishlari ko‘rsatilgan. GOST 10862—72 ga muvofiq diodlarning markirovkasi olti elementdan iborat buladi. Birinchi element (harf yoki raqam) dastlabki foydalanilgan material ni bildiradi: G yoki 1 —germaniy: K yoki 2 — kremniy: A yoky 3 — galliy arsenid.
Ikkinchi element (harf) diodning tipini kursatadi: D — umumiy diodlar, I — tunnelli, S — stabilitronlar, V — varikaplar, S— to‘g‘rilovchi ustunchalar, A —yorug‘lik diodlari va hokazo.
Uchinchi element — son, diodning xususiyatini aniqlaydi. Bu son quyidagilarni bildiradi:
To‘g‘rilagich diodlarda: 1 — kam quvvatli, to‘g‘ri tokning o‘rta-cha qiymati 0,3 A dan ortmaydi; 2 — o‘rtacha quvvatli, Ito‘g‘ 10 A; 4 — universal, ish chastotasi 103 mGs gacha.
YUkrri chastotali diodlarda: 1 — aralashtirgichli; 2 — de-tektorli; 7 — generatorli.
Impulsli diodlarda: ularda raqamning uchinchi elementi shart-li ravishda teskari qarshilikni tiklashga ketgan vaqtni kursatad:
5—150 ns dan kup; 6—30 dan 150 ne gacha; 7—5 dan 30 ns gacha; 8—1 dan 5 ns gacha; 9—1 ns dan kam.
Tunnelli diodlarda: 1 — kuchaytirgichli; 2 — generatorli.
Stabilitron diodlarda: uchinchi element quvvat indeksini belgilaydi. Turtinchi va beshinchi elementlar (sonlar) diodlarni if ishlab chiqilish tartibini (01 dan 99 gacha) belgilaydi. Oltinchi element (harf) diodning turlarini aniqlaydi.
Masalan. «GD 412 A» quyidagicha o‘iqiladi: G — germaniyli, D— yarim utkazgichli
diod, 4 — universal, 103 mGs ish chastotasigacha, SH: 12 — ishlab chiqilish nomeri; A — A gruppasi. YOki KS168B — kremniyli yarim utkazgichli stabilitron, quvvati 0,3 Vt dan kam, stabili-zatsiya kuchlanishi 10 V gacha, B — gruppa.
2. Past chastotali to‘g‘rilagich diodlar va ustunchalar*
Ular turli turrilagich sxemalarda ishlatiladi. Buning uchun qotishtirish yoki diffuzion usul bilan olingan n-p- utishli yassi germaniyli va kremniyli diodlar, shuningdek, to‘g‘rilagich ustun-chalardan keng foydalaiiladi. Ularning hammasi katta yuzli n-p-utishga ega bulib, to‘g‘ri yunalishda katta toklar (50 A va undan kup) utkazish xususiyatiga ega. 2- raemda yassi turrilagichli diodlarning volt amper xarakteristikasi (VAX) ish temperaturasiga bog‘liq; holda kursatilgan. Bunday diodlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi:
Davr ichidagi urtacha to‘g‘ri tok — Io‘r TO‘F;, (A);
Urtacha to‘g‘ri kuchlanish Ufp Tff. (V) ;
Ruxsat etilgan maksimal teskari kuchlanish — £/tes , (V);
Uzgarmas teskari tok — /tes (mkA);
Ruxsat berilgan maksimal to‘g‘rilangan tok — Imak, (A).
3. YUqori chastotali aralashtirish va detektorlash diodlari
Aralashtirish diodlari yuqori chastotali elektr signallarning chastotalarini uzgartirish uchun, detektorlash diodlari esa ularni detektorlash uchun muljallangan. Ularning konstruksiyalari elek-trodlararo juda kichik sirimlarni olishga imkon beradi, buning natijasida bu asboblar juda yuqori (109.mGs gacha) chastotalarda ham ishlashi mumkin. Kontakt maydonining kichikligi tufayli ular-dagi to‘g‘ri tok mivdori ancha kichik bo‘ladi. 5.10 - rasmda yukrri chastotali diodlarning konstruksiyasi va VAX keltirilgan.
4. Tunnelli diodlar
Tunnelli diodlarning uziga xos xususiyatlari shundaki, ular elektr signallarini tranzistorlar kabi kuchaytirib berishi mumkin. Bu hol ular VAXining tugri qismida manfiy qarshilikli uchastka borligi bilan tushuntirnladi. Kichik utish kengligiga mos keladigan p va r qatlamlarning kichik solishtirma qarshilikka ega bulishi tunnelli
2- rasm. To‘g‘rilagich doidlar va ustunchalar:
a — kavsharlangan kamquvvatli kremniyli diod; 1 — vivod, 2 — shisha izolyator, 3 — korpus, 4— kristall tutkich, 5 — alyuminiy sim, 6 — kristall, 7 — kavshar; b — quvvatli to‘g‘rilagich diod; 1— vivodlar, 2— shisha izolyator, 3 — korpus, 4 — kristall, 5 — kavshar, 6 — kristall tutkich; v— to‘g‘rilagich ustuncha, germaniy (g) va kremniyli (d) yassi to‘g‘rilagich diodlarininr ish temperaturaga bog‘lik. bo‘lgzn VAX.
3-rasm. Aralashtirgich va detektorli diodlar:
a — germaniyli diod; 1 — metall igna; 2 — kristall, 3 — keramik korpus, 4 — v i vod-flanets,;
b — kremniyli yusrri chastotali; 1—kristall» 2 — volframli igna, 3 — shisha korpus,
4 — vivodlar; v — diodning volt-amper xarakteristikam.
diodlarning boshqa diodlardan farqlanuvchi xususiyati hi-soblanadi. Qatlamlardagi aralashmalar konsentratsiyasi 10-19 sm-3 va undan kupni tashkil qiladi. Bunda yarim utkazgich «ayniydi» va yarim metallga aylanadi. Tunnelli diodlarda aralashmali atomlarning sathlari asosiy zona satlamlariga moe keluvchi zonalar bilan birlashib ketadi (donorlilar — utkazuvchanlik zonasi bilan, akseptorlilar — valentli zona bilan). Tunnelli diodlarning konstruksiyasi va VAX si 4-rasmda kursatilgan. Tunnelli diodlar ish rejimiga qarab kuchaytirgichli, generatorli va almashlab ulaydigan turlarga bulinadi.
5. Stabilitronlar
Kuchlanpshnn stabillash va cheklash uchun muljallangan yarim utkazgichli diod stabilitron deyiladi. Ularni tayyorlashda n-p. utishlarni qotishtirish va diffuzion usullar bilan olish keng qullaniladi.
Do'stlaringiz bilan baham: |