A. X. Sulliyev, I. M. Bedritskiy, O. T. Boltayev

Yarim о‘tkazgichli diodlar

Zamonaviy texnika sohalarida qо‘llaniluvchi elektron qurilmalar asosan yarim о‘tkazgichli diodlar va bir nechta о‘tishli asboblardan tashkil topgan. Bunga yarim о‘tkazgichli asboblarning о‘lchamlari va vazni kichikligi, foydali ish koeffitsiyentining yuqoriligi, uzoq muddat xizmat qilishi va yuqori chidamligi kabi afzalliklarga egaligi asos bо‘lgan.

Yarim о‘tkazgichli diod bu bitta elektr о‘tish (r-n о‘tish) li va yarim о‘tkazgichga jipslashtirilgan metalldan chiqarilgan ikki chiqishga ega asbobdir.

Elektr о‘tish asosan ikki turdagi elektr о‘tkazuvchanlikka ega aralashma (r- yoki n- tipdagi) orasida hosil bо‘ladi. Bu sohalardan biri (kichik qarshilikli) emitter, boshqasi (yuqori qarshilikli) baza deyiladi.

Bazan elektr о‘tkazuvchanlik r- yoki n- tipdagi yarim о‘tkazgich bilan metall orasida hosil qilinadi va bunday о‘tish metall yarim о‘tkazgich tutashuvi deyiladi.

Diodlar turli belgilarga kо‘ra sinflanadi: yarim о‘tkazgich materialiga kо‘ra kremniyli, germaniyli, galliy arsenidli, selenli; ishlash asosini belgilab beruvchi jarayonlar tabiatiga kо‘ra tunelli, fotodiodlar, yorug‘lik diodlari va h.k.; qо‘llanilish maqsadlariga kо‘ra tо‘g‘rilovchi, impulsli, stabilitronlar, varikaplar va h.k.; elektr о‘tishni tayyorlash texnologiyasiga qо‘ra eritish, diffuziya va h.k.; elektr о‘tish tipiga kо‘ra nuqtali va yassi. Ular ichida eng asosiysi elektr о‘tish turiga va qо‘llanilish maqsadlariga kо‘ra sinflanishidir.

Hozirgi vaqtda keng qо‘llanilayotgan diodlar selen, germaniy, kremniydan yasalgan bо‘lib, galliy arsenididan va fosfididan diodlar tayorlash kelajagi porloq ekanligi tasdiqlangan.¹³⁷

¹³⁷ T.K. Basak. Electrical engineering materials. New Age Intenational, Nil edition. USA, 2009. 172-bet

Selenli diod dumaloq disklar (shaybalar) yoki tо‘g‘ri burchakli plastinkalar kо‘rinishida yasalgan tо‘g‘irlagich plastinkalardan yig‘iladi. Bu plastinkalarni ketmaket yoki parallel ulab, talab qilingan quvvatli tо‘g‘irlagich ele-menti hosil qilinadi.