А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

8.2–расм
босими етарлича юқори бўлганда бажарилса, у ҳолда Ge нинг сиртий 
ўтказувчанлиги энг кичик қийматигача пасайиб, сўнг яна орта бошлайди 
Минимумнинг борлиги оксиген адсорбланишида сиртий ўтказувчанлик р – 
турдан n – турга ўтганлигини кўрсатади. Ўтказувчанлик тури ўзгариши 
майдон эффекти ҳаракатчанлиги ишорасини ўзгартиради.
Сиртий ўтказувчанлик катталиги бўйича фазовий заряд соҳасидаги 
коваклар ортиқча зичлиги қийматини баҳолаш мумкин (~10
8
см
–2
). 
Германийнинг атомар тоза сиртида зоналар эгилиши (юқорига) шунча 
каттаки, Ферми сатҳи валент зонага кириб қолади. Бу коваклар газининг 
айниши демакдир. Мазкур эгилиш сиртий сатҳларда анча манфий заряд 
ўринлашганлигини билдиради, яъни бу сатҳлар акцепторлар бўлади. Майдон 
эффекти ўлчашларидан уларнинг зичлиги учун 10
12
см
–2
, баъзан 4·10
14
см
–2
гача қийматлар аниқланган. 
Кремнийнинг атомар тоза сирти кейинроқ тадбиқлана бошлаган, аммо, 
бу тадқиқотлар кўлами жуда тез кенгайган ва чуқурлаша бошлаган. 
Кремнийда олинган натижалар германийдагидан анча фарқ қилган. Ҳусусан, 
ёришдан 
ҳосил 
қилинган 
сиртли 
кремний 
намунасининг 
сиртий 
ўтказувчанлиги n – тур экан, шунингдек, атомар тоза сиртли кремний 

---

69 
асосидаги 
p–n–p 
транзистор 
тузилмаларида 
инверсион 
қатламлар 
кузатилмаган.
Сиртий сатҳлар зичлиги жуда катта бўлгани учун майдон эффектини 
ўлчаш анча қийин бўлган. Кремнийнинг сиртий ўтказувчанлиги сиртга 
оксиген адсорбланганда, Gе дагига нисбатан, анча кам ўзгаради. 
 
 
8.4.2. Атомар тоза сиртдан чиқиш ишини ўлчашлар 
 
8.2. бандда баён қилинган учта усул билан олинган германий 
кристаллари учун чиқиш иши W катталиклари бир бирига яқин (W=4,66-
4,80эВ). 
n –тур ва р – тур кристаллар учун W кам фарқ қилади. Бу ҳол 
ажабланарли. Бу эффект германийда ҳам кремнийда ҳам кузатилган. Бу 
эффект талқини шуки, n –тур ва р – тур кристаллар сиртида катта зичликдаги 
энергия сатҳлари мавжуд бўлиб, зоналар эгилиши ўзгарганида уларнинг 
тўлдирилганлиги кучли даражада ўзгаради. Ҳақақатдан, чиқиш иши Ферми 
сатҳи вазиятига ҳам, потенциал тўсиқ (электрон учун !) катталигига ҳам, 
сатҳлар тўлдирилганлигига ҳам боғлиқ. 
Киришмалар киритишда (легирлашда) сиртий сатҳларга нисбатан 
Ферми сатҳи вазияти ўзгаради, сиртдаги заряд миқдори ҳам ўзгаради, 
натижада сирт яқинида зоналар эгилиши ўзгаради. Зоналар эгилишининг бу 
ўзгариши n –тур ва р – тур кристалларидаги Ферми сатҳи вазияти фарқини
тенгшайди.