A. Qodiriy nomli Jizzax Davlat Pedagogika Instituti “Fizika-astranomiya” yo‟nalishining 4-kurs talabasi Abdullaxatov Diyorning

TRIOTLARNING ISHLASH QONUNIYATLARINI NAZARIY RAVISHDA 
O‟RGANISHDA AXBOROT TEXNOLOGIYALARDAN FOYDALANISH 
2.1. Yarim o‘tkazgichlarning umumiy xususiyatlari……………………………...16 
2.2. Yarimo‘tkazgichlarni o‘rganish…………………………………………….21 
2.3. Yarimo‘tkazgich materiallari elektr tokini hosil bo‘lishini nazariy asoslarini 
o‘rganish.…………………………………………………………………………26 
2.4. Fizikani o‘qitishda axborot texnologiyalaridan foydalanish imkoniyatlari va 
istiqbollari...........................................................................................................29 
2.5
. 
Fizika darslarida axborot texnologiyalaridan foydalanish yo‘llari……….45 
Xulosa…………………………………………………………………………….48 
Adabiyotlar ro‟yxati……………………………………………………………..49 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

 
 
KIRISH 
Mavzuning dolzarbligi:
Tranzistorlar ikkita 
p-n
–o‘tish xossalariga 
asoslangan bo‘lib, 
p-n-p –
yoki 
n-p-n –
stukturali bo‘ladi. Ular tayyorlanishiga qarab 
yassi yoki nuqtaviy bo‘lishi mumkin. Hozirgi vaqtda asosan yassi tranzistorlar 
ishlab chiqariladi. Tranzistorlar ishchi chastotasiga qarab past (3+30 MГц), yuqori 
(30+300 MГц) va o‘ta yuqori (300 MГц dan yuqori) chastotali bo‘lishi mumkin. 
Tranzistor qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik (0,3 Vt gacha), o‘rta (0,3-
3 Vt) va katta (3 Vt dan yuqori) quvvatli bo‘ladi. 
Yarim o‘tkazgichli yassi transistor uchta – 
emitter, baza va kollektor 
deb 
ataluvchi sohalardan iborat bo‘lib, ular orasida ikkita 
p-n
- o‘tish mavjud. O‘rtadagi 
sohaning 
elektr 
o‘tkazuvchanligiga 
ikki 
chetki 
sohalarning 
elektr 
o‘tkazuvchanligiga qarama-qarshi bo‘ladi. Tranzistor aktiv rejimda ishlayotganda 
bitta 
p-n
– o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilib, ikkinchi 
p-n
-o‘tishga teskari 
yo‘nalishda kuchlanish berilgan bo‘ladi.
a 
rasmda 
p-n-p
strukturaga ega bo‘lgan 
yassi tranzistorning aktiv rejimda tashqi zanjirga ulanish shemasi ko‘rsatilgan. 
Emitter o‘tishga qo‘yilgan to‘g‘ri kuchlanish uncha katta bo‘lmaydi. 
Kollektorga yetarlicha katta teskari kuchlanish qo‘yiladi. p-n-p tranzistorda emitter 
– baza orasidagi to‘g‘ri kuchlanishning bir oz orttirilishi natijasida baza sohasiga 
kiritilgan kovaklarning bir qismi bazada rekombinatsiyalanadi, bir qismi esa baza- 
kollektor o‘tishiga yetib boradi. Bu kovaklar baza- kollektor o‘tishidagi teskari 
tokning ortishiga olib keladi. Kollektor o‘tishga va unga ketma-ket ulangan 
qarshilikka beriladigan kuchlanish ancha katta qiymat ga ega. Demak, transistor 
yordamida kelayotgan kichik quvvatli signalni katta quvvatli signalga aylantirish 
mumkin ekan. Bu – transistorlarni kuchaytirgich sifatida ishlatish mumkinligini 
ko‘rsatadi. 
Yarim o‘tkazgichli tranzistorlarning ishlashini vakuumli uch elektrodli 
elektron lampalarga qiyoslash mumkin. Bunda emmiter katod rolini, o‘ynaydi, 
to‘rning o‘rnida esa baza bo‘ladi. Emmiter, baza va kollektor sohalarining qaysi 
biri kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lishiga qarab, tranzistorning 
zanjirlari uchun umumiy bo‘lishiga qarab, tranzistorning zanjirga uch xil ulanishi 
mavjud: umumiy emitter, umumiy baza, umumiy kollektor. 
Kovoklarning emmiterdagi 
I
эр 
toki ularning kollektordagi 
I
кр 
toki bilan 
bazadagi 
I
бр
rekombinatsion toklarining yig‘indisiga teng, ya‘ni: 
I
эр 
=
 I
бр
+
I
кр 
. 
Bazadagi rekombinatsion tok qancha kichikbo‘lsa, tranzistor kollektoridagi 
tok shuncha katta bo‘ladi. Baza toki juda kichik bo‘lishi uchun baza sohasida 
kovaklar deyarli rekombinatsiyalanib ulgurmasligi kerak. Buning uchun baza 

---

sohasi juda yupqa (~1 mkm) qilib yasaladi. Emmitterdan bazaga o‘tayotgan 
kovaklarning qancha qismi kollektorga yetib borishini ko‘rsatadigan
= 
koeffisent
tranzistorning effektivligi
deb ataladi.
Tranzistorlar faqat elektr signallarini kuchaytirishga hizmat qilmay, balki 
ularni generatsiyalashga ham mo‘ljallangan. Tranzistorlardan foydalanish integral 
elektronikaning 
rivojlanishiga 
olib 
keldi. 
Integral 
elektronikada 
yarim 
o‘tkazgichning bitta kristalida bir vaqtning o‘zida ko‘plab miqdor tranzistorlar va 
ular orasidagi bog‘lanishlar yasalib, ular yetarlicha tugal integral mikrosxemadan 
iborat bo‘ladi. 
Yarim o‘tkazgichli diod va tranzistorlar yuqorida ko‘rib o‘tilgan lampali diod 
va triodlarning barcha vazifalarini bajara oladi. Lekin yarim o‘tkazgichlar asosida 
ishlovchi qurilmalarning electron lampalarga qaraganda qator afzalliklari mavjud. 
Vakuum zarur bo‘lmasligi, diod va tranzistorlarning ishlash muddati uzoq 
bo‘lishi, o‘lchamlarining esa kichik bo‘lishi, mexanik jihatdan juda mustahkamligi, 
cho‘g‘lantirish uchun energiya sarf bo‘lmasligi, ishlab chiqarishning arzonligi 
tufayli yarim o‘tkazgichli qurilmalarga katta e‘tibor berilmoqda. Shuning uchun 
radiotexnikada electron-hisoblash mashinalarida, samalyotsozlik, kosmanavtika va 
boshqa sohalarda electron lampalar o‘rnini yarim o‘tkazgichli qurilmalar 
egallamoqda.