Bipolyar va maydonli tranzistorlar Қўшилган ярим ўтказгичдан, масалан, германий пластинка (Gе) дан иборат. Бу транзисторнинг схематик тасвири 1, б расмда кўрсатилган 309,54 Kb. 5
1. Портлатиб пайванлаш усули. Пайвандлашни амалга ошириш йўллари H қалинликда жойлаштирилади. Пайвандлашга тайёргарлик тугагандан сўнг портловчи моддани электродетонатори ёрдамида портлатилади пластинка юзаси бўйлаб ҳосил қилинган зарба тулқини юқори босим ва техникага эга бўлиб, уни V 64 Kb. 3