Qidiruv: Диэлектрик

	1 – топшириқ Диэлектрик исроф R ва сиғими с ҳамда берилган кучланиш частотаси  бўлганда, ундаги диэлектрик исроф бурчагининг ни топинг 36 Kb. 1	o'qib
	Диэлектриклар. Диэлектрикларни қутубланиши. Қутубланиш вектори нисбий диэлектрик синдирувчанлиги 14,45 Kb. 1	o'qib
	Микротўлқинли қурилмалар Dielectric waveguide. Lightguide. Диэлектрик тўлқинўтказгич. Нурўтказгич. Диэлектрческий волновод. Световод 20,73 Kb. 2	o'qib
	К де диэлектрик болады P интервалда жататуғын бөлекшениң илгери өрлемели қозғалысының квантлық ҳалларының саны төмендегише анықланады 240,43 Kb. 5	o'qib
	Электр изоляцион материалларни сиғими-с ни ва диэлектрик йўқотувчанлик бурчаги- tgδ ни ўлчаш 50 Гц ли частота билан (мост) кўприк методи ѐрдамида бажарилади 15,13 Kb. 1	o'qib
	Лабраторияиши №7 Диэлектрик қўлқоплар, этиклар ва калишларни синаш «а» холатигаўтказилади. Буюмдатешилишбўлмасаалмашлабулагичбуюмданўтаётгантокниўлчашучун «б» холатигаўтказилади 139,55 Kb. 1	o'qib
	Вакуумдаги нуқтавий мусбат D диэлектрик қутбланади ва унинг ичидаги майдон кучланганлиги ташқи майдон кучланганлигига тенг бўлади 67,01 Kb. 2	o'qib
	Имсларни яратилиш тарихи SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 1,07 Mb. 3	o'qib
	маъруза: Электроника ва схемалар фани, мақсади ва вазифалари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 239,37 Kb. 9	o'qib
	маъруза электроника ва схемалар фани, мазмуни ва усуллари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,94 Kb. 1	o'qib
	Конденсаторы. Принцип работы и маркировка конденсаторов Стремятся притянуться друг к другу. Однако этому препятствует диэлектрик (материал, не проводящий заряды), расположенный на их пути. Поэтому заряды, распределенные по всей площади обкладок 1,81 Mb. 5	o'qib
	Мавзу: Канали индукцияланган металл-диэлектрик-яримўтказгич транзисторлар SiO2 оксиди бўлганлиги сабабли, бу транзисторлар моя транзисторлар (металл оксид- ярим ўтказгичли тузилма) деб ҳам юритилади 183,16 Kb. 4	o'qib
	Мавзу: Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари иms тайёрлаш технологияси. Иms актив ва пассив элементлари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 17,57 Kb. 1	o'qib
	1-лаборатория машғулоти изоляцион материалларининг солиштирма ҳажм ва солиштирма юза қаршиликларини аниқлаш R2 шунт уланади. Схема кучланиши 100 дан 1000 в гача чегарада равон ўзгартириш мумкин бўлган доимий ток манбаидан таъминланади. Переключатель пi диэлектрик намунадаги электродлар қутбларини ўзгартиришга имкон беради 162 Kb. 2	o'qib
	Комплекс каршилик ва утказувчанликларни хисоблаш. Комплекс кувватни хисоблаш хақида умумий тушунча ва маълумот ёзиб журналдаги рақам бўйича 1 тадан масала ечаслар S = 00 см2, уларнинг оралиги d = мм. Конденсаторнинг сигими ва электр майдонининг кучланганлиги аниклансин. Агар диэлектрик сифатида слюда ишлатилса, олинган натижалар қандай узгаради? 119,25 Kb. 1	o'qib

1 2