Qidiruv: Германий

	Bipolyar va maydonli tranzistorlar Қўшилган ярим ўтказгичдан, масалан, германий пластинка (Gе) дан иборат. Бу транзисторнинг схематик тасвири 1, б расмда кўрсатилган 309,54 Kb. 5	o'qib
	Электроника Iv группы германий Ge, кремний Si, селен Se, так и сложные полупроводниковые материалы: арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP и другие 0,5 Mb. 6	o'qib
	I боб. Ярим ўтказгичли асбоблар ══════════════════════ Энергетик зоналар Wт (эВ) қуйидагига тенг: германий учун – 0,67, кремний учун – 1,12 ва галлий арсениди учун -1,38 100,46 Kb. 5	o'qib
	2-Маъруза. ЯримўТКАЗГИЧЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОССАЛАРИ Яримўтказгичларда контакт ходисалари. Режа Iv гуруҳ элементлари қаттиқ ҳолатда моно-атом (содда, элементар) яримўтказгичлардир. Германий ва кремний олмоссимон кристалл панжарага эга бўлиб 341,23 Kb. 11	o'qib
	Ўзбекистон республикаси ахборот технологиялари ва коммуникацияларини Uk катталиги дастлабки ярим ўтказгич материал таъқиқланган зона кенглиги ва киритма концентрациясига боғлиқ бўлади. Кўпгина р-n ўтишлар контакт потенциаллар фарқи: германий учун 0,35 В, кремний учун эса = 0,7 В 231,87 Kb. 5	o'qib
	Мавзу. Юқори самарали қуёш элементлари Si (кремний), Ge (германий), GaAs (галлий арсениди), CdTe (кадмий теллур) ва бошқалар. Қуёш элементи ёруғлик нурланишини ютиб,уни электр энергиясига айлантириб беради.Ёруғлик нурланиши (ёруғлик фотони) қуёш элементи юза соҳасида ютилади 4,45 Mb. 2	o'qib