| Мавзу №2 Дискрет элементлар U кучланишнинг энг ю=ори кўрсаткичи манти=ий нолнинг илк бўса\аси – транзистор ёпи= щолатда 156 Kb. 1 | o'qib |
| Режа биполяр транзистор турлар «А» нуқта (демак ) орқали аниқланади. Бу токнинг қиймати орқали қаршилик хисобланади 183,39 Kb. 1 | o'qib |
| 4- лаборатория иши майдоний транзистор(МТ) да ясалган кучайтиргич схемасини тадқИҚ этиш Ni multisim дастурий муҳитида йиғади ва ҳисобланган ва берилган параметрлар асосида созлаб олади 2,6 Mb. 7 | o'qib |
| 15 маъруза: Кучайтиргичлар Vt; қаршилик ва манба дан иборат. Қолган элементлар ёрдамчи сифатида ишлатилади конденсатор кириш сиғимини ўтказмайди, транзистор базаси ва қаршиликка боғлиқ бўлмайди 118,5 Kb. 6 | o'qib |
| 6 маъруза мдя-транзистораларасосидагирақамли имсларнинг негиз элементлари SiO2 мдя транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 203 Kb. 3 | o'qib |
| 13 – маъруза мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар SiO2 мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 34,36 Kb. 2 | o'qib |
| Виды транзисторов и их применение «передача», второе — «сопротивление». Таким образом, транзистор — это особого рода сопротивление, которое регулируется напряжением между базой и эмиттером (током базы) 320,01 Kb. 3 | o'qib |
| 8 лаборатория иши Канали индукцияланган мдя транзистор характеристикаларини ўлчаш ва тадқиқ этиш U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади 35,54 Kb. 1 | o'qib |
| 1. p-n-ўтиш билан бошқариладиган майдонли транзистор ва унинг тузилиши «Электроника ва автоматика» факультети, «Ишлаб чиқариш жараёнларини автоматлаштириш» кафедраси 2-курс талабалари учун «Электроника» фанидан якуний назорат ёзма иш саволлари 149,36 Kb. 1 | o'qib |
| Лабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npn Npn типа 2N5657, переменный резистор с электрическим сопротивлением 10 кОм, источник постоянного тока напряжением 12 Вольт и рисуем схему Лабораторная работа 276,64 Kb. 1 | o'qib |
| Дифференциал кучайтиргич режа Vt2 транзистор ва rк2 резистордан ташкил топган. Rэ резистор иккала елка учун умумий. Ҳар бир елка манфий тали уэ уланган каскадни ташкил этади 159,19 Kb. 2 | o'qib |
| 10 маъруза: Оддий инверторли ттм. Мураккаб инверторли ва Шоттки барьерли ттм Vt2 ва vt3 транзисторлар, R4 резистор ва vd диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган 48,23 Kb. 1 | o'qib |
| 20- mavzu Bipolyar tranzistorlar Reja Bipolyar tranzistor haqida tushuncha Uэб, Uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда, транзистор 379 Kb. 4 | o'qib |
| Биполяр транзисторлар ══════════════════════ Uэб, uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса – тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда транзистор актив ёки нормал режимда ишлайди ва унинг кучайтириш хоссалари намоён бўлади 126,82 Kb. 5 | o'qib |
| Лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 185,5 Kb. 1 | o'qib |