8-laboratoriya mashg’uloti. Maydoniy tranzistorni tadqiq qilish va tavsifnomalarini o’rganish. Ishning maqsadi

1	2	3	4
5
Qarshilik, kOm	1	1,2	1,5	1,8	2,2

Kirish joyi (stok)ga uzatiladigan o’zgarmas kuchlanish miqdori RR2 potensiometr bilan boshqariladi. SA2 almashlab ulagich o’zgaruvchan va o’zgarmas kuchlanishni ulash uchun mo’ljallangan. Kirish joyi stokga musbat yarim to’lqinli o’zgaruvchan kuchlanish uzatish uchun faqat VD diod xizmat qiladi. Tok bu zanjirda R3 rezistorni cheklaydi. Rg kirishdagi signal manbasi ichki qarshiligini imitatsiyalaydi. S kondensator kirishdagi signal manbasi ichki qarshiligini tinchlik ishchi nuqtasi holatiga ta‘sirini yo’qotadi. Tranzistor orqali

proporsional tokka, ossillograflash tovushi uchun shunt Rsh=50 Om xizmat qiladi. Old panelda shuningdek tashqi birlashishni amalga oshirish uchun uya joylashgan. (X1-X16). Maydon tranzistori yarim o’tkazgichli boshqariladigan asbobni ifodalaydi, bunda tok bo’ylama elektr toki ta‘siri ostida bir belgida tashuvchi dreyfga shartlangan. SHunday qilib, o’tkazuvchanlik miqdorini va tokni boshqarish ko’ndalang maydon orqali amalga oshiriladi. Bu elektr maydon boshqaruvchi elektrod-zatvor (qulf)ga berilgan kuchlanish bilan yaratiladi.Ishda alohida zatvorli va p – tipidagi indutsiyalangan kanal bilan,MOPmaydon tranzistori o’rganiladi, uning parametrlari 2-tablitsada keltirilgan. Bunday tranzistorning strukturasi 2-rasmda ko’rsatilgan, prinitspial elektr sxemalarda shartli grafik belgi-3-rasmda berilgan.