6-Laboratoriya ishi Multisim dasturida umumiy baza sxemasi bilan ulangan bipolyar tranzistorning kirish volt-amper xarakteristikalarini o’rganish. Ishdan maqsad

6-Laboratoriya ishi
Multisim dasturida umumiy baza sxemasi bilan ulangan bipolyar tranzistorning kirish volt-amper xarakteristikalarini o’rganish.


Ishdan maqsad:
Umumiy baza sxemasi bilan ulangan bipolyar tranzistorning kirish volt-amper xarakteristikalari turkumlarini olish va o’rganish.
Ishning qisqacha nazariyasi
Bipolyar (biqutbiy) tranzistor deb ikkita o’zaro ta’sirlashuvchi r-p o’tishdan tashkil topgan yarim o’tkazgichli asbobga aytiladi. Tranzistorlar tuzilishi va ishlash prinsipiga qarab bipolyar va maydon tranzistorlariga bo’linadi. Bipoyar trazistorning ishlashi r-p o’tish hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa bir turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan yarim o’tkazgichdagi tok tashuvchilarning elektr maydoni yordamida boshqa-rishga asoslangan.
Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab r-p-r va p-r-p tipli tranzistorlarga bo’linadi. 1-rasmda mazkur tranzistorlarning tuzilishi va sxemada belgilanishi ko’rsatilgan.
R-p-r va p-r-p tranzistorlarni ishlash prinsipi bir xil bo’lib, faqat sxemaga ulanganda manba qutblari almashtirilib ulanadi. r-p-r tranzis-torda asosiy tok tashuvchilar kovaklar, p-r-p tranzistorlarda esa elektron-lar hisoblanadi.
Tranzistorlar radiosxemalarda ishlatilganda uning elektrodla-ridan biri zanjirning kirish va chiqishi uchun umumiy bo’lgan simga korpusga ulangan bo’ladi. Shunga ko’ra tranzistorlarning uch xil ulanish sxemasi mavjud:

1. Umumiy bazali ulanish sxemasi.-UB;

2. Umumiy emitterli ulanish sxemasi.-UE;
3. Umumiy kollektorli ulanish sxemasi.-UK.
UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda qulay hisoblanadi. Shuning uchun tranzistorlarning xarakteristikalari ko’pincha shu sxema asosida tekshiriladi va qolgan 2 ta ulanish sxemasiga tadbiq etiladi. 2-rasmda tranzistorni uchta ulanish sxemasi ko’rsatilgan.

2-rasm

UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo’lib U_KB = const
bo’lgandagi I_E= f (U_EB) bog’liqlik, UE sxemasi uchun esa U_KE = const
bo’lgandagi I_B=f(U_BE) bog’liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalari- ning umumiy xarakteri odatda to’g’ri yo’nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko’rinishiga ko’ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega .
Trazistorli sxemalarni hisoblash va tahlil qilish uchun tranzistor xarakteristikalaridan foydalaniladi. Tranzistorning xarakteristikasi deganda uning kirish va chiqish zanjirlaridagi tok va kuchlanishlar orasi-dagi bog’lanishlar tushiniladi.
Tranzistorning UE ulanishi sxemasida kollektor kuchlanishi o’zgar-mas bo’lganda baza tokining I_b emitter-baza orasidagi U_b-e kuchlanishga bog’liqligi tranzistorning kirish xarakteristikasi deyiladi.
agarda U _k=const bo’lsa.
Tranzistorning statik kirish xarakteristikasini olish uchun kollektor kuchlanishini ma’lum qiymati uchun baza kuchlanishini o’zgartirib baza toki I_b ni qiymatlarini o’lchab kirish xarakte-ristikasi olish mumkin.