4 маъруза: Дифференциал кучайтиргич. Операцион кучайтиргич

ДКнинг уланиш турлари
Амалда ДКнинг тўрт хил уланишидан фойдаланилади:
- симмтерик кириш ва чиқиш;
- симметрик кириш ва носимметрик чиқиш;
- носимметрик кириш ва симметрик чиқиш;
- носимметрик кириш ва чиқиш.



7.2.-расм. Носимметрик кириш ва чиқишли ДК

Бунда фойдаланилмайдиган кириш кучланиши ўзгармас сатҳли қилиб олинади, масалан, умумий шинага уланади.

Агар кириш сигнали U_КИР1 га берилса, чиқишда инверсланмаган сигнал олинади.
Демак, U_КИР1 инверсламайдиган кириш, U_КИР2 эса – инверлайдиган кириш бўлади.
ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги R_К юклама қаршилигига боғлиқ бўлади. Интеграл технологияда R_К қийматининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади. Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, R_К резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган. Иккинчи БТГ p–n–p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

7.3.-расм. Динамик юкламали ДК схемаси


β нинг қиймати транзистор сокинлик токи I_Б0 га боғлиқ бўлганлиги сабабли кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак.
Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади.
Таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортади.

7.4.-расм. Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси