4- laboratoriya ishI

4- LABORATORIYa IShI


Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistordan yasalgan kuchaytirgich bosqichini tadqiq qilish va dinamik xarakteristikalari va differentsial parametrlarini o’lchash.

4.1– rasm. Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
Laboratoriya mashg’ulotida o’lchangan natijalar asosida 4.1 – jadval to’ldiriladi.
4.1 – jadval

α, град.	UЗИ, В	IС, мА	UСИ, В
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
360

O’lchangan qiymatlar asosida

• 
  ;
  
• 
  ;
  
• 
  ;
  
• 
  bunda
  
• 
  bunda
  
• 
  bunda
  

grafiklari chiziladi.

U_ZI= f(ωt)

U_SI = f(ωt)

I_S= f(U_ZI)_,
Olingan grafiklar asosida quydagi koeffitsientlari qiymatlarini hisoblab topiladi:

Xarakteristika tikligi

U_SI = const bo’lgandagi ;
Ichki (differentsial) qarshilik
U_ZI = const bo’lgandagi ;
Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
I_S = const bo’lgandagi yoki .


Nazorat savollari

1. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va ishlash mexanizmini tushuntiring.

2. Maydoniy tranzistor ish rejimlarini aytib bering. Har qaysi rejimda tranzistor zatvori va stoki orasidagi kuchlanish munosabalari qanday bo’ladi ?
3. Maydoniy tranzistorlarda qanday differentsial parametrlar tizimi qo’llaniladi va nima sababli ?
4. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang va tushuntirib bering.
5. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasini tasvirlang va tushuntirib bering.
6. Turli temperaturalarda o’lchangan zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang. Bu xarakteristikalarda temperaturaga barqaror nuqtalarning mavjudligi nima bilan tushuntiriladi ?