30. Bipolyar tranzistorlar

SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistorning
shartli belgilanishi 21.2v – 
rasmda keltirilgan. Tranzistor bazasidan alyuminiyli kontakt chiqarilgan bo‘lib, u 
kollektor tomon cho‘zilgan. Bu kontakt kollektorning p- sohasi bilan SHotki 
diodini hosil qiladi va natijada tranzistorning to‘yinishiga yo‘l qo‘yilmaydi. 
Bazadagi kuchlanish kollektordagi kuchlanishdan yuqori bo‘lganda SHotki diodi 
ochilib, baza va kollektorni qisqa tutashtiradi. SHotki diodining borligi 
tranzistorning ishlash tezligini oshiradi. 
Superbeta-tranzistorda
bazaning tok o‘tkazish koeffitsienti 3000 – 6000 
atrofida bo‘ladi. Bunday katta o‘tkazish koeffitsientiga bazaning o‘ta yupqaligi 
tufayli erishiladi. SHu sababli elektrodlardagi kuchlanish kamroq qilib olinadi. 
 Integral diodlar
– tranzistor tarkibi asosida amalga oshiriladi, uchinchi, 
ishlatilmaydigan elektrod qolgan ikki elektrodlardan biriga ulab qo‘yiladi. IS larda 
emitter baza oralig‘i diod sifatida ishlatiladi.
Е1Е2Е3 К 
В 
Е К1К2К3 
В 
а) б)
в) 

---

 
22.MAYDONLI TRANZISTORLAR 
 
 
Maydonli tranzistor – chiqish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan 
yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chiqish tokiga ta’sir qiluvchi 
kirish kuchlanishi elektr maydon hosil qiladi. 
Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil qilinib, 
asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zaryad muhim rol o‘ynamaydi. SHu sababli 
maydonli tranzistor 
unipolyar tranzistor
deb ham ataladi.
Maydonli tranzistorda tokni boshqarish elektr maydon vositasida 
boshqarilganidan o‘zgarmas tok va past chastotali o‘zgaruvchan toklar uchun 
tranzistorning kirish qarshiligi juda katta bo‘ladi: 10
8
– 10
15
Om. 
Maydonli tranzistorni tayyorlash texnologiyasi bipolyar tranzistorlarni 
tayyorlashga nisbatan soddaroq. Bundan tashqari, maydonli tranzistorlar 
mikrosxemalarda kichik yuzani egallaydi va kam tok iste’mol qiladi. SHu sababli 
kichik o‘lchamda bir necha mingdan, o‘n mingacha tranzistor va rezistorlarni hosil 
qilish imkonini beradi. 
Maydonli tranzistorlar tayyorlash texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga 
ko‘ra, ikki guruhga bo‘linadi: boshqariladigan r-p o‘tishli va zatvori 
izolyasiyalangan maydonli tranzistorlar.