24-Mavzu: Ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich asboblar (2-qism) Tiristor tuzilishi va ishlash prinsipi

24-Mavzu: Ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich asboblar (2-qism)


Tiristor tuzilishi va ishlash prinsipi:
Tiristor dinistorga o‘xshash tuzilmaga ega bo‘lib, baza sohalaridan biri boshqamvchi bo‘ladi. Agar bazalardan biriga boshqaruvchi tok berilsa, mos tranzistorning uzatish koyeffitsiyenti ortadi va tiristor ulanadi.
Boshqaruvchi elektrod (БЕ) joylashgan sohasiga mos ravishda tiristorlar katod bilan va anod bilan boshqaruvchilarga ajratiladi. БЕ larning joylashishi va tiristorlaming shartli belgilanishi 24.1-rasmda keltirilgan.

24.1-rasm. Katod (a) va anod (b) orqali boshqariluvchi tiristor tuzilmasi va shartli belgilanishi
BE ga signal berilganda yopiluvchi tiristorlar ham mavjud. Bunday tiristorlarning BE toki tiristor uzilayotganda asosiy kommutatsiyalanayotgan tokka qiymat jihatdan yaqinlashgani uchun chegaralangan hollarda qo‘llaniladi.
Tiristorning ulanish sxemasi va VAXsi 24.2-rasmda keltirilgan. Tiristorning dinistordan farqi shunda-ki, ulanish kuchlanishi BE zanjiridagi tokni o‘zgartirib rostlanadi. Shunday qilib, tiristor ulanish kuchlanishi boshqariladigan dinistorga ekvivalent.

24.2-rasm. Tiristorning ulanish sxemasi (a) va VAXi (b).

Tiristor ulangandan so‘ng BE boshqansh xususiyatini yo‘qotadi, natijada u yordamida tiristorni o‘chirib bo‘lmaydi. Tiristorning o’chirish sxemalari dinistornikidek.

Dinistor va tiristorlaming asosiy statik parametrlari quyidagilardan iborat:
- ruxsat etilgan teskari kuchlanish U_TES;
- berilgan to‘g‘ri tokda ochiq holatdagi asbobdagi kuchlanish
pasayishi U_TO’G’;
- ruxsat etilgan to‘g‘ri tok I_YU.
Dinistor va tiristorlar asosan o‘zgarmas va o‘zgaruvchan toklarni qayta ulovchi sxemalarda elektron kalit sifatida qo‘llaniladi.


Simistor tuzilishi va ishlash prinsipi:
Simistor - simmetrik tiristor bo‘lib, o‘zgaruvchan tokni kommutatsiyalashga xizmat qiladi. U reversiv to‘g‘rilagichlar yoki o‘zgaruvchan tok sozlagichlari yaratish uchun ishlatilishi mumkin. Simmetrik tiristor tuzilmasi 24.3a-rasmda, uning shartli belgilanishi esa 24.3b-rasmda keltirilgan. Simistor tuzilmasi turli o‘tkazuvchanlikka ega beshta yarimo‘tkazgich qatlamdan tashkil topgan bo‘lib tiristomikiga nisbatan murakkabroq tuzilishga ega. Simistor VAXi 24.4-rasmda keltirilgan.

24.3-rasm. Simmetrik tiristor tuzilmasi (a) va uning shartli grafik belgilanishi (b).

Simistor VAXidan uning BE ga boshqaruvchi musbat impuls berilganda asbob ixtiyoriy yo‘nalishda ulanishi ko‘rinib turibdi.

Boshqaruvchi impulsga qo‘yiladigan talablar, simistoming asosiy xarakteristikalari va uni belgilanish tizimi tiristornikidek. Simistorni umumiy BE li qarama-qarshi parallel ulangan ikkita tiristor bilan almashtirsh mumkin.

24.4-rasm. Simistor VAXi