207-gurux talabasi Yo’ldoshev Lazizning elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan prezentatsiasi

Tranzistorning bazasi, 39 kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolyatsiyalangan n– sohalarga aktseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchinchi fotolitografiya yordamida shunday oʻlchamli «darcha»lar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin. Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi, kollektor sohaning omik kontaktini hosil qiluvchi n+–turli emitter sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida toʻrtinchi fotolitografiya yordamida zarur koʻrinishdagi «darcha»lar ochib, ular orqali n+ ̶ turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni oʻzaro ulash bilan yakunlanadi

• Tranzistorning bazasi, 39 kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolyatsiyalangan n– sohalarga aktseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchinchi fotolitografiya yordamida shunday oʻlchamli «darcha»lar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin. Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi, kollektor sohaning omik kontaktini hosil qiluvchi n+–turli emitter sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida toʻrtinchi fotolitografiya yordamida zarur koʻrinishdagi «darcha»lar ochib, ular orqali n+ ̶ turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni oʻzaro ulash bilan yakunlanadi