207-gurux talabasi Yo’ldoshev Lazizning elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan prezentatsiasi

Gibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi. GISlarning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqamli mikrosxemalarning keng sinfini yaratish imkoniyatidan, keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining koʻpligidan iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish – uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OʻYUCH qurilmalarda va boshqalarda qoʻllaniladi. Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimoʻtkazgich integral mikrosxemalar bipolyar va MDYA IMSlarga ajratiladi.

• Gibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi. GISlarning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqamli mikrosxemalarning keng sinfini yaratish imkoniyatidan, keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining koʻpligidan iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish – uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OʻYUCH qurilmalarda va boshqalarda qoʻllaniladi. Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimoʻtkazgich integral mikrosxemalar bipolyar va MDYA IMSlarga ajratiladi.

IMS tayyorlash uchun p– oʻtkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2÷0,4mm, boʻlgan kremniy asosdan foydalaniladi. Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha boʻlgan oʻrta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi). Asos sirtida termik oksidlash yoʻli bilan qalinligi 0,5÷1 mkm boʻlgan SiO2 qatlam hosil qilinadi. Shundan soʻng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda «darcha»lar ochish uchun oʻtkaziladi. Darchalar orqali 1÷2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush) diffuziya qilinadi. Natijada, boʻlgʻusi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi oʻtkazuvchi n+ ̶soha hosil boʻladi. Ushbu qatlam yashirin n+ ̶qatlam (choʻntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kamaytiradi, Natijada, tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlamli n+– n boʻlib qoladi.

• IMS tayyorlash uchun p– oʻtkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2÷0,4mm, boʻlgan kremniy asosdan foydalaniladi. Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha boʻlgan oʻrta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi). Asos sirtida termik oksidlash yoʻli bilan qalinligi 0,5÷1 mkm boʻlgan SiO2 qatlam hosil qilinadi. Shundan soʻng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda «darcha»lar ochish uchun oʻtkaziladi. Darchalar orqali 1÷2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush) diffuziya qilinadi. Natijada, boʻlgʻusi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi oʻtkazuvchi n+ ̶soha hosil boʻladi. Ushbu qatlam yashirin n+ ̶qatlam (choʻntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kamaytiradi, Natijada, tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlamli n+– n boʻlib qoladi.