2-Ma’ruza. Integral mikrosxemalarni tayyorlash texnologiyasi Reja: Integral mikrosxemalarni tayyorlash texnologiyasining elementlari

Yagona kristallni kesish va plastinkalarni olish

Yagona kristallarni gofretlarga kesish ko'pincha 40...60 mkm o'lchamdagi olmos chiplari bilan qoplangan kesuvchi qirrali abraziv disklar tomonidan amalga oshiriladi. Diskning kesuvchi olmos qirrasining qalinligi 0,18...0,20 mm, kesishning kengligi esa 0,25...0,35 mm ko’rinishida bo’ladi.
Platalar yuzasida tirnalgan joylar va boshqa nuqsonlar qolganligi sababli ular sirt qatlami tuzilishining bir xilligini buzadi, o'yib ishlanadi va sayqallanadi. Silliqlashda plitalarning tekis bo'lmasligi 3 mikrondan oshmaydi va sirt ustida 10 mikrondan ko'p bo'lmagan egilishga erishiladi.Etching qalinligi 5...30 mkm bo'lgan shikastlangan qatlamni olib tashlaydi va silliqlash jarayonida paydo bo'lgan ichki stresslarni olib tashlaydi.
Platalar sirtini yakuniy nafis pardozlash abraziv kukunlar yoki pastalar bilan silliqlash, so'ngra suspenziyalar, solslar va jellar yordamida kimyoviy-mexanik usulda amalga oshiriladi. Natijada, diametri 20...250 mm va qalinligi o'ndan bir necha yuz mikrometrgacha bo'lgan yarimo'tkazgichli gofret olinadi, ishlov beriladigan sirtning qalinligi 0,04 mikrondan oshmaydi.

Fotoshablonlar yasash

Fotoshalon integral mikrosxemalar texnologiyasida yarimo‘tkazgich materialida faol elementlarni hosil qilish bosqichida passiv elementlar va o‘zaro bog‘lanishlarni yaratishda ham keng qo‘llaniladi.
Fotoshablonlar - bu shisha plastinka (substrat) bo'lib, uning yuzasiga himoya qatlami qo'llaniladi - optik nurlanish uchun shaffof va shaffof bo'lmagan joylar bilan trafaret hosil qiluvchi qoplama. Fotolitografiya jarayonida fotorezist qatlami fotoshablonda mavjud bo'lgan qoplama naqshiga muvofiq ta'sir qiladi.
Fotoshablon ​​substrati oddiy shishadan (to'lqin uzunligi  300 nm dan ortiq yorug'lik ta'sirida ) yoki kvarts oynasidan (  300 nm dan kam bo'lganda) tayyorlanadi. Qattiq bardoshli qoplamalar hosil qiluvchi xrom, xrom oksidlari, temir va boshqalar odatda fotoshablonning himoya qatlamining materiali sifatida ishlatiladi.
Yarimo'tkazgichli konstruktsiyalarni ishlab chiqarish uchun fotoshablonlarga bir qator talablar qo'yiladi, ular birinchi navbatda quyidagilarni o'z ichiga oladi: himoya materialining optik zichligi kamida 2,0 bo'lishi kerak; himoya materialining qalinligi - 100 nm dan oshmasligi kerak; uning aks etishi 15% dan yuqori emas; bir necha mikrondan o'nlab mikrongacha tekis bo'lmaslik (turli toifadagi fotoshablonlar uchun); 0,1 sm ^-2 tartibli mikrodefektiflik ; o'lchami 1 mikrondan kam bo'lgan tasvir elementlari