2-маъруза имс тайёрлаш технологияси. Имс актив ва пассив элементлари Режа имс таърифи



Download 161 Kb.
bet2/4
Sana20.06.2022
Hajmi161 Kb.
#683019
1   2   3   4
Bog'liq
ИМС тайёрлаш технологияси.

ИМСларнинг белгиланиш тизими

  • ИМСлар 6та элементдан иборат бўлган белгиланиш тизими ёрдамида классификацияланади:
  • Биринчи элемент (К – ҳарфи) – ИМС кенг кўламда қўлланилиш учун мўлжалланганлигини билдиради.
  • Экспорт учун мўлжалланганлари ЭК ҳарфлари билан бьелгиланади.
  • Иккинчи элемент (ҳарф) материал ва кобиқ турини билдиради (А- пластмассали планар, Е-металл-полимерли, чиқишлари 2қатор қилиб ясалган,
  • И-шишакерамикли планар, Б-қобиқсиз ва х.з.).

ИМСларнинг белгиланиш тизими

  • Учинчи элемент (битта сон) – ИМСнинг конструктив-технологик турини билдиради (1,5,6,7-яримўтказгичли, 2,4,8-гибрид, 3-бошқа: пардали, керамик, вакуумли).
  • Тўртинчи элемент (иккита ёки учта сон) – ИМС сериясининг тартиб рақамини билдиради. Иккита сон бирлаликда-аниқ серия рақамини билдиради.
  • Бешинчи элемент (иккита ҳарф) – ИМСнинг функционал вазифасини билдиради.
  • Олтинчи элемент бир турдаги ИМС сериялари ичидаги ишланма тартиб рақамини билдиради.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

  • Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. (Чохральский усули)
  • Ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади.
  • Қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин.
  • Зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

  • Эпитаксия. Эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади.
  • Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради.
  • Термик оксидлаш. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.

Download 161 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish