2-маъруза. Биполяр транзисторлар

Параметрлар жадвали биполяр транзисторлар учун коммутацион схемалар

Занжир Тури	Кириш майдони қаршилик	Чиқиш қаршилик	Кучланиш даромад	Даромад жорий томонидан	Даромад имкониятлар бўйича
умумий таянч ҳақида	Паст	Юқори сифат	Юқори сифат	1 дан кам	Ўртача
умумий EMITTER ОЕ	Ўртача	Ўртача	Ўртача	Ўртача	Юқори сифат
БИРГАЛИКДА КОЛЛЕКТОР ок	Юқори сифат	Паст	1 дан кам	Ўртача	Ўртача

Биполяр транзисторли коммутацион схемаларни қиёсий баҳолаш

KМен - жорий даромад
KU - кучланиш даромад омил
KP - қувват олиш омили

Майдон еффекти транзисторлари

1. Дала еффекти транзисторларининг мақсади ва таснифи.

1. Дала еффекти транзисторларининг мақсади ва таснифи.

2. Дала-еффектли транзисторларнинг бошқарув тугмаси билан ишлаш принципи ва принципи п-н босинг-орқали .

3. Изоляцияланган дарвоза майдон еффекти транзисторлар.

Майдон еффекти транзистори - бу учта електродли ярим ўтказгичли асбоб:

Майдон еффекти транзистори - бу учта електродли ярим ўтказгичли асбоб:

исток, runoff ва Панжур, унда ток фақат асосий заряд ташувчилар томонидан ҳосил қилинади.

Жорий назорат томонидан амалга оширилади електр майдони,

қайси назорат електрод бир кучланиш қўллаш орқали ҳосил бўлади.

1. Дала еффекти транзисторларининг мақсади ва таснифи.

майдон таъсири транзисторлар икки турга бўлинади::
билан бошқарувчи директор р-п-босиш орқали - канал; жорий назорат канал кесимини ўзгартириш орқали еришилади;
билан хавфсиз ҳолатга shutter –
МДП транзисторлари
(металл-изолятор-яримўтказгич).

ТИР – транзисторлар икки турга бўлинади:

ТИР – транзисторлар икки турга бўлинади:

- билан индуксияланган канал орқали

- cо ички канал.

яшлар. ин МОС–транзисторлар (металл-оксид-ярим ўтказгич) диелектрик сифатида қуйидагилардан фойдаланилади: оксидлар масалан, Сио2

ВТ
а)
п-вилояти
п-вилояти
п-вилояти
u
- - - - - -
- - - - - -
+ + + + + +
К а н а Л
+ + + + + +
3
c
МенC
- +
EC
- +
E3
в)
Uвх
Uчиқиш
UБилан
C
- EБилан
ВТ
- +
E3
в)
Расм 1
билан



u
3
канал билан
r- каби
билан



u
3
канал билан
p- каби
в)
2. Дала-еффектли транзисторларнинг бошқарув тугмаси билан ишлаш принципи ва принципи п-н босинг-орқали .

Назорат п-н junction билан майдон-таъсир транзистор

Назорат п-н junction билан майдон-таъсир транзистор

• Чегаравий режимлар
• Параметр Қиймати
• УСИ МАХ, ИЧИДА 3.5
• У = МАХ, ИЧИДА -2.5
• УЗС МАХ, ИЧИДА -6.0
• Р МАХ, МВТ 35
• Т, дек лар -60 +85

Кам шовқин бўлганлар gallium арсенид майдон-еффектли микротўлқинли транзисторлар тури 3п374а, б, В-2,5 қабул ва умумий муҳр билан ускуналар мустаҳкамлашда фойдаланиш учун мўлжалланган.
Частота диапазони 4-18 Гҳз;
- Қувват олиш омили Опт даражаси>10 дб (12 Гҳз);
- Шовқин омили КШ мин;
- Тортишиш узунлиги 0.25 мкм;
- Тортишиш кенглиги 150 мкм.

Хавфсиз ҳолатга дарвоза майдон таъсири транзисторлар МДП транзисторлари (металл-изолятор-яримўтказгич) MOSFETS (металл-оксид-яримўтказгич

МДП транзистори ўрнатилган канал билан
Индуксияланган канал билан МИС-транзистор

Сузувчи дарвоза МНФ транзистор М-металл, Ҳ-Ҳси3н4 қотишмаси, О-металл оксиди, П-яримўтказгич

Ушбу транзисторларнинг ишлаш принципи кучли електр майдонларида

електронлар диелектрикни 1 мкм гача чуқурликка киритиши мумкин.

Улар ўрнатилган хотира чиплари ишлатилади
1 бит маълумотни сақлаш учун ҳужайра сифатида

Аморф индий-gallium-рух-оксидли яримўтказгич асосида икки томонлама сузувчи дарвоза майдон еффектли транзистори (ФЕТ) томонидан ишлаб чиқилган .

Маълумотларни електр заряд сифатида сақлайди, агар ҳажми билан, унга асосланган хотира хужайралари яратиш имконини беради 16 нм.

Integra Technologies маҳсулотлари:
-ВҲФ/УҲФ (узлуксиз режим)иловалари учун транзисторлар
- алоқа ва идентификация тизимларида фойдаланиш учун транзисторлар