12-лаборатория иши уб уланиш схемасидаги бтни статик вахларини тадқиқ этиш

12-лаборатория иши
УБ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш.
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
12.1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:
График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий база уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида эмиттер токи ва коллектор – база кучланиши танланади, шунда:
(12.1)
Икки ўзгарувчили функтсия график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.
БТ кириш характеристикалари оиласи 12.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 7.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:
, , бўлганда (12.2)
, , бўлганда (12.3)

а) б)
12.1-расм
Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда ва қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (12.1-12.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг ҳ- параметрлар тизимидан фойдаланиб.
(12.4)
ёзиш мумкин, бу эрда , бўлганда
, бўлганда
, бўлганда (12.5)
, бўлганда
ҳ- параметрлар (12.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (ҳ_11Б ва ҳ_12Б – кириш характеристикалар оиласидан, ҳ_21Б ва ҳ_22Б – чиқиш характеристикалар оиласидан).
12.2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
12.2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:
Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.
12.1 – жадвал
Кириш ва бошқариш характеристикалари

ЕЕ	В
уЕБ	В
ИЕ	мкА
иК	мА

12.2 – жадвал

Транзистор чиқиш характеристикалари

ИЕ, мкА
	уКБ	В
	иК	мА
	уКБ	В
	иК	мА
	уКБ	В
	иК	мА
ва ҳ.з.

12.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор тсоколининг схемаси 12.5 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари Р₁= (270-510 ) Ом ва Р₂=(510-1000) Ом.
12.2.2. = 5 В ўзгармас кучланиш қийматларида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 12.1 - жадвалга киритинг.

12.4-расм



12.5- расм
12.2.3. Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:
Чиқиш характеристиклар оиласини эмиттер токининг и_Е = 0 мА қийматидан бошлаб ҳар 4 мА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ( >0) ва тўйиниш ( <0) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.
3. Ўлчаш натижаларини ишлаш:
12.3.1. Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг.
у_КБ = 5 В, и_Е = 8 мА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг
, ,
12.3.2. Емиттер токи 8 мА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли – бўлак аппроксиматсияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.