10 maʼruza Oddiy va murakkab invertorli ttm reja Sodda invertorli ttm me sxemasi

n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi

• Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda boʼladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
• 2HАM-EMАS sxemada pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket, 2YOKI-EMАS sxemada esa– parallel ulanadi.

n – MDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HАM-EMАS va 2YOKI-EMАS MElari

• Invertor statik rejimi va oʼtish jarayonlari tahlil shuni koʼrsatdiki, tezkorlik va isteʼmol quvvati nuqtai nazaridan EM = (2÷3)U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi.
• Demak, U0 = 1,5 ÷ 3 V boʼlganda EM = 4,5 ÷ 9 V boʼladi.
• MDYATM elementlarda real U0ChIQ qiymati U0 = UQOL ≈ 0,2 ÷ 0,3 V dan katta emas, U1ChIQ qiymati esa U1ChIQ ≈ EM.
• Mos ravishda mantiqiy oʼtish
• MDYATM elementning yana bir afzalligi – xalaqitbardoshikning yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi (1÷2)U*, yaʼni 0,7÷1,4 V boʼlganda, MDYATM da U0XАL ≈ 1,5 ÷ 3 V boʼladi.

• Kremniy oksidili MDYa ISlarning asosiy kamchiligi –tezkorlikning kichikligidir.
• Yana bir kamchiligi – katta isteʼmol kuchlanishi boʼlib, u MDYa ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi.
• MDYa ISlar asosan uncha katta boʼlmagan tezkorlikka ega boʼlgan va kichik tok istemol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qoʼllaniladi.
• MDYa ISlarda eng yuqori integratsiya darajasiga erishilgan boʼlib, bir kristalda yuz minglab va undan koʼp komponentlar joylashishi mumkin.

• Eʼtiboringiz uchun raxmat

• 14 – maʼruza
• Komplementar tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar

Reja

• KMDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
• KMDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HАM-EMАS va
• 2YOKI-EMАS MElari

• Komplementar MDYa-tranzistorli elektron kalitlarning statik rejimda quvvat isteʼmoli oʼnlarcha nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGts va undan yuqori chastotalarda ishlashga imkon beradi.
• MDYa – tranzistorli RISlar ichida komplementar MDYa-tranzistorli MElar (KMDYaTM) yuqori xalaqitbardoshlikka ega boʼlib, kuchlanish manbai qiymatining 10÷45% ni tashkil etadi.
• Yana bir afzalligi – kuchlanish manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki mantiqiy oʼtish deyarli kuchlanish manbai qiymatiga teng. Demak RISlar kuchlanish manbai qiymatining oʼzgarishiga sezgir emas.
• KMDYa-tranzistorli MEda kirish va chiqish signallari qutblari va sathlari mos tushadi, bu esa oʼz navbatida MElarni oʼzaro bevosita ulash imkoniyatini beradi (sath siljitish qurilmasi talab etilmaydi).