1. p-n o‘tish orqali oqayotgan tokning unga berilayot kuchlanishga bog‘liqligi deyiladi
Download 0,87 Mb.
|
bilet
|
16-Bilet _________________ ___________________ _________________ 1. p-n o‘tish orqali oqayotgan tokning unga berilayot kuchlanishga bog‘liqligi... deyiladi. a) akseptor kirishmali yarimo‘tkazgich c) kiritmali zaryad tashuvchilar d) erkin zaryad tashuvchilar 2. Optoelektronika – a) elektr o‘tkazuvchanligi kiritma atomlari ionizatsiyasi natijasida hosil bo‘ladigan zaryad tashuvchilar bilan asoslangan yarim o‘tkazgichlar b) elektronlarni elektr maydoni bilan ta’sirini va axborot uzatish, qayta ishlash va saqlashda qo‘llaniladigan elektron asbob va qurilmalarni yaratish usullarini o‘rganish bilan shug‘ullanadigan fan c) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar majmui bo‘lib, bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. d) elektronikaning bir bo‘limi bo‘lib, axborotni qabul qilish, uzatish va qayta ishlash jarayonlari yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish va aksinchaga asoslangan qurilmlarni nazariyasi va amaliyotini o‘rganadi. 3. Ideal diod uchun tok kuchining kuchlanishga bog‘liqlik tenglamasi. a) b) c) d) 4. Qaysi diod turi generatsiyalovchi diod bo‘ladi? a) yorug‘lik diodi b) fotodiod c) gann diodi d) varikap 5. Diodning ko‘chkili teshilishi - bu a) p- n o‘tishda to‘qnashib ionlashti-rish natijasida tokning keskin ortib ketishi b) diod to‘g‘ri ulanganda tokning keskin ortishi c) valent elektronlarning r-soha-dan n -sohaga tunnel o‘tish natijasida tokning keskin ortib ketishi d) p- n o‘tish qiziganda teskari tokni boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi 6. Rekombinatsiya –bu……... a) kotsentratsiyalar farqi tufayli zaryad tashuvchilarning harakati b) erkin zaryad tashuvchilarning yo‘qolish hodisasi c) erkin zaryad tashuvchilarning paydo bo‘lish hodisasi d) elektr maydon ta’sirida zaryad tashuvchilarning harakati 7. Tiristor elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a) b) c) d) 8. Qanday bog‘lanish UB sxemasi uchun chiqish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) UКБ = const bo’lgandagi IЭ= f (UЭБ) bog’liqlik, b) UКЭ = const bo’lgandagi IБ=f(UБЭ) bog’liqlik c) IЭ =const bo’lgandagi IК= f (UКБ) bog’liqlik, d) IБ =const bo’lgandagi IК= f (UКЭ) bog’liqlik 9. Rezistordan o’tayotgan tokning amplitudasi 2.0A resistor uchlaridagi kuchlanishning amplitudasi 310 V bo’lsa ,unda ajralayotgan quvvat qancha? a) b) 155 c) d) 10. Bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan fotoelektr qurilma a) Dinistor b) Fotodiod c) nurlanuvchi diod d) Rezistor
17-Bilet _________________ ___________________ _________________ 1. VAX da to‘g‘rilagich diodning ishchi sohasini ko‘rsating
a) А-В b) О-А-В c) С-О-А-В d) О-С 2. Elektrolitlarda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi ? a) Elektronlar va kovaklar b) Kovaklar c) Elektronlar d) Musbat va manfiy ionlar 3. Yorug‘lik diodining qo‘llanilishi a) tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda b) elektr signallarni yorug‘lik signallarga aylantirish uchun c) yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish uchun d) sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun 4. Dinistor shartli grafik belgisini ko‘rsating a) b) c) d) 5. O‘tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o‘tkazuvchanligi a) absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi b) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi c) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan kamayadi d) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o‘zgarmaydi 6. Maydon tranzistori kanali orqali tok o‘tmaydigan rejim........... a) Invers rejim b) Invers rejim c) Tuyinish rejimi d) Berk rejim 7. Tunnel diodining elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a) b) c) d) 8. n- yarimo‘tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) kovaklar b) manfiy ionlar c) elektronlar d) musbat ionlar 9. Maydoniy tranzistorda tok o‘tish jarayoni qanday zaryarlarning xarakatiga asoslangan? a) Faqat elektronlar, yoki faqat kovaklar b) Elektronlar va kovaklar c) Musbat ionlar d) Musbat va manfiy ionlar 10. Parallel ulangan o‘tkazgichlarda tok kuchi ... bo‘ladi. a) b) c) d)
18-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Zaryad tashuvchining yashash vaqti deganda uning ... bo‘lgan vaqt tushuniladi. a) generatsiyasidan rekombinatsiyasigacha b) rekombinatsiyasidan generatsiyasigacha c) rekombinatsiyasidan generatsiyasigacha d) ektraksiyadan injeksiyagacha 2. Bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘lishi ... qatlami a) akseptor kirishmali yarimo‘tkazgich b) akseptor kirishmali yarimo‘tkazgich c) p-n o‘tish d) erkin zaryad tashuvchilar 3. Bipolyar tranzistorning qaysi sohasining kengligi eng kichik a) Emitter b) Kollektor c) Zatvor d) Baza 4. Passiv elementlarga qanday asboblar kiradi? a) Rele, yarimo‘tkazgichli diod, rezistor b) Bipolyar tranzistor, yarimo‘tkazgichli diod, fotodiod c) Rezistor, induktiv g‘altak, kondensator d) Stabilitron, transformator, kondensator 5. Donorli kiritmalarda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) kovaklar b) elektronlar c) elektronlar va kovaklar d) ionlar 6. Tunnel diodining shartli grafik belgisini ko‘rsating a) b) c) d) 7. p-n zatvorli MTni ko‘rsating a) b) c) d) 8. Nurlanuvchi diod qanday qurilma? a) fotoelektrik qurilma b) elektr o‘zgartiruvchi qurilma c) termoelektrik qurilma 9. Yarimo‘tkazgich yoki dielektrikning ruxsat etilgan eng yuqori energetik satxlari ..... deb ataladi. a) O‘tkazuvchanlik zona b) Taqiqlangan zona c) Valent zona d) Fermi satxi 10. Diodning ideallashgan VAX kasi…. e’tiborga olmaydi a) tok hosil bo‘lishiga diod r- n o‘tishining qo‘shgan hissasini b) diod ikkala bazasi qarshiligini c) diod n – bazasi qarshiligini d) diod p-bazasi qarshiligini
19-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Elektronika – a) Fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar-IMSlar va ularning qo‘llanish prinsiplarini ishlab chiqish b) Fan va texnika sohasi bo‘lib, axborot uzatish, qayta ishlash va saqlashda qo‘llaniladigan elektron asbob va qurilmalarni yaratish usullarini o‘rganish bilan shug‘ullanadigan fan. c) Axborotni qabul qilish, uzatish va qayta ishlash jarayonlari yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish va aksinchaga asoslangan qurilmlarni nazariyasi va amaliyotini o‘rganadi d) Elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar majmui bo‘lib, bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. 2. p- n o‘tishning qayday elektr parametrlari mavjud a) differensial qarshilik b) differensial qarshilik va sig‘im c) differensial va statik qarshilik d) sig‘im 3. Kovakli yarim o‘tkazgichda Fermi sathi ............siljiydi a) ta’qiqlangan zona o‘rtasidan valent zona shipi tomonga b) ta’qiqlangan zona o‘rtasidan o‘tkazuvchanlik zonasi tubi tomonga c) valent zonadan ta’qiqlangan zona o‘rtasiga d) o‘tkazuvchanlik zonasidan ta’qiqlangan zona o‘rtasiga 4. p- n o‘tishning to‘siq sig‘imini hisoblash formulasini ko‘rsatin a) b) c) d) 5. Aktiv rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ..... xizmat qiladi a) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun b) bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun c) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun d) bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun 6. Optronning shartli grafik belgisini ko‘rsating a) b) c) d) 7. Induksiyalangan n-kanalli MT ni ko‘rsating a) b) c) d) 8. p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor... a) ikkita p-n o‘tish va uchta elektrodga ega b) bitta p-n o‘tish va ikkita elektrodga ega c) uchta p-n o‘tish va ikkita elektrodga ega d) bitta p-n o‘tish va uchta elektrodga ega 9. Aktiv rejimda bipolyar tranzistorning kollektori ..... xizmat qiladi a) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun b) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun c) bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun d) bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun 10. Kompensatsiyalangan yarimo‘tkazgich – bu a) donor kiritmali yarimo‘tkazgich b) kiritmasiz yarimo‘tkazgich c) akseptor kiritmali yarimo‘tkazgich d) donor kiritmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasigi teng yarimo‘tkazich
20-Bilet _________________ ___________________ _________________ 1. Aktiv elementlarga qanday asboblar kiradi? a) Rezistor, induktiv g‘altak, kondensator b) Bipolyar tranzistor, yarimo‘tkazgichli diod, fotodiod c) Rele, yarimo‘tkazgichli diod, rezistor d) Stabilitron, transformator, kondensator 2. Asosiy zaryad tashuchilar oqimi ... ni yuzaga keltiradi a) diffuz toki b) dreyf toki c) elektronlar xarakati d) kovaklar xarakati 3. Elektron – kovak juftligining hosil bo‘lish jarayoniga ......deb ataladi a) Zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasi b) Injeksiya c) Ekstraksiya d) Zaryad tashuvchilar generatsiyasi 4. BTning UB ulangan sxemasidagi kirish elektrod xarakteristikalarini ko‘rsating a) b) c) d) 5. Канал орқали заряд ташувшилар оқими истокдан стокка эмас, балки стокдан истокка ўтадиган режим a) Aktiv rejim b) Berk rejim c) Tuyinish rejimi d) Invers rejim 6. Varikapning qo‘llanilishi a) sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun b) tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda c) elektr signallarni yorug‘lik signallarga aylantirish uchun d) yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish uchun 7. Yarimo‘tkazgichlirda qanday energetik zonalar mavjud? a) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona b) O‘tkazuvchanlik zonasi, valent zona c) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona, valent zona d) Taqiqlangan zona, valent zona 8. Zaryad tashuvchilar harakatchanligi bu a) maydon kuchlanganligi 1 V/sm bo‘lgandagi yarim o‘tkazgichdagi zaryad tashuvchilarning o‘rtacha yo‘naltirilgan tezligi. b) donor kirishmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasigi teng yarimo‘tkazich c) erkin zaryad tashuvchilar siljishi d) zaryad tashuvchilar gradiyenti 9. To‘g‘rilovchi diod bu- a) elektr yordamida boshqariladigan sig‘im sifatida qo‘llanishga mo‘ljallangan b) qo‘zg‘otilgan yarim o‘tkazgich asosida loyihalangan yarim o‘tkazgichli asbob c) yarim o‘tkazgichli diod bo‘lib, uning ishlash prinsipi p-n o‘tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‘lmagan o‘zgarishiga olib kelishiga asoslangan d) kuchlanish manbai o‘zgaruvchan kuchlanishini o‘zgarmasga o‘girishda qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgichli asbob 10. Varikapning elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a) b) c) d)
21-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. p- yarimo‘tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) kovaklar b) elektronlar c) manfiy ionlar d) musbat ionlar 2. p-n o‘tishdagi kuchlanish temperaturaga qanday bog‘lanishga ega? a) p-n o‘tishdagi kuchlanish temperaturaga bog‘liq emas b) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish ortadi c) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish kamayadi d) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish o‘zgarmaydi 3. Stabilitronning elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a) b) c) d) 4. Solishtirma elektr o‘tkazuvchanlikni hisoblash formulasini aniqlang a) b) c) d) 5. Биполяр транзистор... a) битта p-n ўтиш ва иккита электродга эга b) битта p-n ўтиш ва учта электродга эга c) иккита p-n ўтиш ва учта электродга эга d) учта p-n ўтиш ва иккита электродга эга 6. Qarshiligi 20 Om bo’lgan o’tkazgichdan 2 min davomida 360 C zaryad o’tgan. O’tkazgich uchlaridagi kuchlanishni toping a) 112 V b) 25 V c) 200 V d) 60 V 7. p- n o‘tishning diffuz sig‘imini hisoblash formulasini ko‘rsatin a) b) c) d) 8. Dielektrik qabul qiluvchanlik deb, a) tashqi elektrostatik maydon ta’sirida dipollarning maydon kuch chiziqlari tomon yo‘nalishini o‘zgartirish jarayoniga aytiladi b) dielektrikning bir birlik hajmidagi barcha dipollar elektr momentlarining vektor yig‘indisiga miqdor jihatdan teng bo‘lgan fizik kattalikka aytiladi c) bir birlik hajmdagi dielektrik molekulalarining qutblanuvchanligiga miqdor jihatdan teng bo‘lgan fizik kattalikka aytiladi d) Zaryadlarning sirt bo‘yicha qayta taqsimlanishi ya’ni, manfiy va musbat qutblar hosil bo‘lishi 9. Xususiy yarim o‘tkazgichda Fermi sathi ............siljiydi a) valent zonadan ta’qiqlangan zona o‘rtasiga b) ta’qiqlangan zona o‘rtasidan valent zona shipi tomonga c) ta’qiqlangan zona o‘rtasidan o‘tkazuvchanlik zonasi tubi tomonga d) o‘tkazuvchanlik zonasidan ta’qiqlangan zona o‘rtasiga 10. ....... bipolyar tranzistorning aktiv rejimi amalga oshadi a) ikkala o‘tish teskari yo‘nalishda siljitilganda b) emitter o‘tish teska-ri, kollektor o‘tish ham teskari siljitilganda c) ikkala o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilganda d) emitter o‘tish to‘g‘ri, kollektor o‘tish esa teskari siljitilganda
22-Bilet _________________ ___________________ _________________ 1. Varikap bu- a)yarim o‘tkazgichli diod bo‘lib, uning ishlash prinsipi p-n o‘tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‘lmagan o‘zgarishiga olib kelishiga asoslangan b)elektr yordamida boshqariladigan sig‘im sifatida qo‘llanishga mo‘ljallangan yarimo‘tkazgichli diod c)kuchlanish manbai o‘zgaruvchan kuchlanishini o‘zgarmasga o‘girishda qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgichli asbob d)qo‘zg‘otilgan yarim o‘tkazgich asosida loyihalangan yarim o‘tkazgichli asbob 2. Nanoelektronika - a) O‘lchamlari 0,1-100nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich qurilmalar elektronikasi b) Fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar-IMSlar va ularning qo‘llanish prinsiplarini ishlab chiqish c) Fan va texnika sohasi bo‘lib, axborot uzatish, qayta ishlash va saqlashda qo‘llaniladigan elektron asbob va qurilmalarni yaratish usullarini o‘rganish bilan shug‘ullanadigan fan d) Axborotni qabul qilish, uzatish va qayta ishlash jarayonlari yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish va aksinchaga asoslangan qurilmlarni nazariyasi va amaliyotini o‘rganadi. 3. Shottki tranzistorni ko‘rsating a) b) c) d) 4. Baza tokining uzatish koeffitsiyenti a) b) c) d) 5. ..... termorezistor toki qiymati o‘zgaradi a) elektr signallarni yorug‘lik signallarga aylantirish uchun b) tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda c) sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun d) yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish uchun 6. Taqiqlangan zona kengligi teng yarimo‘tkazgich materiallar asosidagi o‘tishlar ... deb ataladi a) geteroo‘tish b) gomoo‘tish c) elektr o‘tish d) elektron-kovak o‘tish 7. ...... bipolyar tranzistor ishlaganda berk rejim amalga oshadi a) ikkala o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilganda b) emitter o‘tish teskari, kollektor o‘tish ham teskari siljitilganda c) emitter o‘tish to‘g‘ri, kollektor o‘tish esa teskari siljitilganda d) ikkala o‘tish teskari yo‘nalishda siljitilganda 8. Qanday bog‘lanish UE sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) UКЭ = const bo’lgandagi IБ=f(UБЭ) bog’liqlik b) UКБ = const bo’lgandagi IЭ= f (UЭБ) bog’liqlik, c) IЭ =const bo’lgandagi IК= f (UКБ) bog’liqlik, d) IБ =const bo’lgandagi IК= f (UКЭ) bog’liqlik 9. O‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita p-n o‘tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich asbobga..... deb aytiladi. a) maydoniy tranzistor b) diod c) bipolyar tranzistor d) simistor 10. p-n o‘tishning qanday sig‘imlari mavjud? a) diffuziya b) to‘siq c) diffuziya va dreyf d) diffuziya va to‘siq
23-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. p- turdagi yarimo‘tkazgich - bu a) akseptor kiritmali yarimo‘tkazgich b) donor kiritmali yarimo‘tkazgich c) kiritmasiz yarimo‘tkazgich d) donor kiritmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasigi teng yarimo‘tkazich 2. Diodning tunnel teshilishi – bu a) p- n o‘tishda to‘qnashib ionlashti-rish natijasida tokning keskin ortib ketishi b) diod to‘g‘ri ulanganda tokning keskin ortishi c) p- n o‘tish qiziganda teskari tokni boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi d) valent elektronlarning r-soha-dan n -sohaga tunnel o‘tish natijasida tokning keskin ortib ketishi 3. ...... bipolyar tranzistorning invers rejimi amalga oshadi a) ikkala o‘tish teskari yo‘nalishda siljitilganda b) ikkala o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilganda c) emitter o‘tish teskari, kollektor o‘tish to‘g‘ri siljitilganda d) emitter o‘tish to‘g‘ri, kollektor o‘tish esa teskari siljitilganda 4. UB ulanish sxemasini ko‘rsating a) b) c) d) 5. Stabistorning ishchi rejimini belgilang a) to‘g‘ri siljitilgan b) teshilish rejimiga o‘tmagan teskari siljitish c) elektr teshilish rejimi d) to‘g‘ri va teskari siljitishlarning davriy almashishi 6. Kiritmali yarim o‘tkazgichlar bu a) O‘tkazuvchanlik zonasidagi biror energiyaga mos keladigan elektronlar b) Elektron – kovak juftligining hosil bo‘lish jarayoni c) Elektr o‘tkazuvchanligi kiritma atomlari ionizatsiyasi natijasida hosil bo‘ladigan zaryad tashuvchilar bilan asoslangan yarim o‘tkazgichlar d) Yarim o‘tkazgichda elektr o‘tkazuvchanlik asosan elektronlar hisobiga amalga oshiriladi 7. Simistor ... a) Volt-amper xarakteristikasida manfiy differensial qarshilik mavjud bo‘lgan, uch va undan ortiq p-n o‘tishlarga ega ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli asbob b) Uchta p-n o‘tishga ega diodga o‘xshash ikki elektrodli asbob c) Bitta p-n o‘tishga va ikkita chiqishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli asbob d) simmetrik tiristor bo‘lib, o‘zgaruvchan tokni kommutatsiyalashda xizmat qiladi 8. O‘tkazgichlirda qanday energetik zonalar mavjud? a) O‘tkazuvchanlik zonasi, valent zona b) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona, valent zona c) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona d) Taqiqlangan zona, valent zona 9. p-n o‘tish qanday holatda to‘g‘ri ulangan bo‘ladi? a) p sohaga manfiy qutb, n sohaga musbat qutb ulansa b) p sohaga musbat qutb, n sohaga manfiy qutb ulansa c) p sohaga musbat qutb, n sohaga musbat qutb ulansa d) n va p sohalarga manfiy qutb ulansa 10. Stabilitronning sxemada shartli belgilanishini ko‘rsating a) b) c) d)
24-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Yarimo‘tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o‘tkazuvchanligi a) absolyut nol temperaturada nolga teng emas va temperatura ortishi bilan kamayadi b) absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi c) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o‘zgarmaydi d) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi 2. Yarim o‘tkazgichli to‘g‘rilagich diodning sxemada shartli belgilanishini ko‘rsating a) b) c) d) 3. Fotodiod elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a ) b) c) d) 4. Invers rejimda bipolyar tranzistorning kollektori ...... xizmat qiladi a) bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun b) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun c) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun d) bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun 5. Invers rejimda bipolyar tranzistorning kollektori ...... xizmat qiladi a) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun b) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun c) bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun d) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun 6. Qanday bog‘lanish UE sxemasi uchun chiqish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) IЭ =const bo’lgandagi IК= f (UКБ) боғлиқлик, b) IБ =const bo’lgandagi IК= f (UКЭ) боғлиқлик c) UКБ = const bo’lgandagi IЭ= f (UЭБ) боғлиқлик, d) UКЭ = const bo’lgandagi IБ=f(UБЭ) боғлиқлик 7. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib xarakteristika tikligi hisoblanadi. Bu xarakteristikani tavsiflaydigan ifodani ko‘rsating a) b) c) d) 8. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter tokini boshqaradi? a) Aktiv b) Invers c) to‘yinish d) Berk 9. O‘tkazuvchanlik turi bir hil bo‘lib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo‘ladigan o‘tkinchi qatlam... deb ataladi a) geteroo‘tish b) gomoo‘tish c) elektr o‘tish d) elektron-kovak o‘tish 10. Teskari ulangan fotodiod toki a) yoritilganlik ortishi bilan ortadi b) yoritilganlik va teskari kuchlanish ortishi bilan ortadi c) teskari kuchlanish ortishi bilan ortadi d) teskari kuchlanish ortishi bilan kamayadi
25-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Issiqlik ta’sirida kristall atomlarining tebranuvchan xarakati natijasida ularning zichlashuvi yoki siyraklashuvi ... deb ataladi a) foton b) fonon c) injeksiya d) ekstraksiya 2. Real diod tuzilmasi idellashtirilgan p-n o‘tishdan nimasi bilan farq qiladi ? a) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish ortadi b) p-n o‘tishdagi kuchlanish temperaturaga bog‘liq emas c) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish kamayadi d) temperatura ortishi bilan p-n o‘tishdagi kuchlanish o‘zgarmaydi 3. Tok zichligining ta’rifini ko‘rsating. a) vaqt birligi ichida o‘tkazgichdan o‘tayotgan zaryad miqdoriga; b) o‘tkazuvchanligini maydon kuchlanganligiga ko‘paytmasiga teng skalyar kattalik; c) o‘tkazgichning yuza birligidan vaqt birligi ichida o‘tayotgan zaryad miqdoriga teng vektor kattalik; d) o‘tkazgichning yuza birligidan o‘tayotgan zaryad miqdoriga teng kattalik. 4. Tetrodli tiristor-bu……... a) 3ta chiqish va 1ta dan ortiq n-p o‘tishga ega qurilma b) 2ta chiqish va 3ta yoki undan ortiq n-p o‘tishga ega qurilma c) 4ta chiqish va bir necha p-n o‘tishga ega qurilma d) 2ta chiqish va 1ta p-n o‘tishga ega qurilma 5. Kanali qurilgan MTni ko‘rsating a) b) c) d) 6. Bipolyar tranzistorlarning necha xil ulanish sxemasi mavjud? a) 4 b) 3 c) 2 d) 5 7. Qanday bog‘lanish UE sxemasi uchun chiqish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) IЭ =const bo’lgandagi IК= f (UКБ) боғлиқлик, b) UКБ = const bo’lgandagi IЭ= f (UЭБ) боғлиқлик, c) UКЭ = const bo’lgandagi IБ=f(UБЭ) боғлиқлик d) IБ =const bo’lgandagi IК= f (UКЭ) боғлиқлик 8. ……..ifoda berk zanjir uchun Om qonunini ifodalaydi? a) b) c) d) 9. Invers rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ...... xizmat qiladi a) noasosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun b) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun c) bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun d) bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun 10. BTning UE ulangan sxemasidagi chiqish elektrod xarakteristikalarini ko‘rsating a) b) c) d)
26-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Mikroelektronika a) Fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar-IMSlar va ularning qo‘llanish prinsiplarini ishlab chiqish b) Fan va texnika sohasi bo‘lib, axborot uzatish, qayta ishlash va saqlashda qo‘llaniladigan elektron asbob va qurilmalarni yaratish usullarini o‘rganish bilan shug‘ullanadigan fan c) Axborotni qabul qilish, uzatish va qayta ishlash jarayonlari yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish va aksinchaga asoslangan qurilmlarni nazariyasi va amaliyotini o‘rganadi. d) O‘lchamlari 0,1-100nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich qurilmalar elektronikasi 2. Qanday bog‘lanish UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) UКБ = const бўлгандаги IЭ= f (UЭБ) bog’liqlik, b) UКЭ = const бўлгандаги IБ=f(UБЭ) bog’liqlik c) IЭ =const бўлгандаги IК= f (UКБ) bog’liqlik, d) IБ =const бўлгандаги IК= f (UКЭ) bog’liqlik 3. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuchilar oqimi ... ni yuzaga keltiradi a) diffuz toki b) elektronlar xarakati c) dreyf toki d) kovaklar xarakati 4. Qaysi diod turi generatsiyalovchi diod bo‘ladi? a) yorug‘lik diodi b) gann diodi c) fotodiod d) varikap 5. ...... bipolyar tranzistorning to‘yinish rejimi amalga oshadi a) ikkala o‘tish teskari yo‘nalishda siljitilganda b) emitter o‘tish teskari, kollektor o‘tish ham teskari siljitilganda c) ikkala o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilganda d) emitter o‘tish to‘g‘ri, kollektor o‘tish esa teskari siljitilganda 6. p-n-p turli tranzistorni ko‘rsating a) b) c) d) 7. UK ulanish sxemasini ko‘rsating a) b) c) d) 8. Ketma-ket ulangan o‘tkazgichlarda tok kuchi ... bo‘ladi. a) b) c) d) 9. Dinistor ... a) Volt-amper xarakteristikasida manfiy differensial qarshilik mavjud bo‘lgan, uch va undan ortiq p-n o‘tishlarga ega ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli asbob b) Uchta p-n o‘tishga ega diodga o‘xshash ikki elektrodli asbob c) simmetrik tiristor bo‘lib, o‘zgaruvchan tokni kommutatsiyalashda xizmat qiladi d) Bitta p-n o‘tishga va ikkita chiqishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli asbob 10. Qanday bipolyar tranzistor eng tezkor ishlaydi? a) Baza kengligi katta, unda n- tarli kiritmalar notekis taqsimlangan b) Baza kengligi kichik, unda n-turli kiritmalar tekis taqsimlangan c) Baza kengligi kichik, unda n-turli kiritmalar notekis taqsimlangan d) Baza kengligi kichik, unda p-turli kiritmalar notekis taqsimlangan
27-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Xususiy yarimo‘tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) kovaklar b) ionlar c) elektronlar d) elektronlar va kovaklar 2. n- turdagi yarimo‘tkazgich - bu a) akseptor kiritmali yarimo‘tkazgich b) kiritmasiz yarimo‘tkazgich c) donor kiritmali yarimo‘tkazgich d) donor kiritmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasigi teng yarimo‘tkazich 3. VAX da teskari ulangan diodning ishchi sohasini ko‘rsating a) О-Д b) О-А-В c) С-О-А-В d) А-В 4. . ..... fotorezistor fototoki qiymati o‘zgaradi a) atrof muxit temperaturasi ortishi bilan b) yoritilganlik o‘zgarishi bilan c) atrof muxit temperaturasi kamayishi bilan d) elektr toki o‘zgarishi bilan 5. n-p-n turli tranzistorni ko‘rsating a) b) c) d) 6. Qanday bog‘lanish UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi hisoblanadi? a) UКБ = const бўлгандаги IЭ= f (UЭБ) bog’liqlik, b) UКЭ = const бўлгандаги IБ=f(UБЭ) bog’liqlik c) IЭ =const бўлгандаги IК= f (UКБ) bog’liqlik, d) IБ =const бўлгандаги IК= f (UКЭ) bog’liqlik 7. Kuchaytirish qobiliyatiga ega bo‘ladigan maydoniy tranzistor rejimi a) Berk rejim b) Tuyinish rejimi c) Invers rejim d) Aktiv rejim 8. ……..ifoda berk zanjir uchun Om qonunini ifodalaydi? a) b) c) d) 9. Fotodiod .... o‘zgartiradi a) elektr signalni optik signalga (nur tola) b) optik signalni elektr signalga c) elektr signalni elektr signalga d) issiqlik signalni elektr signalga 10. Shottki to‘siqli diodlar qanday tuzilishga ega? a) Yarim o‘tkazgichni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi b) metallni metall bilan kontakti natijasida hosil qilinadi c) Metallni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi d) Dielektrikni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi
28-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. …….. ifoda zanjirning bir qismi uchun Om qonunini ifodalaydi. a) b) c) d) 2. Tunnel diodi bu- a) elektr yordamida boshqariladigan sig‘im sifatida qo‘llanishga mo‘ljallangan b) yarim o‘tkazgichli diod bo‘lib, uning ishlash prinsipi p-n o‘tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‘lmagan o‘zgarishiga olib kelishiga asoslangan c) qo‘zg‘otilgan yarim o‘tkazgich asosida loyihalangan yarim o‘tkazgichli asbob d) kuchlanish manbai o‘zgaruvchan kuchlanishini o‘zgarmasga o‘girishda qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgichli asbob 3. Donor kiritmali yarimo‘tkazgichda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarga nimalar kiradi? a) kovaklar va elektronlar b) elektronlar c) kovaklar d) ionlar 4. Baza tokining uzatish koeffitsiyenti a) b) c) d) 5 . Dinistor elektrod (volt-amper) harakteristikasini ko‘rsating a) b) c) d) 6. Maydoniy tranzistorning sohalari qanday nomlanadi? a) Stok, istok, zatvor b) Emitter, baza, kollektor c) Anod, katod d) Emitter, baza 7. Erkin zaryad deb nimaga aytiladi a) Yetarlicha kuchli tashqi ta’sir natijasida moddaning butun sirti bo‘yicha erkin harakatlanib, makroskopik masofalarga siljiy oladigan zaryadga aytiladi b) Yetarlicha kuchsiz tashqi ta’sir natijasida moddaning butun hajmi bo‘yicha erkin harakatlanib, makroskopik masofalarga siljiy oladigan zaryadga aytiladi c) Elektromagnit to‘lqin parametrlarini o‘zgartirish elektromagnit to‘lqiniga aytiladi d) Hamma tomonidan metall devorlar bilan o‘ralgan fazo qismiga aytiladi 8.Asosiy zaryad tashuvchilarda ishlaydigan diodni ko‘rsating a) gann diod b) tunnel diod c) shottki to‘siqli diod d) o‘girilgan diod 9. Dielektrik – bu kristall qattiq jism, uning elektr o‘tkazuvchanligi a) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi b) absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi c) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan kamayadi d) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o‘zgarmaydi 10. O‘rtacha erkin yugurish uzunligi deb... a) Elektronning ikkita ketma-ket to‘qnashishlari orasida bosib o‘tgan masofaning o‘rtacha uzunligiga aytiladi b) Yarim o‘tkazgich hajmida teng taqsimlanmagan erkin zaryad tashuvchilar harakatining yo‘nalishiga aytiladi c) Valent elektronlarning р-soha-dan n -sohaga tunnel o‘tish natijasida tokning keskin ortib ketishi d) р- n o‘tish qiziganda teskari tokni boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi
29-Bilet _________________ ___________________ _________________ 1. Induksiyalangan p-kanalli MT ni ko‘rsating a) b) c) d) 2. Заряд ташувчилар томонидан канал туйинишига олиб келадиган режим a) Tuyinish rejimi b) Invers rejim c) Aktiv rejim d) Berk rejim 3. Rezistordan o’tayotgan tokning amplitudasi 2.0A resistor uchlaridagi kuchlanishning amplitudasi 310 V bo’lsa ,unda ajralayotgan quvvat qancha? a) 155 W b) 310 W c) 320 W d) 300 W 4. Stabilitronning qo‘llanilishi a) tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda b) sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun c) yorug‘lik signallarini elektr signallarga aylantirish uchun d) sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun 5. Bipolyar tranzistor qachon va kim tomonidan kashf qilingan? a) 1906 yili L.de Forest tomonidan b) 1895 yilda A.S. Popov tomonidan c) 1906 yili Dj. Bardin, V. Bratteyn tomonidan d) 1948 yili Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan 6. p-n o‘tish to‘g‘ri ulanganda diffuz tokining qiymati a) b) c) d) 7. Bipolyar tranzistorning sohalari qanday nomlanadi a) Stok, istok, zatvor b) Emitter, baza c) Emitter, baza, kollektor d) Anod, katod 8. BTning UE ulangan sxemasidagi chiqish elektrod xarakteristikalarini ko‘rsating a) b) c) d) 9. Bipolyar tranzistor qanday qurilma? a) elektr o‘zgartiruvchi qurilma b) elektr yoritgich qurilma c) fotoelektrik qurilma d) termoelektrik qurilma 10.p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor... a) ikkita p-n o‘tish va uchta elektrodga ega b) bitta p-n o‘tish va ikkita elektrodga ega c) uchta p-n o‘tish va ikkita elektrodga ega d) bitta p-n o‘tish va uchta elektrodga ega
30-Bilet
_________________ ___________________ _________________ 1. Metallarda temperatura ortishi bilan ular qarshiligi qanday o‘zgaradi? a) O‘zgarmaydi b) Kamayadi c) oshishi xam mumkin, kamayishi xam mumkin d) Ortadi 2. Стабисторнинг VAX da ishchi sohasini ko‘rsating
a) О-А-В b) А-В c) С-О-А-В d) О-С 3. Kanali qurilgan MTni ko‘rsating a) b) c) d) 4. Kuchaytirish qobiliyatiga ega bo‘ladigan maydoniy tranzistor rejimi a) Berk rejim b) Tuyinish rejimi c) Aktiv rejim d) Invers rejim 5. Bipolyar tranzistorning qaysi sohasining konsentratsiyasi eng katta a) Baza b) Kollektor c) Zatvor d) Emitter 6. Solishtirma qarshilikni hisoblash formulasini aniqlang a) b) c) d) 7. Yarim o‘tkazgich hajmida teng taqsimlanmagan erkin zaryad tashuvchilar harakatining yo‘nalishi... deb ataladi a) yashash vaqti b) zaryad tashuvchilar harakatchanligi. c) diffuziya harakati d) dreyf tezligi 8. Yarimo‘tkazgichlirda qanday energetik zonalar mavjud? a) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona, valent zona b) O‘tkazuvchanlik zonasi, taqiqlangan zona c) O‘tkazuvchanlik zonasi, valent zona d) Taqiqlangan zona, valent zona 9. BTning UB ulangan sxemasidagi chiqish elektrod xarakteristikalarini ko‘rsating a) b) c) d) 10. Канал орқали заряд ташувшилар оқими истокдан стокка эмас, балки стокдан истокка ўтадиган режим a) Invers rejim b) Aktiv rejim c) Berk rejim d) Tuyinish rejimi
Download 0,87 Mb. Do'stlaringiz bilan baham:
|
Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha
yuklab olish