1-мавзу. Кириш. Режа Электроника ва схемаларнинг ўрни

Микроэлектроника – физик, конструктив-технологик ва схемотехник усуллардан фойдаланиб янги турдаги электрон асбоблар– ИМСлар ва уларнинг қўлланиш принципларини ишлаб чиқиш йўлида изланишлар олиб бораётган электрониканинг бир йўналишидир.
Ҳозирги кунда телекоммуникация ва ахборотлаштириш тизимининг ривожланиш даражаси том маънода микроэлектроника ва наноэлектроника маҳсулотларининг уларда қўлланилиш даражасига боғлиқ.
Биринчи ИМСлар 1958 йилда яратилди. ИМСларнинг ҳажми ихчам, оғирлиги кам, энергия сарфи кичик, ишончлилиги юқори бўлиб, ҳозирги кунда уч конструктив-технологик вариантларда яратилмоқда: қалин ва юпқа пардали, яримўтказгичли ва гибрид.
1965 йилдан буён микроэлектрониканинг ривожи Г. Мур қонунига мувофиқ бормоқда, яъни ҳар икки йилда замонавий ИМС-лардаги элементлар сони икки марта ортмоқда. Ҳозирги кунда элементлар сони 10⁶÷10⁹ та бўлган ўта юқори (ЎЮИС) ва юқори (ГЮИС) ИМСлар ишлаб чиқарилмоқда.
Микроэлектрониканинг қарийб ярим асрлик ривожланиш даври мобайнида ИМСларнинг кенг номенклатураси ишлаб чиқилди. Телекоммуникация ва ахборот – коммуникация тизимларини лойиҳаловчи ва эксплуатация қилувчи мутахассислар учун замо-навий микроэлектрон элемент базанинг имкониятлари ҳақидаги билимларга эга бўлиш муҳим.
Интеграл микроэлектроника ривожининг физик чегаралари мавжудлиги сабабли, ҳозирги кунда анъанавий микроэлектроника билан бир қаторда, электрониканинг янги йўналиши – наноэлектроника жадал ривожланмоқда.
Наноэлектроника ўлчамлари 0,1 дан 100 нм гача бўлган ярим ўтказгич тузилмалар электроникаси бўлиб, микроэлектрониканинг микроминиатюрлаш йўлидаги мантиқий давоми ҳисобланади. У қаттиқ жисм физикаси, квант электроникаси, физикавий кимё ва яримўтказгичлар электроникасининг сўнгги ютуқлари негизидаги қаттиқ жисмли технологиянинг бир қисмини ташкил этади.
Сўнгги йилларда наноэлектроникада муҳим амалий натижа-ларга эришилди, яъни замонавий телекоммуникация ва ахборот тизимларнинг негиз элементларини ташкил этувчи: гетеротузилмалар асосида юқори самарадорликка эга лазерлар ва нурланувчи диодлар яратилди; фотоқабулқилгичлар, ўта юқори частотали транзисторлар, бир электронли транзисторлар, турли хил сенсорлар ҳамда бошқалар яратилди. Наноэлектрон ЎЮИС ва ГЮИС микропроцессорларни ишлаб чиқариш йўлга қўйилди.
Швеция Қироллиги фанлар академияси илмий ишларида тезкор транзисторлар, лазерлар, интеграл микросхемалар (чиплар) ва бошқаларни ишлаб чиқиш билан замонавий ахборот комму-никация технологияларига асос солган олимлар – Ж.И. Алферов, Г. Кремер, Дж.С. Килбини Нобель мукофоти билан тақдирлади.
Интеграл микроэлектроника ва наноэлектроника билан бир вақтда,