1-mavzu. Kanali induksiyalangan mdya – tranzistor, Kanali qurilgan mdya – tranzistor Reja: Kanali induksiyalangan mdya – tranzistor

Kanali qurilgan MDYa – tranzistor

• 33 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.
• Agar UZI = 0 bo‘lganda USI kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta’sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi.
• Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr maydoni ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.

Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 34 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: USI=const bo‘lgandagi IS= f (UZI) bilan ifoda-langan. UZI 0 bo‘lganda tranzistor boyish rejimida, UZI 0 bo‘lganda esa kambag‘allashish rejimida ishlaydi. Boyish rejimida stok xarakteristikalari UZI = 0 da olingan boshlang‘ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 b- rasm).