1-лаборатория ишини бажаришда керак бўладиган Electronics Workbench дастурининг компонентлари

12.2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
12.2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:
Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.
Кириш ва бошқариш характеристикалари12.1 – жадвал

ЕЕ	В
уЕБ	В
ИЕ	мкА
иК	мА

12.2 – жадвал
Транзистор чиқиш характеристикалари

ИЕ, мкА
	уКБ	В
	иК	мА
	уКБ	В
	иК	мА
	уКБ	В
	иК	мА
ва ҳ.з.

12.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор тсоколининг схемаси 12.5 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари Р₁= (270-510 ) Ом ва Р₂=(510-1000) Ом.
12.2.2. = 5 В ўзгармас кучланиш қийматларида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 12.1 - жадвалга киритинг.

12.4-расм



12.5- расм
12.2.3. Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:
Чиқиш характеристиклар оиласини эмиттер токининг и_Е = 0 мА қийматидан бошлаб ҳар 4 мА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ( >0) ва тўйиниш ( <0) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.
3. Ўлчаш натижаларини ишлаш:
12.3.1. Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг.
у_КБ = 5 В, и_Е = 8 мА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг
, ,
12.3.2. Емиттер токи 8 мА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли – бўлак аппроксиматсияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.
13-ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ.
МТ статик характеристикаларини тадқиқ этиш.
Ишнинг мақсади: Майдоний транзистор статик характеристикалари ва дифферентсиал параметрларини ўрганиш, транзистор ишига температуранинг таъсирини тадқиқ этиш.
13.1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:
Лаборатория ишида тузилиши ва схемаларда шартли белгиланиши 13.1- расмда келтирилгани канали р- турли майдоний транзистор тадқиқ этилади.

а) б)
13.1-расм
Сток токи затворга кучланиш бериш орқали бошқарилади, яъни бошқарилаётган п-н ўтишга тескари кучланиш У_ЗИ>0 берилади. У_ЗИ даги беркитиш кучланиши ортган сари ҳажмий заряд соҳасининг кенглиги ортиб боради. Натижада берилган У_СИ кучланиш қийматида канал кенглиги кичраяди, унинг қаршилиги Р_К ортади, демак сток билан исток оралиғидаги сток токи И_С камаяди. 13.2- расмда бошқариш характеристикаси И_С= ф (У_ЗИ) келтирилган.
Бошқарувчи п-н ўтишнинг ҳажмий заряд соҳаси ва асос билан канал орасидаги п-н ўтиш бириккандаги (сток токи И_С нолга тенг бўладиган) затвор кучланиши қиймати бўсағавий кучланиш У_БЎС деб аталади.

13.2-расм
Тўйиниш режимида ишлаётган майдоний транзистор бошқарув характеристикасини қуйидаги боғлиқлик билан аппроксиматсиялаш қулай.
(13.1)
бу эрда максимал сток токи затвор – исток кучланиши нол И_{С мах} – У_ЗИ = 0 га мос келувчи бошланғич сток токи.
Бошқарув характеристикасидан (13.2- расм) характеристика тиклиги аниқланиши мумкин.
.
(6.1) аппроксиматсиядан фойдаланилганда тиклик қуйидагича аниқланади:
, (13.2)
Майдоний транзистор чиқиш характеристикалар оиласи 13.3 – расмда келтирилган. Характеристиканинг бошланғич соҳаси (У_СИ<У_{СИ ТЎЙ}) чизиқли режимга мос келади. Бу режимда канал бутун исток-сток оралиғида мавжуд бўлади, шунинг учун У_СИ ортган сари, чизиқли қонунга мос равишда сток токи ҳам ортади.
У_СИ<У_СИ.ТЎЙ да транзистор тўйиниш режимига ўтади, бу соҳада сток токи И_С сток кучланиши У_СИ га кучли боғлиқ бўлмайди. Икки режим чегараси ҳисобланган тўйиниш кучланиши У_СИ.ТЎЙ затвордаги кучланиш У_ЗИ га боғлиқ бўлади ва қуйидаги формуладан аниқланади: У_СИ.ТЎЙ=У_ЗИ–У_БЎС. Чиқиш характеристикасидан (13.3 - расм) чиқиш қаршилиги аниқланиши мумкин


13.3-расм
Бу катталик тўйиниш режимида ҳисобланса, катта қийматга эга бўлади, шунинг учун транзистор кучайтиргич сифатида ишлатилаётганда схеманинг сокинлик нуқтаси шу режимда танланади. Чизиқли режимда транзистор чиқиш қаршилиги затвордаги кучланиш У_ЗИ га боғлиқ ва тахминан танланган ишчи нуқтада У_СИ кучланишини И_С токка нисбати кўринишида ёки 13.3 – формуладан аниқланиши мумкин.
, (13.3)
бу эрда .