1-Лаборатория иши имс тайёрлаш технологияси ва классификацияси билан танишиш

1-Лаборатория иши


ИМС тайёрлаш технологияси ва классификацияси билан танишиш


Ишнинг мақсади: ИМС тайёрлаш технологиясининг асосий босқичлари, уларнинг топологияси билан танишиш ва ИМС белгиланиш тизимини ўрганиб чиқиш.





2 - лаборатория иши
БТда ясалган УЭ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: УЭ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
5.3 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг схемаси 5.4 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари R₁= (5–10 ) кOм ва R₂=(510-1000) Ом.
R1=5kOm va R2=510 Om E1=E2=5V qiymati uchun:

DC power da ishlangani:

Natiyjasi:

3 - лаборатория иши
БТда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
4.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг схемаси 4.5 – расмда келтирилган. Резистор қаршиликлари R₁= [100;550]Oм ва R₂=100 Ом. E1=[5;15] E2=[6;24]



1)E1=8, E2=12, R1=200, R2=100 AC power.


E1=8, E2=12, R1=250, R2=100


3)E1=8,E2=12, R1=300, R2=100


4)E1=8, E2=12, R1=350, R2=100


5)E1=8, E2=12, R1=400, R2=100

-

4 - лаборатория иши