1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish

1 – laboratoriya ishi


IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan IMS strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish

Ishning maqsadi: IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari, ularning topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish.

Nazorat saollar:

1. 
   Integral mikrosxema (IMS) nima ?
   
2. 
   IMS asosiy xususiyati nimada ?
   
3. 
   IMS elementi va komponentasi deb nimaga aytiladi ?
   
4. 
   Pardali, gibrid va yarim o‘tkazgichli IMSlarning bir – biridan farqi nimada?
   

2 – laboratoriya ishi


IMS belgilanish tizimini o’rganib chiqish.


Ishning maqsadi: IMS topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish.


Nazorat saollar:

1. 
   CHoxralskiy usuli nima?
   

2. Termik oksidlash nima?
CHoxralskiy usulida tarkibiga donor yoki akseptor kiritmalar qo‘shilgan o‘ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. Eritma eritgan monokristal o‘z o‘qi atrofida asta – sekin aylantirilib ko‘tariladi. Monokristal ko‘tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristali hosil bo‘ladi. Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n– yoki p–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki p–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO₂) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) ⁰S temperaturalarda kechadi.
IMSlar tayyorlashda SiO₂ qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYA – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.
3 – laboratoriya ishi

BTda yasalgan UE kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.

2.1-rasm. UE sxemasidagi BTda bajarilgan
sodda kuchaytirgich bosqichi sxemasi.

4-laboratoriya ishi

Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.

5.4 – rasmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari R₁= (5–10 ) kOm va R₂=(510-1000) Om.

5.4-rasm






5 - laboratoiya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UB kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishnining maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) emitteri umumiy (UE), bazasi umumiy (UB), kollektori umumiy (UK) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish.

a) b) v)
3.1 – rasm. UE (a), UB (b) va UK (v) sxemasidagi
kuchaytirgich bosqichi sxemalari.