Yarimo'tkazgichli mikrosxemalarni ishlab chiqarish texnologiyasi



Download 69,06 Kb.
Sana06.07.2022
Hajmi69,06 Kb.
#746299
Bog'liq
Yarimo\'tkazgichli mikrosxemalarni ishlab chiqarish texnologiyasi

Yarimo'tkazgichli mikrosxemalarni ishlab chiqarish texnologiyasi.

Yarimo`tkazgichli mikrosxemalar.

Dielektrik, yarimo'tkazgich – metall.

Yarimo'tkazgichli mikrosxemalar.

  • Yarimo'tkazgich texnologiyasining turiga qarab (lokalizatsiya va litografiya, vakuumli cho'kma va galvanik cho'kma, epitaksiya, diffuziya, doping va etching) sig'imga yoki faol qarshilikka yoki turli xil yarimo'tkazgich qurilmalariga ekvivalent bo'lgan turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan hududlar olinadi. Nopoklarning kontsentratsiyasini o'zgartirib, kristalda berilgan elektr zanjirini takrorlaydigan ko'p qatlamli strukturani olish mumkin.

Hozirgi vaqtda yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarishda guruh usullari qo'llaniladi integral mikrosxemalar, bir texnologik sikl uchun bir necha yuzlab mikrosxemalar blankalarini olish imkonini beradi. Eng keng tarqalgan mikrosxemalarning elementlari (kondensatorlar, rezistorlar, diodlar va tranzistorlar) bir xil tekislikda yoki substratning bir tomonida joylashganligidan iborat bo'lgan guruh planar usulini oldi.

  • Hozirgi vaqtda yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarishda guruh usullari qo'llaniladi integral mikrosxemalar, bir texnologik sikl uchun bir necha yuzlab mikrosxemalar blankalarini olish imkonini beradi. Eng keng tarqalgan mikrosxemalarning elementlari (kondensatorlar, rezistorlar, diodlar va tranzistorlar) bir xil tekislikda yoki substratning bir tomonida joylashganligidan iborat bo'lgan guruh planar usulini oldi.

Yarim o`tkazgichli mikrosxemalar.

Dielektrik, yarimo'tkazgich – metall.

  • Hozirgi vaqtda planar epitaksial texnologiya bilan Si02 kontakt maskalari yordamida eng ko'p ishlatiladigan selektiv mahalliy epitaksial o'sish. Epitaksial qatlamlarning belgilangan parametrlarini olish uchun qalinligi, qarshiligi, qatlam qalinligi bo'yicha ifloslik kontsentratsiyasining taqsimlanishi va nuqson zichligini nazorat qilish va sozlash amalga oshiriladi. Ushbu qatlam parametrlari p-c-o'tishlarning buzilish kuchlanishlari va teskari oqimlarini, tranzistorlarning to'yinganlik qarshiliginiichki qarshilik va tuzilmalarning volt-farad xususiyatlari. Issiqlik diffuziyasi - kontsentratsiya gradienti bilan belgilanadigan moddaning zarrachalarining konsentratsiyasini pasaytirish yo'nalishi bo'yicha yo'nalishli harakati hodisasi.

Download 69,06 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish