Variant 1 Bipolyar tranzistorlarda yig‘ilgan kuchaytirgich kaskadlarini hisoblash. Ishdan maqsad



Download 497.69 Kb.
bet1/4
Sana13.05.2020
Hajmi497.69 Kb.
  1   2   3   4

Variant 1

Bipolyar tranzistorlarda yig‘ilgan kuchaytirgich kaskadlarini hisoblash.

Ishdan maqsad – Bipolyar tranzistorlarda yig‘ilgan kuchaytirgich kaskadlarini o‘rganish, kuchaytirgich asosiy parametrlarini aniqlash va o‘zgarmas tok bo‘yicha shu parametrlarni hisoblash.

Uslubiy ko‘rsatmalar

Umumiy emitter ulanish sxemasi quyidagi sxemada keltirilgan va ular ikki xil ko‘rinishda



1-rasm.


Kam kuvvatli bipolyar tranzistorning strukturasi (a) va konstruksiyasi (b).

Baza karshiligini juda yukori kilib tayyorlanadi. Emitter va kollektor karshiliklari esa bazanikidan ancha past bo‘ladi. Bunda emitterning karshiligi kollektor karshiligidan bir necha barobar kam bo‘ladi.

Emitter baza o‘tkazishiga Ueb kuchlanish to‘g‘ri yo‘nalishda beriladi, shuning uchun kuchlanishning kichik kiymatida xam unda katta tok xosil bo‘ladi. Kollektor baza yo‘nalishiga Ukb kuchlanish teskari yo‘nalishda beriladi. Bu kuchlanish emitter va baza orasidagi kuchlanishdan bir necha barobar katta bo‘ladi. n-p-n tipidagi tranzistorlarning ishlashini ko‘rib chikamiz: kollektor va baza orasidagi musbat kuchlanish berilganda emitter toki Ie nolga teng bo‘lganda Iko kollektorning o‘tkazishi tomonidan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar xarakatidan xosil bo‘lgan tok okadi. Xarorat oshganda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar soni ortadi va Iko kollektor toki keskin oshib ketadi.

Emitterni manbadagi manfiy kismga ulaganda Ie emitter toki paydo bo‘ladi. Tashki kuchlanish emitter o‘tishiga to‘g‘ri yo‘nalishda berilganligi uchun elektronlar n-o‘tish tomonidan o‘tib bazaga keladi. Baza p –yarim o‘tkazgichdan tayyorlangan shuning uchun elektronlar u yerda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchi xisoblanadi.

Kuchaytirgichlarning muhim xarakteristikalari bo‘lib quyidagilar hisoblanadi: kuchaytirish koeffitsienti, o‘tkazish polosasi (oralig‘i) (bu parametrni kuchaytirgichning ishchi chastotalari oralig‘i ham deyiladi), kirish va chiqish qarshiliklari, chiqish quvvati, nochiziq buzilishlar koeffitsienti.

Kuchaytirish koeffitsienti kirish va chiqish signallarining o‘rnashgan qiymatlari nisbatiga tengdir. Kuchaytirilayotgan kattalikning turiga qarab quyidagi kuchaytirish koeffitsientlari mavjud:

- kuchlanish bo‘yicha KU=ΔUchiq / ΔUkir ;

- tok bo‘yicha KI=ΔIchiq / ΔIkir ;

- quvvat bo‘yicha KP=ΔPchiq / ΔPkir, bu yerda Uchiq , Ukir , Ichiq ,1kir – kuchlanish va tokning amaldagi qiymatlari. Bir nechta kuchaytirgichlarni kaskad qilib ulaganimizda umumiy kuchaytirish koeffitsienti alohida olingan kuchaytirish koeffitsientlarining ko‘paytmasiga teng bo‘ladi:

Kum=K1· K2 ·…·Kn .

Kuchaytirgich o‘tkazish polosasi–bu ishchi chastotalarining shunday diapazoniki, bu oraliqda kuchaytirish koeffitsienti 0,707·Kmax qiymatdan pastga tushib ketmaydi.

Kuchaytirish koeffitsientining kuchaytirilayotgan signal chastotasiga bog‘liqligi kuchaytirgichning amplituda-chastota xarakteristikasi ( AChX) deb ataladi.

Kirish va chiqish qarshiliklari kuchaytirgich qurilmalarining muhim parametrlaridan biri hisoblanadi. Ularning qiymatlari kuchaytirgich qurilmasining kirish signali manbai bilan ham, chiqish yuklamasi bilan ham moslashuvlari talab etiladi.

Kuchaytirgichning chiqish quvvati – bu yuklama qarshiligida ajralib chiqadigan quvvatdir.

Kuchaytirgichda signallarning buzilishi ikki turda bo‘ladi – statik (nochiziq) buzilishlar, ular ishlatilayotgan yarim o‘tkazgich asboblar VAXlarining statik nochiziqliklari natijasida kelib chiqadi, ikkinchi buzilishlar – dinamik ( amplituda va faza) buzilishlar, kuchaytirilayotgan signal amplitudasi va fazasining chastotaga bog‘liqliklaridan kelib chiqadi.

Nochiziq buzilishlarni miqdoriy baholash uchun nochiziq buzilishlar ( garmonikalar) koeffitsienti Kn ishlatiladi.

Bipolyar tranzistorlarda yig‘ilgan sxemalarning ishchi rejimlari quyidagi tenglamalar sistemalari bilan ifodalansa bo‘ladi ( umumiy kollektor sxemasi uchun Rk=0): Umanba = Ik·Rk+ Uke + IeRe , Eb = IbRb + Ube+ IeRe . Bu yerda Eb i Rb- iste'mol manbasi va baza zanjiri ekvivalent qiymatlari : Eb = UmanR2/(R1 + R2) ; Rb = R1R2/(R1 + R2) .

Tenglamalar sistemasiga tranzistor aktiv rejimini ifodalaydigan tenglamalarni qo‘shish kerak:

Ie = Ik + Ib ,

Ik = βIb ,

Ube ≈ 0,7 V.

Oxirgi tenglama shuni ko‘rsatadiki, aktiv rejimda bazadagi kuchlanish sezilarli darajada o‘zgarmaydi ( kirish volt-amper xarakteristikasi keskin yuqoriga ko‘tarilib ketadi).

Kuchaytirgich kaskadlarining asosiy parametrlari quyidagilardir:

KU = (Uchiq / Ukir) –kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti;

Rkir = (Ukir / Ikir) –kaskadning kirish qarshiligi;

Rchiq = (ΔUchiq / ΔIchiq) -kaskadning chiqish qarshiligi.

1 - rasmdagi UEli kaskad uchun bu parametrlarni yoki kichik signalli parametrlarni o‘rin bosuvchi sxemalar h-parametrlari orqali,yoki tranzistorning ma'lum ishchi toklari orqali aniqlash mumkin : KU = -(Ik/ϕT) ⋅Rk⋅ξchiq , Rkir = [β⋅ (ϕT/Ik)]║Rb , Rchiq = Rk .

Bu tenglamalarda ϕT - issiqlik potensiali bo‘lib, normal temperaturada 25 mV ga tengdir; ξchiq–chiqish kuchlanishining bo‘linish koeffitsienti: ξchiq = Rn/(Rk+ Rn) .

OKli sxema uchun (2- rasm) asosiy parametrlar kaskadning kichik signalli o‘rin bosuvchi sxemalari orqali hisoblanadi: KU = β·Re/(1+β·Re) , Rkir = {[(ϕT/Ik) + Re] ·β}║Rb , Rchiq = Re║(ϕT/Ik) .

Yuqorida keltirilgan tenglamalarning qulayligi shundaki, tranzistorning β kuchaytirish koeffitsientidan boshqa ma'lumotnomalar spravochniklardan olinmasa ham bo‘ladi.

Tranzistorning kichik signalli parametrlari uning Ik ishchi toki orqali aniqlanadi.


Download 497.69 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
O’zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
zbekiston respublikasi
davlat pedagogika
o’rta maxsus
axborot texnologiyalari
nomidagi toshkent
pedagogika instituti
texnologiyalari universiteti
navoiy nomidagi
samarqand davlat
guruh talabasi
ta’limi vazirligi
nomidagi samarqand
toshkent davlat
toshkent axborot
haqida tushuncha
Darsning maqsadi
xorazmiy nomidagi
Toshkent davlat
vazirligi toshkent
tashkil etish
Alisher navoiy
Ўзбекистон республикаси
rivojlantirish vazirligi
matematika fakulteti
pedagogika universiteti
таълим вазирлиги
sinflar uchun
Nizomiy nomidagi
tibbiyot akademiyasi
maxsus ta'lim
ta'lim vazirligi
махсус таълим
bilan ishlash
o’rta ta’lim
fanlar fakulteti
Referat mavzu
Navoiy davlat
haqida umumiy
umumiy o’rta
Buxoro davlat
fanining predmeti
fizika matematika
malakasini oshirish
universiteti fizika
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
jizzax davlat
davlat sharqshunoslik