Va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI

VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va radiotexnika kafedrasi

“ Elektronika va sxemalar 2” fanidan

1-Mustaqil ish

Mavzu: Umumiy Emitter sxemasi bo’yicha yig’ilgan Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini hisoblash

44-variant

Guruh: CAE012

Bajardi:Salohiddinov Sirojbek

Tekshirdi: Arziyev Davron

Toshkent-2020

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasi bo'yicha yig'ilgan BC549BP (variant bo'yicha transistor turi) bipolyar tranzistorining kuchaytirgich kaskadlarini texnik parametrlarini hisoblash va o'lchash bo'yicha amaliy ko'nikmalarni mustahkamlash.
Variant № 44

Variantlar va daslabki ma’lumotlar:

Variant	Tranzistor turi	Baza sokin toki Iбп, мкА	Manba kuchlanishi Ек, В	Kollektor qarshiligi Rк, Ом	Kuchaytirgichning quyi chegaraviy chastotasi fН, Hz
44	BC549BP	50	15	500	50

1. BC549BP tranzistorining parametrlarini hisoblash
1.1 UE sxemasi asosida BC549BP tranzistorining kirish va chiqish statik

xarakteristikalarining grafigini tuzish.

UE sxemasiga asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari ya'ni

U_кэ = 0 va U_кэ = 10 B bo'lganida I_б = f(U_бэ) bog'liqlik oilasi grafigini tuzish.

Tranzistorning parametrlarini aniqlash uchun sxema yig'iladi.

1. 
   rasm. Tranzistorning kirish xarakteristikalari oilasini aniqlash
   

Aniqlangan I_Б va U_БЭ qiymatlarini 1-jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorining kirish xarakterskalari oilasi grafigini tuzamiz.

BC549BP tranzistorning UE sxemasiga mos ravishda U_кэ = 0 V va U_кэ= 10V bo’lganda I_б = f(U_бэ) kirish xarakterstikalari oilasi

1-jadval

UКЭ=0V		UКЭ=10V
IБ, мкА	UБЭ, мV	IБ, мкА	UБЭ, мV
25	605	25	696
50	626	50	720
75	638	75	735
100	647	100	747
125	654	125	757
150	659	150	766
175	664	175	774
200	668	200	781
250	675	250	793
300	680	300	804
350	684	350	814
400	688	400	823

Berilgan qiymatlar asosida I_б = f(U_бэ) kirish xarakteristikalari oilasi grafigini chizamiz(2-rasm).

(2-rasm). BC549BP tranzistorining I_б = f(U_бэ) kirish xarakteristikalari oilasi grafigi

UE sxemasiga asosan BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari, ya'ni Ib = const bo'lganida Ik = f(Uke) bog'liqlik oilasi grafigini tuzish.

Tranzistor parametrlarini aniqlash uchun 2 sxema yig'iladi (3- rasm)

3-rasm. Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini aniqlash

Baza tokining I_б = 25 мкА; I_б = 50 мкА; I_б = 75 мкА; I_б = 100 мкА; I_б = 125 мкА; I_б = 150 мкА qiymatlarida tranzistorning kollektor toki I_к va kollektor va emitter orasidagi kuchlanish U_кэ olingan qiymatlarini 2-jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi I_б = const bo’lganda I_к = f(U_кэ) grafigi tuziladi.

BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi

I_к = f(U_кэ)

2-jadval

UКЭ	IБ=25 мкА bo’lganda IК	IБ=50мкА bo’lganda IК	IБ=75 мкА bo’lganda IК	IБ=100мкА bo’lganda IК	IБ=125 мкА bo’lganda IК	IБ=150мкА bo’lganda IК
0	0,029779	0,074952	0,124589	0,17585	0,227378	0,27842
0,5	7,314	14,441	21,092	27,324	33,198	38,766
1,0	7,363	14,536	21,232	27,506	33,419	39,025
2,0	7,459	14,729	21,513	27,869	33,861	39,541
3,0	7,556	14,92	21,793	28,233	34,304	40,058
4,0	7,653	15,112	22,074	28,597	34,746	40,574
5,0	7,751	15,305	22,355	28,961	35,189	41,092
6,0	7,846	15,496	22,634	29,325	35,632	41,608
7,0	7,946	15,688	22,915	29,687	36,072	42,125
8,0	8,041	15,88	23,197	30,052	36,516	42,641
9,0	8,139	16,071	23,476	30,417	36,955	43,157
10	8,237	16,264	23,759	30,781	37,399	43,675
15	8,72	17,222	25,16	32,598	39,611	46,256
20	9,205	18,186	26,56	34,415	41,823	48,839

Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi I_к = f(U_кэ) grafigini tuzamiz (4-rasm).

4-rasm. BC549BP tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi

I_к = f(U_кэ) grafigi

1.2 BC549BP tranzistorining umumiy emitter sxemasi uchun olingan vol`tamper

xarakteristikasidan grafik usulda h– parametrini aniqlash.

BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi I_б = f(U_бэ)dan h_11э ni aniqlaymiz. Tranzistorning statik rejimini aniqlovchi U_кэ=10 V ga mos keluvchi berilgan baza sokin toki I_бп=50 мкА qiymati yordamida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz.

“А” nuqtaning koordinatalari: I_бп=50 мкА, U_бэп=720 мВ.

“А” ishchi nuqta yaqinida bir xil masofada ikkita yordamchi nuqtalar aniqlab olamiz va oraliq baza toki ΔI_б va oraliq kuchlanish ΔU_бэ qiymatini aniqlab, quyidagi ifoda yordamida differensial qarshilikni topamiz:

5- rasmdan I_б1=25 мкА, I_б2=75 мкА, U_бэ1=698 мВ, U_бэ2=738мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h_11эқуйидагича аниқланилади:



5- rasm. h_11э parametrini grafik usulda aniqlash

BC549BP tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasi

I_б = f(U_бэ) dan, h_12э ni aniqlaymiz. Buning uchun U_кэ=0 B holatida olingan xarakteriskani kesishuvchi “А” nuqtadan gorizantal chiziq o’tqazib olamiz. BC549BP tranzistorning emitter va kollektor orasidagi kuchlanish orttirmasi quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:

ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1=10В – 0B=10B

ΔU_кэ qiymatiga asosan tranzistorning emitter va bazasi orasidagi kuchlanishi orttirmasini aniqlaymiz:

ΔU_бэ= U_бэп4 – U_бэ3=720мВ – 604мВ=114мВ

ΔU_бэ

6-rasm. h_12э parametrni grafik usulda aniqlash.

h_12э parametrini quyidagi ifoda yordamida aniqlaymiz:

BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasi I_к = f(U_кэ) (I_б = const) dan h_21э parametrni aniqlaymiz. I_бп = 50 мкА uchun ВАХ ni chiqish shaxobchasi bilan yuklamaning chiziqli kesishmasi (Е_к = 15 В, R_к =500 Ом) sifatida tranzistorning chiqish xarakteristikasida “А” ishchi nuqtani aniqlaymiz.

I_к toki o’qi bo’yicha Е_к/ R_к = 30 мА qiymatini ajratib olamiz.

U_кэ kuchlanishi o’qi bo’yicha Е_к = 15В qiymatini ajratib olamiz.

I_к2

I_к1

6B

Е_к = 15В

16мA

7-rasm. h_21э parametrini grafik usulda aniqlash

“А” ishchi nuqtasi uchun quyidagi koordinatalarni olamiz: I_кп =16 мА, U_кэ=6B. I_б1 = 25 мкА ва I_б5 = 125 мкА bo’lganidagi ВАХ ni shaxobchalari bilan kesishguniga qadar ishchi nuqtadan to’g’ri vertical chiziq o’tkazamiz.

Berilgan I_бп baza toki qiymatiga yaqin qiymatda olingan ΔI_б baza toki orttirmasini quyidagi ifoda yordamida aniqlaymiz:
ΔI_б = I_б5 – I_б1=125 мкА – 25 мкА=100 мкА
Quyidagi ifoda yordamida aniqlanadigan kollektor tokining orttirmasi, ΔI_б baza toki orttirmasiga mos keladi:
ΔI_к = I_к2 – I_к1=30 мА – 8 мА = 22 мА
h_21э parametri quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:

BC549BP tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasi I_б = 50 мкА bo’lganida I_к = f(U_кэ) bog’liqlikdan h_22э parametrni aniqlaymiz. Buning uchun I_бп = 50 мкА bo’lganda xarakteristika shaxobchasida “А” ishchi nuqta yaqinida ikkita bir xil masofalardagi yordamchi nuqtalar tanlaymiz va tranzistorning emitter va kollektori orasidagi kuchlanishni orttirmasini aniqlaymiz:

I_к4

I_к3

6

ΔU_{кэ Uкэ2}

ΔI_к

8-rasm. h_22э parametrini grafik usulda aniqlash
ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1= 8В – 6В = 2 В
Bu U_кэ esa kollektor tokini orttirmasini keltirib chiqaradi:

ΔI_к=I_к4 – I_к3=16мА – 15,2мА = 0,8 мА

U holda h_22э parametri quyidagiga teng:

1.3. BC549BP tranzistorining kirish va chiqish qarshiligini quyidagi ifoda yordamida aniqlaymiz:

1.4. BC549BP tranzistorining tok bo’yicha uzatish koeffisienti β ni aniqlaymiz:

2. UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadini elementlarini parametrlarni hisoblash.

9-rasm. UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadi sxemasi

2.1. Kaskadning qarshiliklarini hisoblash

Sokinlik rejimida tok bo’luvchini aniqlash

Sokinlik rejimini beruvchi qarshiliklar yig’indisini anqilash

R_э qarshilikdagi kuchlanishni aniqlash

Qarshilik elementlarini qiymatini aniqlash (Е24 qarshilik nominallari qatori bo’yicha).

Е24 qarshiliklar qiymatlari qatoriga mos ravishda quyidagilarni olamiz:

Е24 qarshiliklar qiymatlari qatoriga mos ravishda:

2.2. Kaskadni sig’imli elementlarini hisoblash

O’zgaruvchan tok bo’yicha R_э qarshilik shuntlovchi kondensator sig’imini aniqlash.

Е24 qiymatlari qatoriga mos ravishda С_э = 16,4 мкФ ni olamiz.

Ajratuvchi kondensatorlar sig’imini aniqlash

Е24 қийматлари қаторига мос равишда С_р1 = С_р2 = 20 мкФ deb olamiz.

2.3. Aniqlangan element parametrlarini qo’llab, umumiy emitter sxemasi bo’yicha bajarilgan BC549BP bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini sxemasini chizamiz.

R1 qarshiligini 2·R1=45 кОм ga teng nominal qarshiligi bilan almashtiramiz.

R1 o’zgaruvchi rezistor qarshiligini o’zgartirib, sokinlik rejimiga erishamiz (, U_бэп) va U_кир = 0 o’rnatamiz (kirish signali mavjud bo’lmagan sharti).

10-rasm. Sokinlik rejimida umumiy emitter sxemasi bo’yicha yig’ilgan BC549BP bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadi sxemasi

Sokinlik rejimida ва U_бэп= 708 мВ. Berilgan qiymatiga yaqin qiymatlariga ega bo’lamiz.
3. Kuchaytirgich kaskadini parametrlarini aniqlash.

UE sxemasi asosida yig’ilgan BC549BP bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini kirish qarshiligini o’lchaymiz. Buning uchun kirishga 5 мВ, f_ўр=10 кГц signal beramiz va U_кир va U_чиқ kuchlanishlarini qiymatlarini olamiz (4-sxema). Bunda voltmetrlarni o’zgaruvchi kuchlanishlarni o’lchash rejimi (АС) ga o’tkazib olamiz.

11-rasm. Salt yurish rejimida umumiy emitter bo’yicha yig’ilgan

BC549BP bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadi sxemasi

Kuchaytirgich kaskadini kirish kuchlanishi: U_кир=1,289 мВ

Kuchaytirgich kaskadini chiqish kuchlanishi: U_чиқ=53 мВ