Telekommunikatsiya texnologiyalari


-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash



Download 292.68 Kb.
bet2/2
Sana29.08.2021
Hajmi292.68 Kb.
1   2
1-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:





  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi





  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

1-jadval





IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-0,67

-0,7

0,72

-0,74

-0,75

-0,76

-0,77

-0,78

-0,79

-0,8

-0,82

-0,83



IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-0,63

-0,65

-0,68

-0,71

-0,73

-0,74

-0,76

-0,77

-0,78

-0,79

-0,8

-0,82


2-qism. Chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:

  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning chiqish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

2-jadval



Ik,(mA)

0

1

2

2,5

3

4

-

-

-

-

-

-

-

UKB,V

-0,74

-0,73

-0,71

-0,69

-0,62

-0,6

















Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7









UKB,V

-0,78

-0,77

-0,76

-0,75

-0,74

-0,74

-0,72

-0,71

-0,68











Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7

8

9

10

11,9

UKB,V

0

-0,81

-0,8

-0,79

-0,78

-0,78

-0,77

-0,76

-0,75

-0,73

-0,72

-0,7

-0,66





Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IE=f(UEB) bunda UKB=0 va 2 V.



Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKB) bunda IE=-4;-8 va -12mA

4. h parametrlarni hisoblash:

  1. h11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:



Bu yerda ∆𝑈𝐸𝐵 = ∆𝑈𝐸𝐵.𝑀𝑎𝑥 − 𝑈𝐸𝐵.𝑚𝑖𝑛 𝑣𝑎 ∆𝐼𝐸 = 𝐼𝐸𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐸.𝑚𝑖𝑛;

∆𝑈𝐸𝐵 = −0,67 + 0,82 = 0,15𝑉



  1. h12B parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash



;

  1. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:



∆𝐼𝐾 = ∆𝐼𝐾𝑚𝑎𝑥 − ∆𝐼𝐾𝑚𝑖𝑛 = 11,9 − 4 = 7,9𝑚𝐴

∆𝐼𝐸 = ∆𝐼𝐸𝑚𝑎𝑥 − ∆𝐼𝐸𝑚𝑖𝑛 = −4 + 12 = 8𝑚𝐴



  1. h21B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

h22B



𝐼𝐸 = 8𝑚𝐴

∆𝐼𝐾 = 0,95𝑚𝐴

∆𝑈𝐾𝐵 = 4,42



Xulosa


Men bu laboratoriya ishini qilish jarayoida Bipolyar tranzistorning voltamper xarektristakasini tadqiq qilishni o’rgandim.Birinchi qismda tok kuchini o;zgartirib Ueb ning qiymatlari hisoblandi.Natijalar asosida bog’lanish grafigi Excel dasturi yordamida chizildi.Bundan tashqari h parametrning qiymatlari hisoblab topildi.
Download 292.68 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
maxsus ta’lim
O’zbekiston respublikasi
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
o’rta maxsus
nomidagi toshkent
guruh talabasi
davlat pedagogika
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
toshkent axborot
pedagogika instituti
rivojlantirish vazirligi
haqida tushuncha
toshkent davlat
Toshkent davlat
vazirligi toshkent
tashkil etish
matematika fakulteti
ta’limi vazirligi
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
samarqand davlat
vazirligi muhammad
pedagogika universiteti
bilan ishlash
fanining predmeti
Darsning maqsadi
navoiy nomidagi
o’rta ta’lim
Ishdan maqsad
haqida umumiy
nomidagi samarqand
fizika matematika
sinflar uchun
fanlar fakulteti
maxsus ta'lim
Nizomiy nomidagi
ta'lim vazirligi
moliya instituti
universiteti fizika
Ўзбекистон республикаси
umumiy o’rta
Referat mavzu
respublikasi axborot
Toshkent axborot
таълим вазирлиги
Alisher navoiy
махсус таълим
Buxoro davlat