Tajriba ishi №3 ue ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish h-parametrlarini hisoblash



Download 131,63 Kb.
bet1/2
Sana26.11.2022
Hajmi131,63 Kb.
#872918
  1   2
Bog'liq
Tajriba ishi 3


TAJRIBA ISHI № 3


UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish. h-parametrlarini hisoblash.

Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.


1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:


Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:


(5.1)

Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.


BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda (5.2)
, bo’lganda (5.3)

a) b)

5.1-rasm

Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar (5.1-5.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.


(5.4)
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda (5.5)
, bo’lganda

h- parametrlar (5.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).


Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)

5.2-rasm

Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun




(5.6)
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
(5.7)
5.6 va 5.7 formulalarda
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va (5.8)
- aktiv rejimda chiqish qarshiligining o’rta qiymati.
va bo’lganda (5.9)

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:


2.1. Tajriba o’tkazishga tayyorgarlik ko’rish:


Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o’lchash uchun jadval tayyorlang.




Download 131,63 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish