Tajriba ishi №3 ue ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish h-parametrlarini hisoblash



Download 131,63 Kb.
bet1/2
Sana26.11.2022
Hajmi131,63 Kb.
#872918
  1   2
Bog'liq
Tajriba ishi 3
Aktinoidlar geksafto, osobennosti-protsessov-strukturirovaniya-v-geterotsepnyh-oligomerah, makromolekulalar elastikligi, Presentation-WPS Office, 3342106856 (2), Nochiziqli elektr, elektron va magnit zanjirlari. Reja: Nochiziq, октябр иш режа (1), buxoro hasrati tarixi, NZ7 AVR Chint, 2-mavzu , Fizika-1 lab.sirtqi, tajriba ishi 1, 7-sinf O\'zbekiston tarixi-KROSSVORDLAR, So\'rovnoma

TAJRIBA ISHI № 3


UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish. h-parametrlarini hisoblash.

Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.


1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:


Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:


(5.1)

Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.


BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda (5.2)
, bo’lganda (5.3)

a) b)

5.1-rasm

Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar (5.1-5.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.


(5.4)
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda (5.5)
, bo’lganda

h- parametrlar (5.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).


Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)

5.2-rasm

Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun




(5.6)
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
(5.7)
5.6 va 5.7 formulalarda
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va (5.8)
- aktiv rejimda chiqish qarshiligining o’rta qiymati.
va bo’lganda (5.9)

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:


2.1. Tajriba o’tkazishga tayyorgarlik ko’rish:


Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o’lchash uchun jadval tayyorlang.




Download 131,63 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2023
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
axborot texnologiyalari
zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
guruh talabasi
nomidagi toshkent
O’zbekiston respublikasi
o’rta maxsus
toshkent axborot
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
davlat pedagogika
rivojlantirish vazirligi
pedagogika instituti
Ўзбекистон республикаси
tashkil etish
vazirligi muhammad
haqida tushuncha
таълим вазирлиги
toshkent davlat
respublikasi axborot
O'zbekiston respublikasi
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
махсус таълим
vazirligi toshkent
fanidan tayyorlagan
saqlash vazirligi
bilan ishlash
Toshkent davlat
Ishdan maqsad
fanidan mustaqil
sog'liqni saqlash
uzbekistan coronavirus
respublikasi sog'liqni
coronavirus covid
vazirligi koronavirus
koronavirus covid
qarshi emlanganlik
covid vaccination
risida sertifikat
sertifikat ministry
vaccination certificate
haqida umumiy
o’rta ta’lim
matematika fakulteti
fanlar fakulteti
pedagogika universiteti
ishlab chiqarish
moliya instituti
fanining predmeti