Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

САМАРКАНДСКИЙ ФИЛИАЛ


РЕФЕРАТ


ТЕМА: Флеш память.

ВЫПОЛНИЛ: РАХМОНОВ ШАХЗОД

САМАРКАНД – 2022
План:

1. 
   История
   
2. 
   Изобретение и коммерциализация
   
3. 
   Технология 3D интегральных схем
   

Флэш-память-это электронный энергонезависимый носитель компьютерной памяти , который может быть электрически стерт и перепрограммирован. Два основных типа флэш-памяти, NOR flash и NAND flash, названы в честь логических элементов NOR и NAND . NOR и NAND flash используют одну и ту же конструкцию ячейки, состоящую из МОП-транзисторов с плавающим затвором. Они различаются на уровне схемы в зависимости от того, является ли состояние битовой линии или словесных строк высоким или низким. В NAND flash связь между битовой строкой и строками слов напоминает ворота NAND; в NOR flash он напоминает ворота NOR.
Флэш-память, тип памяти с плавающим затвором, была изобретена компанией Toshiba в 1980 году и основана на технологии EEPROM. Toshiba начала продавать флэш-память в 1987 году.^[1] Электронные программы пришлось полностью стереть, прежде чем их можно было переписать. Однако флэш-память NAND может стираться, записываться и считываться блоками (или страницами), которые обычно намного меньше, чем все устройство. Флэш – память также не позволяет записывать одно машинное слово- в удаленное место – или читать независимо. Устройство флэш-памяти обычно состоит из одной или нескольких флэш-памятичипы памяти (каждый из которых содержит много ячеек флэш-памяти), а также отдельный чип контроллера флэш-памяти.
Тип NAND встречается в основном в картах памяти, USB-флешках, твердотельных накопителях (выпускаемых с 2009 года), мобильных телефонах, смартфонах и аналогичных продуктах для общего хранения и передачи данных. Флэш-память NAND или NOR также часто используется для хранения конфигурационных данных в многочисленных цифровых продуктах, что ранее стало возможным благодаря EEPROM или статической оперативной памяти с батарейным питанием. Ключевым недостатком флэш-памяти является то, что она может выдерживать только относительно небольшое количество циклов записи в определенном блоке^.
Флэш-память ^[3] используется в компьютерах, КПК, цифровых аудиоплеерах, цифровых фотоаппаратах, мобильных телефонах, синтезаторах, видеоиграх, научном приборостроении, промышленной робототехнике и медицинской электронике. Флэш-память имеет быстрое время доступа к чтению, но она не так быстра, как статическая оперативная память или ПЗУ. В портативных устройствах его предпочитают жестким дискам из-за его механической ударопрочности.
Поскольку циклы стирания медленные, большие размеры блоков, используемых при стирании флэш-памяти, дают ей значительное преимущество в скорости перед не флэш-EEPROM при записи больших объемов данных. По состоянию на 2019 флэш-память стоит намного меньше, чем байт-программируемый EEPROM, и стала доминирующим типом памяти везде, где система требовала значительного объема энергонезависимой твердотельной памяти. Однако EEPROM по-прежнему используются в приложениях, требующих лишь небольшого объема памяти, как, например, в serial presence detect^[4][5].
Пакеты флэш-памяти могут использовать штабелирование матриц со сквозными кремниевыми отверстиями и несколькими десятками слоев 3D TLC NAND ячеек (на матрицу) одновременно для достижения емкости до 1 тебибайта на упаковку с использованием 16 штабелированных матриц и встроенного контроллера вспышки в качестве отдельной матрицы внутри упаковки.^[6][7][8][9]

История