Physica status solidi

УДК 666.5.017
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТВЕРДОГО РАCТВОРА
(ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y C РАЗЛИЧНЫМИ
НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ

© на2 г. С.З. Зайнабидинов^a,*, Ш.Б. Утамурадова^b,**, А.Й. Бобоев^{a, b
a}Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура, Андижан,170100 Узбекистан
^bНИИ физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана, Ташкент, 100057, Узбекистан.
*e-mail: [e-mail]
** e-mail: [e-mail]
Поступила в редакцию ХХ. ХХ. ХХХХ г.
После доработки __ __ ____ г.
Принята к публикации

Аннотация. Твердые растворы (ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y c различными нановключениями были выращены при температурном интервале кристаллизации висмутосодержащего раствора-расплава 750÷650С и скорости охлаждения подложки - 1 град/мин. Выращенная пленка представляет собой твердый раствор замещения (ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y (0≤x≤0,725 и 0≤у≤0,638) с постепенно изменяющимся составом. Определено, что узкополосный слой, обогащенный Ge и GaAs_1–δBi_δ, образуется между подложкой и приповерхностной областью пленки. Полученные твердые растворы (ZnSe)_1–x–y(Ge₂)_x(GaAs_1–δBi_δ)_y имели p-тип проводимости, их толщина составляла 10 мкм. Установлено, что полученные твёрдые растворы имеют сфалеритную структуру и являются монокристаллами с кристаллографи-ческой ориентацией (100) и параметрами решетками 0,5663 нм. Обнаружено, что парные атомы Ge частично заменяют молекулы ZnSe в дефектных областях матричной решетки пленки, а остальные атомы формировуют нанокристаллы германия с параметрами решетки a_Ge = 0.5659 нм и размерами 47 нм на границах раздела субкристаллитов пленки. Обнаружено, что в процессе кристаллизации в соединениях GaAs_1–δBi_δ образуются нановключения, т.е. квантовые ямы с размерами 43 нм в приповерхностных областях пленки.