Laboratoriya ishlari


Invertirlovchi operatsion kuchaytirgich



Download 8.57 Mb.
bet19/19
Sana29.08.2021
Hajmi8.57 Mb.
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   19
Invertirlovchi operatsion kuchaytirgich

  • Funksional generator chiqishini 20 mV ga to‘g‘irlang.

  • R1=1kOm va R2=10 kOm qarshiliklar orqali UI va UA kuchlanishlarni o‘lchang (4-rasm).

  • UA/U1 nisbat, kuchaytirishni aniqlang.

  • O‘lchashlarni R1 = 1 kOm va R2 = 10 kOm va R1 = 1 kOm va R2 = 1 kOm kombinatsiyalari uchun olib boring.

  1. Invertirlamovchi operatsion kuchaytirgich

  • Operatsion kuchaytirgich kuchaytirish sxemasini invertirlovchidan invertirlamovchi zanjirga almashtiring (3-rasmga qarang).

  • Qarshiliklar kombinatsiyasi R1=1kOm va R2=100kOm bo‘lganda U1 va UA kuchlanishlarni o‘lchang (5-rasm).

  • UA/U1 kuchaytirishni aniqlang.

  • R1 = 1 kOm va R2 = 10 kOm va R1 = 1 kOm va R2 = 1 kOm qarshiliklar kombinatsiyasi uchun o‘lchashlarni takrorlang.

O‘lchash namunasi



  1. Invertirlovchi operatsion kuchaytirgich

1-jadval. R1 va R2 qarshiliklarning turli qiymatlari uchun kirish va chiqish kuchlanishlari U1 va UA, hamda UA/U1 kuchaytirish koeffitsiyenti qiymatlari.


R1

R2

U1

UA

UA

kOm

kOm

mV

V

U1

1

100

20

-2.00

-100

1

10

20

-0.20

-10

1

1

20

-0.02

-1




  1. Invertirlamovchi operatsion kuchaytirgich

2-jadval. R1 va R2 qarshiliklarning turli qiymatlari uchun kirish va chiqish kuchlanishlari U1 va UA, hamda UA/U1 kuchaytirish qiymatlari.




R1

R2

U1

UA

UA

kOm

kOm

mV

V

U1

1

100

20

2.01

100.5

1

10

20

0.22

11

1

1

20

0.04

2

4-rasm. Operatsion kuchytirgichning (invertirlovchi ulash) kirish (ekranning yuqorisida) va chiqish (ekran quyisida) signallai.

5-rasm. Operatsion kuchytirgichning (invertirlamovchi ulash) kirish (ekranning yuqorissida) va chiqish (ekran quyisida) signallai.

Natijalar va ularning tahlili

3 va 4 jadvallarda (1) va (2) tenglamalar orqali nazariy hisoblangan kuchlanish bo‘yicha kuchaytirishni o‘lchangan qiymati bilan solishtirilgan. OK ning ichki tuzilishiga bog‘liq ravishda kirish signali qo‘llaniladigan tashqi qarshiliklarga bog‘liq bo‘ladi (2 va 3-rasmga qarang). 4 va 5-rasmlarda ko‘rishimiz mumkinki kirish va chiqish signallari fazalari invertirlovchi kuchaytirgichda teskari va invertirlamovchi kuchaytirgichda mos tushadi.


  1. Invertirlovchi operatsion kuchaytirgich

3-jadval. R1 va R2 qarshiliklarning turli kombinatsiyasida kuchaytirishni nazariy (R2/R1) va amaliy (UA/U1) qiymatlari bilan solishtirish natijasi.


R1

kOm


R2

kOm


R2/R1

UA/U1

1

100

100

-100

1

10

10

-10

1

1

1

-1



  1. Invertirlamovchi operatsion kuchaytirgich.

4-jadval. R1 va R2 qarshiliklarning turli kombinatsiyasida kuchaytirishni nazariy (R2/R1) va amaliy o‘lchangan (UA/U1) qiymatlari bilan solishtirish natijasi.




R1

kOm


R2

kOm


R2/R1

UA/U1

1

100

101

100.5

1

10

11

11

1

1

2

2

Yordamchi ma’lumotlar

Operatsion kuchaytirgichning kuchaytirishi koeffitsiyenti kirish signali chastotasiga ham bog‘liq. 6-rasmda R2 qarshilikning turli qiymatlarida kuchaytirish koeffitsiyentining chastotaga bog‘liqligi keltirilgan. Bu grafikdan ko‘rinadiki funksional generatorning ishchi chastotasi oralig‘ida kuchaytirish koeffitsiyenti R2 qarshilik qiymatiga bog‘liq emas ekan. Grafikdagi kuchaytirishni pasaytirish va kuchaytirish koeffitsiyentining chastota oralig‘iga bog‘liqligini ko‘rsatish uchun T1 tranzistorning kollektori va er orasiga 100 nF kondensator ulanadi. Ammo bu haqida ko‘proq ma’lumot berish mazkur tavsifnoma vazifasiga kirmaydi.




6-rasm. R2 qarshilikning turli qiymatlarida g kuchaytirish koeffitsiyentining chastotaga bog‘liqligi.





Nazorat savollari

1. Operatsion kuchaytirgichning vazifasi nimadan iborat ?

2. Operatsion kuchaytirgich qanday tarkibiy qismlardan iborat ?

3. Operatsion kuchaytirgichlarning qanday turlari bor ?

4. Operatsion kuchaytirgichlarda teskari aloqa nima ?

5. Kuchaytirish koeffitsienti nima va u qanday hisoblanadi ?




PNP-Tranzistor BD 138
4-jadval: Baza-emitter o‘tish.



Baza

B


Emitter

E


Tok

U BE

IB

V

mA

+

-

yo‘q

2

0

-

+

bor

0,7

5



5-jadval: Baza-kollektor o‘tish.





Baza

B


Kollektor

C


Tok

U BK

IB

V

mA

+

-

yo‘q

2

0

-

+

bor

0,7

5

6-jadval: Kollektor-emitter o‘tish.




Kollektor

C


Emitter

E


Tok

UKE

IK

V

mA

+

-

yo‘q

2

0

-

+

yo‘q

2

0

Agar n-p-n tranzistor bazasiga musbat qutb ulansa ikkala baza-kollektor va baza-emitter o‘tishlar ham tok o‘tkazadi.

p-n-p-tranzistor:





Agar p-n-p tranzistor bazasiga manfiy ta’minlash qutbi ulansa ikkala baza-kollektor va baza-emitter o‘tishlar ham tok o‘tkazadi



Nazorat uchun savollar

1.Tranzistorning ishlash prinsipi qanday ?

2. Bipolyar tranzistorning qanday turlari bor va ular bir-biridan qanday farqlanadi ?

3. Bipolyar tranzistorning sxemada belgilanishi qanday ?

4. BD 137 va BD 138 tranzistorlarning xarakteristikalari qanday ?
LABORATORIYA ISHI

IZOLYATSIYALANGAN ZATVORLI MAYDONIY TANZISTORNING

VOLTAMPER XARAKTERISTIKALARINI O'RGANISH.

Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistorning tuzilishi va ishlash printsipi bilan tanishish, uning xususiyatlarini tekshirish; voltamper xarakteristikasini o‘lchash .


Kerakli asboblar nomi

Seriysi

Din A4 reostati

576 74

10 ta ulash uchun similar

501 48

Reostat 100 Om

577 32

Reostat 1kOm

577 44

Reostat 47kOm

577 64

Potensiometr 1kOm (№1)

577 90

Potensiometr 1kOm(№2)

577 92

Maydoniy tranzistor BF 244

578 77

Voltmetr 6V va 12 V

521 485

Ossilograf

575 211


Nazariy qism.

Maydoniy tranzistor  (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish uchun o‘tkazuvchi qanaldagi elektr o‘tkazuvchanligikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarimo‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.

Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: (elektronlar yoki kovaklar). Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. Maydonli tranzistorlarda asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil qilinib, asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zaryad muhim ro`l o`ynamaydi. Shu sababli maydonli tranzistor unipoyalar tranzistor deb ham ataladi.

MTlarning bir – biridan farqlanuvchi uchta turi bor.

1. Zatvori izolyasiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall – dielektrik – yarimo‘tkazgich (MDYa) tuzilmaga egaligi sababli MDYa – tranzistor deb ham ataladi. Uning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo‘lib: birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa – kanal sohasi zatvorga ma'lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo‘ladi (induksiyalanadi). Ko‘ndalang elektr maydon yupqa dielektrik orqali o‘tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.

2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarimo‘tkazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi yarimo‘tkazgichning kambag‘allashgan sohasi qalinligini o‘zgartirib, tok o‘tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.

3. p–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o‘tkazuvchanligiga nisbatan teskari o‘tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgichdan foydalaniladi. Natijada ular orasida p–n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p–n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p–n o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘ndalang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada kanaldagi tok qiymati o‘zgaradi. p–n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlarning asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p–n o‘tishdan foydalanadigan MTlarni o‘rganamiz. Elektr sxemalarda MTning zatvori kirish elektrodi bo‘lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p–n o‘tish yoki dielektrik bilan izolyasiyalanadi. Shuning uchun MTlar BTlardan farqli ravishda o‘zgarmas tokda katta kirish qarshiligiga (108÷1010 Om) ega.MDYa – tranzistorlar integral mikrosxemalarning, ayniqsa O‘KISlarning asosiy elementini tashkil etadi.Ular mikroprotsessorlar, mikrokontrollerlar, axborot sig‘imi katta xotira qurilmalari, elektron soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilmalari va boshqalarda qo‘llaniladi.Katta quvvatli MDYa – tranzistor qayta ulovchi sxemalarda keng qo‘llaniladi. Boshqaruvchi elektrodi metall – yarimo‘tkazgich o‘tishdan tashkil topgan arsenid galliy asosida tayyorlangan tranzistorlar o‘ta tez ishlovchi raqamli IMSlarni va O‘YuChli qurilmalarni yaratish uchun ishlatiladi. Kremniy asosidagi p–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar past chastotali diskret elektron asbob sifatida qo‘llaniladi.



Kanali induksiyalangan MDYa–tranzistor 
P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa –tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarimo‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.

MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarimo‘tkazgichning yuqori qatlamida o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.– kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 1a –rasm-da va uning shartli belgisi 1 b- rasmda keltirilgan.

Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan. Stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita p–n o‘tish hosil qilganligi sababli, USI  kuchlanishining biror qutblanishida bu o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo‘ladi. 1–rasm.
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam electron-lari kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U0 ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir–biri bilan bog‘lovchi p- turdagi kanal shakllanadi. UZI>U0  bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki IS ortadi.

2 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor VAX sikeltirilgan. 


2 – rasm. 3 – rasm.

3–rasmda n - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish (stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma’lum kuchlanish berilganda USIning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va yetarlicha katta USI qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq.


IZOLYASIYALANGAN ZATVORLI MAYDONIY TRANZISTORNING VOLT –AMPER XARAKTERISTIKASINI O’LCHASH.

LABORATORIYA ISHINI BAJARISH TARTIBI.

1 –MASHQ. Id-Vg VAX O’LCHASH.

  1. 5 –rasmdagi sxema yig‘iladi.

  2. Sxema yigalgandan keyin tok manbai rozektkaga ulanib kayta ulagichini ulash xolatiga o‘tkaziladi. Kuchlanish 3-5 V atrofida beriladi.

  3. №1 1kOm o‘zgaruvchan qarshilik yordamida zatvorga berilgan Ugs kuchlanishni 0,2 -1,6 V oralikda 0.2 V kadam bilan o‘zgartirib A ampermetrdagi Id toki o‘lchanadi. Uds kuchlanishni o‘zgarmagan xolda saqlab turish uchun №2 1 kOm o‘zgaruvchan qarshilikdan foydalaniladi. Olingan natijalar quyidagi jadvalga tushish kerak.



    Vds , V

    Vgs, V

    Ids, mA

    1










    2










    3










    4










    5










    6










    7










  4. Jadval asosida Id –Vg grafik chiziladi.

  5. Chizilgan grafikdan VT –bo‘sag‘aviy kuchlanishni aniqlash kerak. Buning uchun grafikda olingan chizikni kuchlanishlar oki bilan kesishguncha davom kilidiriladi va shu chizikning Vgs oqi bilan kesishgan nuqtasi bo‘sag‘a kuchlanishni bildiradi.



2 –MASHQ. Id –Vd VAX NI O‘LCHASH.

  1. 5 –rasmdagi grafik yig‘iladi.

  2. №2 1kOm o‘zgaruvchan qarshilik yordamida istokka berilgan Uds kuchlanishni 0,2 V qadam bilan 0,2 -1,6 V gacha o‘zgartirib ampermetr yordamida tokni o‘lchimiz. UGS kuchlanishni o‘zgarmagan xolda saqlab turish uchun №1 1kOm o‘zgaruvchan qarshilikdan foydalaniladi. Olingan natijalarni kuyidagi jadvalga tushish kerak.






VG , V

Vd, V

Id, mA

1










2










3










4










5










6










7













  1. Jadval asosida Id –Vd grafik chiziladi.


4-rasm





5 –rasm. Maydoniy tranzistorning VAX ni o’lchash sxemasi

Nazorat savollari.

1. Maydoniy tranzistor deb nimaga aytiladi?

2. MTlarning bir – biridan farqlanuvchi qanday uchta turi bor?

3.Izolyatciyalangan zatvorli maydoniy transistor ishlash principi kanday?

4. Bosaga kuchlanish deb kanday kuchlanishga aytiladi?

5.Maydoniy tranzistorning Id-Vg VAX chizib ko‘rsating.



Laboratoriya ishi

Mavzu: Maydonli tranzistorni kalit sifatida qo‘llash
Ishdan maqsad:

  • Normal ochiq holdagi tranzistor qarshiligini aniqlash.

  • Past chastotali elektron qurilmalarda normal yopiq holdagi qarshiligini o‘lchash


Kerakli asbob va jihozlar:




  • 1 Rastrli uyali panel DIN A4…………………….. 576 74

  • 1 10 dona ulash uyalari…………………………... 501 48

  • 1 Maydonli tranzistor BF 244 (FET)…………….. 578 77

  • 1 Rezistor 10 kΩ, 0.5 W ………………………… 577 56

  • 1 Rezistor 47 kΩ, 0.5 W ……………………..…. 577 64

  • 1 Potensiometr 1 kΩ, 1 W ………………………. 577 92

  • 1 Funksional generator S 12 ………………….…. 522 621

  • 1 DC ta’minlash manbai 0 … +/- 15 V ………..... 521 45

  • 1 Analogli Multimeter LD 20 …………………... 531 120

  • 1 Ikki kanalli ossillograf 303 ………………….... 575 211

  • 1 Ekranlangan kabellar BNC/4 mm …………..… 575 24

  • 3 Qizil va ko‘k kabellar jufti, 50 sm ………….… 501 45

  • 1 Qora rangli kabellar jufti, 50 sm …………….... 501 451


Nazariy qism
Maydon effekti - elektr maydonining zaryad tashuvchilarga ta’sir ko‘rsatish hodisasidir. Bu hodisadan maydonli tranzistorlarda (ing.FET) foydalaniladi. Bipolyar tranzistorlardan farqli, maydonli tranzistorlarda faqat bir turdagi zaryad tashuvchilardan foydalaniladi va shuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ataladi. Maydonli tranzistorlarning afzalligi shundaki, tokni zaryad tashuvchilarsiz (faqat maydon bilan) bosqarish mumkinligidir.

NPN yoki PNP bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda, maydonli tranzistorlardagi boshqaruv tok bilan emas, balki kuchlanish bilan amalga oshiriladi. Boshqaruv elektrodi zatvor–Z (G-gate) elektr maydonini hosil qiluvchi kodensator kabi ishlaydi va elektr maydoni bilan zaryad tashuvchilar manbai S-stokdan kirib kelayotgan zaryad tashuvchilarni I –istokning chiqishiga o‘tishini o‘tish yo‘lagi qarshiligini kamaytirib ruxsat beradi yoki o‘tish yo‘lagi qarshiligini oshirib taqiqlaydi. Shuning uchun kirish (Z-zatvor) qarshiligi juda katta bo‘ladi.

Shunday qilib maydonli tranzistor xuddi yarim o‘tkazgichli qarshilik kabi ishlaydi. Z-zatvorga kuchlanish qo‘yilganda o‘tkazuvchanlik yoki qarshilik o‘zgaradi.

Bu tajriba birinchi navbatda statik holatda, zatvor va istok potensial ostida, Uz=0 V bo‘lgan holda, RIS kanal qarshiligini aniqlaydi. Suning uchun bu qarshilik normal ochiq kanal qarshiligi deb yuritiladi.

Tajribaning ikkinchi qismida, kirish signali sifatida past chastotali o‘zgaruvchan kuchlanish bo‘lganda, chiqish signali amplitudasining UZI zatvor kuchlanishiga bog‘liqligi o‘rganiladi. Bunda signal butunlay to‘silmagan faqat sezilarli ravishda so‘ndiriladi. So‘nish koeffitsiyenti esa quyidagicha aniqlanadi:

Qurilmaning tuzilishi

a) Normal ochiq bo‘lgan kanal qarshiligini aniqlash




  • Tajriba qurilmasi 1-rasmda keltirilgan.

  • Ishchi kuchlanishni 10 V qilib o’rnating.

  • Rv (= 10kQ) qarshilikdagi UZS va UZI kuchlanishni aniqlang.





1- zanjir chizmasi

b) Zatvor kuchlanishining ta’sirini o‘rganish

2-zanjir chizmasi


  • 2-zanjir chizmasiga asosan zanjir yig‘ing.

  • E kirish signali manbaiga va A chiqish signali nuqtasiga ossilografni ulang.

  • UZI Zatvor kuchlanishini o‘lchash uchun multimeterni ulang

  • Boshqaruv kuchlanishini 15 V qilib o‘rnating. Ulashda qutblarga e’tibor bering.

  • Sinusoidal kirish signalini UI = 2 V va f = 1 kHz qilib tanlang.

  • UZI kuchlanishini UZI=-10 V potensiometr bilan o‘rnating. Ossilograf bilan kirish va chiqish signallari shaklini kuzating.

  • UZI zatvor kuchlanishini chiqish signali manfiy yarim davrga o‘tmaguncha kamaytiring.UZI­ -ni o‘lchang.

  • UZI zatvor kuchlanishini signal fazasi musbat yarim davrga o‘taboshlaguncha kamaytiring. UZI-ni o‘lchang.

  • UZI zatvor kuchlanishini 0 V ga qo‘ying. UE,SS va UA,SS-kuchlanishlarni o‘lchang va (1) ga muvofiq so‘nish koeffitsiyentini hisoblang.

O‘lchash namunalari


a) Normal ochiq bo‘lgan kanal qarshiligini aniqlash
UZS = 0 V


Urv

USI

9.8 V

0.24 V




ifodadan quyidagini olamiz



b) zatvor kuchlanishining ta’sirini o‘rganish
Eslatma: barcha ossilogrammalarda kirish signali yuqorida va chiqish signali pastda keltirilgan.
UZI= -10 V



Y I: 2 V/bo‘linma DC

YII 2 V/bo‘linma DC

Gorizontal yoyish 0.2 millisekund/ bo‘linma
Zatvor kuchlanishi UZI=-10V bo‘lganda (RIS >> Rv) o‘zgaruvchan signal shakli buzilmagan.

UZI = -2.8 V UZI = -1.5 V



Y I: 2 V/ bo‘linma DC

YII 2 V/ bo‘linma DC

Vaqt yoyilmasi 0.2 ms/bo‘linma
■ Agar zatvor kuchlanishi -3 V< UZI <-1.4 V oraliqda bo‘lsa, manfiy yarim davr qirqqiladi(so‘ndiriladi).Musbat yarim davr esa buzilmasdan o‘tadi.

UZI = -2.8 V




Y I: 2 V/ bo‘linma DC

YII 2 V/ bo‘linma DC

Vaqt yoyilmasi 0.2 ms/bo‘linma

Zatvor kuchlanishi UZI<-1.4 V bo‘lganida signalning musbat yarim davri ham so‘nadi
UZI = 0 V


Y I: 2 V/ bo‘linma DC

YII 50 mV/ bo‘linma DC

Vaqt yoyish 0.2 ms/ bo‘linma


  • Zatvor kuchlanishi UZI=0 V bo‘lganida (RZI<V), o‘zgaruvchan signal yana buzilmasdan o‘tadi ammo kuchli so‘ngan va siljigan:

Susaytirish koeffitsiyentini hisoblash

  • Kirish signali UE,SS =4 V bo‘lib UA,SS=88 mV, gacha susaygan bo‘lsa unda:




ya’ni kirish signali 97.8 % susaytirilib 2.2% qoldi. Bu o‘z navbatida normal ochiq holdagi o‘tish qarshiligining RV qarshilik nisbatiga mos keladi.



  1. Ifodadan so‘nish koeffitsiyentining quyidagi qiymatiga ega bo‘lamiz:


Nazorat uchun savollar:
1. Maydoniy tranzistorning ishlash prinsipi qanday ?

2. Maydoniy tranzistorlarni zanjirga ulashning qanday turlari bor ?

3. BF244 xarakteristikalari qanday ?

4. Maydoniy tranzistorning klemmalari qanday nomlanadi va ular qanday vazifani bajaradi ?

5. Berkituvchi kuchlanish nima ?

6. Maydoniy tranzistorlar qayerlarda qo‘llaniladi ?



Maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich

Tajriba maqsadi

  • Maydonli tranzistorlarni ulashning asosiy sxemalarini o’rganish.Kuchaytirish koeffitsiyentini aniqlash


Asbob-uskunalar

1 Rastrli panel DIN A4 576 74

1 10ta qisqa ulagichlar to’plami 501 48

1 Maydonli tranzistor BF 244 578 77

1 Rezistor 10 kOm, 0.5 W 577 56

1 Rezistor 15 kOm, 0.5 W 577 58

1 Rezistor 33 kOm, 0.5 W 577 61

1 Rezistor 68 kOm, 0.5 W, 1 % 577 657

1 Rezistor 100 kOm, 0.5 W 1 % 577 68


  1. Rezistor 10 MOm, 0.5 W 577 76

  2. Kondensator 1 mkF, 100 V, 20 % 578 35

1 Kondensator 2,2 mkF, 100 V, 20 % 578 36

1 Kondensator 47 mkF, 40 V, 20 % 578 38

1 Ta’minlash manbai DC 0...+/- 15 V 521 45

1 Funksional generator S 12 522 621

1 Multimetr LDanalog 20 531 120


  1. Ikki kanalli ossilograf 303 575 211

  2. Ekranlangan kabel BNC/4 mm 575 24

2 Kabellar jufti, 50 sm, qizil va ko’k 501 45

1 Kabel, 0,25 mm2, 50 sm, qora 501 28




Qisqacha nazariya

Tranzistorlar-zamonaviy elektronikaninig muhim yarim o’tkazgichli asboblaridan biridir. Bipolyar tranzistorlarda o’tkazuvchanlik tokini elektronlar va kovaklar tashkil qilsa, maydonli tranzistorlarda esa elektr toki kirishmali zayrad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) hisobiga hosil qilinadi. Maydonli tranzistrolarda o’tkzgich kanalining o’tkazuvchanligi qo’yilgan tashqi maydon orqali o’zgartiriladi. Boshqaruvchi elektron orqali tashqi maydon qo’ylganda bu elektron orqali deyarli tok o’tmaydi. Bunday maydon hosil qiluvchi elektron zatvor deyiladi. O’tkazuvchi kanalga asosiy zayrad tashuvchilar kirib keladigan elektrod istok deyiladi. Kanaldan asosy zaryad tashuvchilar chiqaradigan elektrodga stok deyiladi. Kichik quvvatli trazistorlarda istok va stok bir-birining o’rnida almashtirilib ulanishi mumkin.

Mazkur ishda maydonli tranzistorlardan foydalanishning uchta sxemasi o’rganiladi. Bu sxemalarni bipolyar tranzistorlar ulanish sxemalari bilan quyidagicha solishtirish mumkin:

Umumiy istok – Umumiy emitter

Umumiy stok – Umumiy kollektor

Umumiy zatvor – Umumiy baza

Tok va quvvat bo’yicha kuchaytirish quyidagicha aniqlanadi:

Tajribani bajarish tartibi

a) Istoki umimiy ulangan maydonli tranzistor.




  • Tajriba qurilmasi 1-rasmda keltirilgan.

  • Ishchi kuhlanishni 15 V qilib o’rnating.

  • Funksional generatorni Настройте функциональны генератор на частоту f = 50 Hz на синусоидальны сигнал и подайте на вход схемы.

  • Ossilograf yordamida kirish (Ue) va chiqish (Ua) kuchlanishlarini o’lchang.

  • Kirish signali amplitudasini chiqish signali sinusoidal shakldan buzilganicha oshirib boring.

  • Ossilograf yordamida kuchlanishlarning samarador qiymatini aniqlang.

  • Chiqish tokini multimetr yordamida aniqlang.

  • Chiqishni qisqa ulang va tokni (qisqa ulash tokini) o’lchang.

  • Chiqishga 10 kOm yuklama qarshilik ulang va tok kuchi va kuchlanishni o’lchang.

  • (1) formula asosida quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsiyentini hisoblang.

b) Stoki umumiy ulangan maydonli tranzistor

  • a) holatdagi kabi tajribalarni takrorlang.



  • Tokni quyidagi ifoda bilan hisoblang:




c) Stoki umumiy ulangan maydonli tranzistor




  • a) holatdagi kabi tajribalarni takrorlang.

Eslatma: tajribalarni boshqa chastotalarda ham olib boring.
Laboratoriy ishi

Mavzu: De Morgan qonuni
Ishdan maqsad:

De Morgan qonunini tajribada tekshirib ko‘rish


Kerakli asbob va jihozlar:

Nomi Seriyasi

Mantiq amallari trenajori taxtasi 571 401

Ta’minlash manbai (Plug-in tipli), mini USB

5 ta 2-mm stepselli ulash simlari, 4 sm, ko‘k 571 21

5 ta 2-mm stepselli ulash simlari, 15 sm, ko‘k, 571 23

5 ta 2-mm stepselli ulash simlari, 30 sm, ko‘k, 571 25

(Ta’minlash manbai ichki qurilgan va mantiq amali trenajoriga ulash simlari to‘plami ham qo‘shilgan)
Nazariy qism
De Morgan qonuni quyidagicha ifodalanadi:

,

Bu qonun raqamli zanjirlarni yaratishda ulardagi mantiq elementlarining sonini iloji boricha kamaytirish va minimumga olib kelish uchun qo‘llaniladi.

Mazkur tajribada De Morgan qonunini tajribada tekshirib ko‘ramiz.

1-rasm. De Morganning birinchi qonunini tekshirish qurilmasi


2-rasm.. De Morganning ikkinchi qonunini tekshirish qurilmasi



Tajriba qurilmasi

Tajribani boshlashda oldin ta’minlash manbaini ulang. 0-7 KIRISH kalitlari nol (OFF) holatda bo‘lsin (chap holatda, LED diodlar o‘chiq holatda).



De Morganning birinchi qonuni



Shartli belgisi:




Tajriba qurilmasi 11-rasm.



:

  • 0 raqamli kirish kalitini bitta EMAS (invertor) elementi kirishiga va 1 raqamli kalit kirishini ikkinchi EMAS (invertor) elementi kirishiga ulang.

  • Ikkala EMAS elementi chiqishlarini VA elementi kirishlariga ulang.

  • VA elementi chiqishini CHIQISh (OUTPUT) blokiga ulang.

:

  • 6 va 7 KIRISH kalitlarini YOKI elementi kirishiga ulang.

  • YOKI elementi chiqishini EMAS elementi kirishiga ulang.

  • EMAS elementi chiqishini CHIQISh (OUTPUT) blokiga ulang.

De Morganning ikkinchi qonuni




Shartli belgisi:



Tajriba qurilmasi 22-rasm..



:

  • 0 raqamli KIRISH kalitini EMAS elementi kirishiga ulang va 1 raqamli KIRISHNI boshqa EMAS elementi kirishiga ulang.

  • Ikkala EMAS elementi chiqishlarini YOKI elementi kirishlariga ulang.

  • VA elementi chiqishini CHIQISh (OUTPUT) blokiga ulang.

:

  • 6 va 7 KIRISH kalitlarini YOKIEMAS elementi kirishiga ulang.

  • EMAS elementi chiqishini CHIQISh (OUTPUT) blokiga ulang.



Ishni bajarish tartibi

De Morganning birinchi qonuni

:

Birinchi tajribada gap ikki o‘zgaruvchi ustida amal bajaruvchi VA mantiq elementi ustida boradi.



  • Ikkala kalit uchun ham mumkin bo‘lgan barcha kombinatsiyalarni bajaring. Chiqishda qachon LED diod yonadi?

  • Natijalarni chinlik jadvaliga yozing.

:

Keyin YOKI ni inkor qilish (YOKIEMAS) amalini o‘rganamiz va natijalarni mantiq amali bilan solishtiramiz.



  • Ikkala kalit uchun ham mumkin bo‘lgan barcha kombinatsiyalarni bajaring. Chiqishda qachon LED diod yonadi?

  • Natijalarni chinlik jadvaliga yozing.

De Morganning ikkinchi qonuni

:

Endi, ikkala inkor qilingan o‘zgaruvchilar ustida YOKI amalining bajarilishini o‘rganamiz.



  • Ikkala kalit uchun ham mumkin bo‘lgan barcha kombinatsiyalarni bajaring. Chiqishda qachon LED diod yonadi?

  • Natijalarni chinlik jadvaliga yozing.

:

Endi VA amalining inkor qilinishini (VAEMAS amali) o‘rganamiz va natijalarni mantiq amali bilan solishtiramiz.



  • Ikkala kalit uchun ham mumkin bo‘lgan barcha kombinatsiyalarni bajaring. Chiqishda qachon LED diod yonadi?

  • Natijalarni chinlik jadvaliga yozing.

O‘lchash namunasi

De Morganning birinchi qonuni

Kalitlar holatiga va LED indikatorlar holatiga 0 va 1 qiymatlar beriladi (kalit uzuq bo‘lsa qiyamati 0, kalit ulangan bo‘lsa qiymati 1. LED yonmasa 0, LED yonsa 1 qiymat deb olinadi).

Ikki o‘zgaruvchi (0-KIRISH yoki 6-KIRISH va 1-KIRISH va 7-KIRISH) a va b deb olinadi.

Chinlik jadvalini to‘ldiring:



a

b





0

0

1

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

1

0

0

1-jadval: Morganning birinchi qonuni uchun chinlik jadvali.

De Morganning ikkinchi qonuni

Kalitlar holatiga va LED indikatorlar holatiga 0 va 1 qiymatlar beriladi (kalit uzuq bo‘lsa qiyamati 0, kalit ulangan bo‘lsa qiymati 1. LED yonmasa 0, LED yonsa 1 qiymat deb olinadi).

Ikki o‘zgaruvchi (0-KIRISH yoki 6-KIRISH va 1-KIRISH va 7-KIRISH) a va b deb olinadi.

Chinlik jadvalini to‘ldiring:



a

b





0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

0

2-jadval: de Morganning ikkinchi qonuni uchun chinlik jadvali.

Natija va xulosalar

De Morganning birinchi qonuni



:

Ikkala kirishga mantiqiy 0 berilsa chqishdagi LED diod yonadi. Agar kirishdagi ikkala a va b o‘zgaruvchilar ham 1 qiymat qabul qilsa inkor qilingan VA amalida natija 1 qiymat beradi.



:

Ikkala kirish ham 0 qiymat qabul qilsa chiqishda LED diod yonadi. Inkor qilingan YOKI amalida (YOKIEMAS amali) ikkala a va b o‘zgaruvchiga 0 qiymat berilsa natija 1 qiymatni beradi.

Ikkala holda ham natija bir xil: . Bu tasdiq de Morganning birinchi qonuni deyiladi.

De Morganning ikkinchi qonuni



:

Chiqishdagi LED diod yonadi, agar kirishlarning aqali bittasi 0 qiymat qabul qilsa. Inkor qilingan ikkita a va b o‘zgaruvchilarning birortasi 0 qiymat qabul qilsa natija 1 bo‘ladi.



:

Chiqishdagi LED diod yonadi, agar kirishlarning aqali bittasi 0 qiymat qabul qilsa. VA amali inkor qilinganda (VAEMAS amali) ikkita a va b o‘zgaruvchilarning birortasi 0 qiymat qabul qilsa natija 0 bo‘ladi.



Ikala holda ham natija bir xil: . Bu de Morgan qonunining tasdig‘idir.
Download 8.57 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   19




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
maxsus ta’lim
O’zbekiston respublikasi
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
o’rta maxsus
guruh talabasi
nomidagi toshkent
davlat pedagogika
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
toshkent axborot
pedagogika instituti
haqida tushuncha
rivojlantirish vazirligi
toshkent davlat
Toshkent davlat
vazirligi toshkent
tashkil etish
matematika fakulteti
ta’limi vazirligi
samarqand davlat
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
bilan ishlash
pedagogika universiteti
vazirligi muhammad
fanining predmeti
Darsning maqsadi
o’rta ta’lim
navoiy nomidagi
haqida umumiy
Ishdan maqsad
moliya instituti
fizika matematika
nomidagi samarqand
sinflar uchun
fanlar fakulteti
Nizomiy nomidagi
maxsus ta'lim
Ўзбекистон республикаси
ta'lim vazirligi
universiteti fizika
umumiy o’rta
Referat mavzu
respublikasi axborot
таълим вазирлиги
Alisher navoiy
махсус таълим
Toshkent axborot
Buxoro davlat