Laboratoriya ishI


UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad



Download 206.34 Kb.
bet2/2
Sana15.05.2021
Hajmi206.34 Kb.
1   2
UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad. n – kanali p – n o‘tish bilan boshqariladigan UI ulangan kuchaytirgich kaskadning prinsipial sxemasi 6.1-rasmda keltirilgan.

Kirish signali manbai UG ajratuvchi kondensator S1 orqali, yuklama qarshiligi RS esa, kaskadning chiqishiga S2 ajratuvchi kondensator yordamida ulangan. Zatvorning umumiy shina bilan galvanik bog‘lanishi RZ≈1 MOm rezistor orqali amalga oshi-riladi. Bu galvanik aloqa zatvordagi manfiy siljituvchi kuch-lanishni hosil qilish uchun zarur.



1-rasm. UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad.




2-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.





№(талаба журнал рақами)

Eм (V)

IС (mA)

RС1 (kOm)

RС2(kOm)

Ukир (V)

1

15

1

1

2

15

2

15

2

1

2

15

3

15

2

2

1

15

4

15

1

1

2

15

5

15

2

1

2

15

6

15

2

2

1

15

7

15

4

2

1

15

8

15

4

2

1

15

9

15

2

2

1

15

10

15

4

2

1

15

11

15

4

2

1

15

12

15

3

1

3

15


Назорат саволлари.

1. Майдоний транзистор (МТ) деб нимага айтилади ва нима учун уни униполяр транзистор деб ҳам аташади?

2. МТларнинг турларини келтиринг.

3. МТнинг қандай уланиш схемаларини биласиз?

4. МТ асосий иш режимларини айтинг.

Javoblar

1.Maydoniy transistor. Maydoniy transistor(MT) deb, tok kuchli qiymatini boshqarish uchun o’takazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanlikni o’zgartirsh hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.

Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtiriok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlardeb ham ataladi.


2.maydoniy transiztorlarning tuzilishi va kanal o’tkazuvchanligiga ko’ra ikki turi mavjud: p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metal-dielektirik-yarim o’tkazgichli(MDYa) tuzilishiga ega bo’lgan zatvori izolatsiyalangan maydoniy transistorlar.
3.MTning ulanish sxemasi.




4.MT asosiy parametrlari. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo’lib xarakteristika tikligi hisoblanadi

S=dIc/dUzi(mA/V),

Va uni quyidagi ifodadan aniqlash mumkin

S=Smax(1-Uzi./Uzi.berk)(1.1)

Bu yerda Smax-UZI =0 bo’lgandagi maksimal tiklik. (1.1) ifodadan ko’rinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydoniy transistor xarakteristika tikligi kamayadi.

Tranzistorning differensial(ichki) qarshiligi istok va stok oralig’idagi kanal qarshiligini ifodalaydi.

Ri=dUCI/dIC UZI=const bo’lganda(1.2)



To’yinish rejimida (VAX ning tekis qismida) Ri bir necha MOmni tashkil etadi va USI ga bog’liq emas.

Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffisienti tranzistorning kuchaytirish xususiyatini ifodalaydi:

= - dUCI/dUZI *IS=const bo’lganda.
Download 206.34 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
O’zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
o’rta maxsus
davlat pedagogika
nomidagi toshkent
guruh talabasi
pedagogika instituti
texnologiyalari universiteti
toshkent axborot
xorazmiy nomidagi
rivojlantirish vazirligi
samarqand davlat
haqida tushuncha
navoiy nomidagi
toshkent davlat
nomidagi samarqand
ta’limi vazirligi
Darsning maqsadi
vazirligi toshkent
Toshkent davlat
tashkil etish
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
Ўзбекистон республикаси
Alisher navoiy
matematika fakulteti
bilan ishlash
Nizomiy nomidagi
vazirligi muhammad
pedagogika universiteti
fanining predmeti
таълим вазирлиги
sinflar uchun
o’rta ta’lim
maxsus ta'lim
fanlar fakulteti
ta'lim vazirligi
Toshkent axborot
махсус таълим
tibbiyot akademiyasi
umumiy o’rta
pedagogika fakulteti
haqida umumiy
Referat mavzu
fizika matematika
universiteti fizika
ishlab chiqarish
Navoiy davlat