Kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA

KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

QARSHI FILIALI

“TT va KT” fakulteti TT 13-18- guruhtalabasi

Ibodullayev Dilzodning Elektornika va

sxemalar 2 fanidan

LABARATORYA ISHI



Qarshi 2020

9-10 laboratoriyaishi

Bipolyartranzistorlardabarqarortokgeneratorinio'rganish.

Ishningmaqsadi: - Tokstabilizatorlariniqurishuchunishprintsiplarivaelektronyechimlarnio'rganish.

Barqarortokmanbalari

Barqarortokmanbalariniyarimo'tkazgichlitranzistorlaryordamidajudaoddiyginaqurishmumkin. Shundayqilib, agar bipolyartranzistorasosiytokningdoimiyqiymatibilanfaolrejimdaishlayotganbo'lsa, undauningchiqishioqimi 1-rasmga muvofiqkollektorva emitter terminallariorasidagikuchlanishgabirozbog'liqdir.

Rasm 4.1 – Tranzistorxarakteristikasi

Doimiyeffektlitranzistordoimiyeshikvoltajinisaqlabturgandapentodxarakteristikasisohasidaishlayotgandashungao'xshashxususiyatlargaega.

Е_Пta'minotkuchlanishiningberilganqiymatiuchunR_Н yuk liniyasiningkesishishnuqtasichiqishxarakteristikasiningabsegmentidayotishikerak. I.e. yukningqarshiligishartniqondirishikerak.

Aslida, 2-rasmga muvofiq, bipolyartranzistordaoqimmanbainiyaratishmuammosidoimiyqiymatningtayanchoqiminio'rnatishusulinitanlashbilanbog'liq. Emitentrezistor Re ningkiritilishibirqatorsalbiyoqimlarnihosilqiladi.


2 -Rasm– Bipolyartranzistorningtokmanbai

OOS oqimmanbainichiqishqarshiliginingoshishigavauningbarqarorliginingoshishigaolibkeladi, ammotranzistorbazasidakuchlanishningko'payishinitalabqiladi. Bundaymanbaningchiqishoqimi

.

Yuqoriharoratbarqarorliginiolishuchunzenerdiyodining TKN tranzistorningharoratbeqarorliginiqoplashikerak.

Yuqorichiqishqarshiligigaegabo'lganoqimmanbalari OOS oqimidanfoydalanganholdaamperlikonturlarasosidaqurilishimumkin. Chiqishtokiningruxsatetilganqiymatinioshirishuchunamperlarningtranzistorlarbilanbirikmasidanfoydalaniladi. Bundantashqari, ampergaasoslangantokmanbalariningko'plabzanjirlarimuvofiqlashtirilganrezistorlardanfoydalanishnitalabqiladi.

Ishtartibi:

1 Transistordagitokstabilizatorinio'rganish.

1.1 3-rasmga muvofiqkontaktlarningzanglashigaolib boring.

1.2 VD1 zenerdiyotiningbelgilanganturinio'rnating (2-jadval).

1.3 Formulagamuvofiq R1 qiymatinihisoblang,

BuyerdaЕ_П– elektrta’minotikuchlanishi;

U_стаб–satabilitronningstabilizasiyakuchlanishi;

I_стаб– stabilitronning nominal toki;

I_б– tranzistorningbazatoki, quyidagichaformuladaaniqlanadi

I_б = I_к/h_21Э,

BuyerdaI_к= I_н – kollektoroqimi yuk oqimigateng, ya'ni 1-jadvalda ko'rsatilganstabilizatorningchiqishoqimi.

h_21Э – tranzistorningkuchlanishkoeffitsenti (shuturdagi transistor uchun 2N5227 - 198),

3-rasm – Tranzistorningbarqarortoki

1.5 Sxemaelementlarninghisoblanganqiymatlarinibelgilangvayuklamaqarshiligiqiymatini (R3 rezistorini) 5% (20 nuqta) gao'zgartiring, 1-jadvalni to'ldiringvaolinganma'lumotlarasosidajoriymanbaningchiqishxarakteristikasinituzing (stabilizatsiyatokiningoqimmanbainichiqishkuchlanishigabog'liqligi).
2-Jadval

Topshiriqvariantlari

№